lora?器件 文章 進入lora?器件技術(shù)社區(qū)
VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計
- 航天用DC/DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下,輻射損傷是其主要失效機理。DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性,國內(nèi)外廣泛研究了DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
- 關(guān)鍵字: DC 預(yù)兆 單元 設(shè)計 輻射 轉(zhuǎn)換器 器件 損傷 VDMOS DC/DC轉(zhuǎn)換器
電子制造業(yè)到底爭什么?一場技術(shù)的較量
- 據(jù)相關(guān)報道,電子制造業(yè)3月份開始出現(xiàn)積極現(xiàn)象,但形勢依然嚴(yán)峻。工信部統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,一季度,電子產(chǎn)品出口交貨值同比下降15.5%,其中3月份下降10.1%,降幅比前兩個月減緩8.9個百分點。電子制造業(yè)生產(chǎn)、出口大幅下滑趨勢有所減緩。 統(tǒng)計還顯示,行業(yè)經(jīng)濟效益下滑的趨勢并未扭轉(zhuǎn)。1-2月,電子行業(yè)實現(xiàn)利潤6.8億元,同比下降96.3%。 由以上信息可以看出,電子制造業(yè)目前困境仍在,而且要改變現(xiàn)有狀態(tài),電子業(yè)該從哪方面下手? 電子制造業(yè)困境 由于全球經(jīng)濟增長速度放緩,市場總體需求萎縮
- 關(guān)鍵字: 電子 器件 平板顯示器
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字: SOI 器件
lora?器件介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條lora?器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對lora?器件的理解,并與今后在此搜索lora?器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對lora?器件的理解,并與今后在此搜索lora?器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
