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gan systems 文章 進(jìn)入gan systems技術(shù)社區(qū)
GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)
- 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 探測(cè)器 紅外 量子 GaN
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
Renesas RX 系列產(chǎn)品從開(kāi)發(fā)軟件兼容性中獲益
- IAR Systems今日宣布在為Renesas RX定制的IAR Embedded Workbench集成開(kāi)發(fā)環(huán)境中支持應(yīng)用程序二進(jìn)制(ABI)接口，從而能夠兼容于其他Renesas RX工具鏈的輸出。當(dāng)編譯器對(duì)于軟件重用放低門(mén)檻后，基于組件的應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)將變得更為簡(jiǎn)單，并大大節(jié)約了開(kāi)發(fā)時(shí)間和工程成本。 任何與Renesas RX ABI 相兼容的工具鏈所編譯的軟件都可以被鏈接到IAR Embedded Workbench集成開(kāi)發(fā)環(huán)境中。比如，原先在Renesas的專(zhuān)用工具上開(kāi)發(fā)完成的硬件驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字： IAR Systems
GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億
- 美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線(xiàn)通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計(jì)
- 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問(wèn)題與日俱增，清潔的可再生能源市場(chǎng)應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
- 關(guān)鍵字： ADI 風(fēng)輪機(jī) Northern Power Systems
SiC襯底X波段GaN MMIC的研究
- 使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
- 關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底
Samplify Systems推出首款16通道、12位、65Msps的ADC
- Samplify Systems公司近日宣布該公司將推出一系列嶄新的16信道、12比特、每秒65兆采樣的模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片，并集成有數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)壓縮 Samplify Systems
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車(chē)和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專(zhuān)利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉(zhuǎn)換專(zhuān)業(yè)知識(shí)方面
- 關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端
貝爾金選擇Azimuth Systems信道仿真器及ADEPT-n MIMO測(cè)試平臺(tái)
- 無(wú)線(xiàn)寬帶測(cè)試設(shè)備及Wi-Fi、WiMAX、LTE（長(zhǎng)期演進(jìn)）和其他4G技術(shù)的信道仿真器提供商 Azimuth Systems公司宣布，貝爾金國(guó)際公司（Belkin International， Inc.）已經(jīng)選擇了ACE（TM）信道仿真器及ADEPT-n MIMO測(cè)試平臺(tái)，來(lái)自動(dòng)化測(cè)試其N(xiāo)及N1無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品線(xiàn)。ACE信道仿真器及ADEPT-n MIMO測(cè)試平臺(tái)是專(zhuān)門(mén)用于MIMO測(cè)試的，可為802.11n設(shè)備的自動(dòng)化及可重復(fù)的性能、互操作性及功能測(cè)試提供框架。使用Azimuth公司的ACE信道仿真器及A
- 關(guān)鍵字： Wi-Fi WiMAX LTE Azimuth Systems 貝爾金 MIMO測(cè)試
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