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硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  

實時功率GaN波形監(jiān)視的設計方案

  • 　　簡介 　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 　　使用壽命預測指標 　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
  • 關鍵字： GaN  

氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

  • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 　　由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
  • 關鍵字： GaN  SiC  

氮化鎵元件將擴展功率應用市場

  • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。 　　目前銷售Ga
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

  • 　　根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
  • 關鍵字： SiC  GaN  

高精度的功率轉換效率測量

  • 　　目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
  • 關鍵字： SiC  GaN  電流傳感器  

GaN技術和潛在的EMI影響

  • 　　1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
  • 關鍵字： GaN  EMI  

思科推出IoT System，提供物聯(lián)網(wǎng)應用完整軟硬件

  • 　　思科宣布推出IoT System，鎖定制造、公用事業(yè)、石油與天然氣、運輸、采礦，與公共領域等產(chǎn)業(yè)，提供部署物聯(lián)網(wǎng)應用所需的完整軟、硬體技術，同時也推出15項相關的新產(chǎn)品。 　　思科(Cisco)宣布推出IoT System，鎖定制造、公用事業(yè)、石油與天然氣、運輸、采礦，與公共領域等產(chǎn)業(yè)，提供部署物聯(lián)網(wǎng)應用所需的完整軟、硬體技術，同時也推出15項相關的新產(chǎn)品。 　　思科估計，到2020年全球將有500億個連網(wǎng)裝置與物件，但迄今實體世界中仍有99%的物件未連上網(wǎng)路。思科指出，為抓住前所未有的數(shù)位化浪潮
  • 關鍵字： 思科  IoT System  

英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。 　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結合公司了所
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 　　作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
  • 關鍵字： 英飛凌  松下  GaN  

TI發(fā)布業(yè)內首款80V半橋GaN FET模塊

  • 　　近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 　　全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。 　　TI高壓電源
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 　　作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  

英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術

  • 　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
  • 關鍵字： 英飛凌  松下  GaN  

GaN在射頻功率領域會所向披靡嗎？

  • 　　氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
  • 關鍵字： GaN  射頻  

Mentor Graphics發(fā)布Xpedition System

  • 　　Mentor Graphics公司宣布其Xpedition平臺的新產(chǎn)品及主要組件，用于多板系統(tǒng)連接的Xpedition Systems Designer。Xpedition Systems Designer產(chǎn)品抓取多板系統(tǒng)的硬體描述，從邏輯系統(tǒng)定義到獨立的PCB，都能自動進行多層級系統(tǒng)設計同步處理，以確保設計過程中團隊能夠準確高效協(xié)作。 　　目前，高階電子系統(tǒng)的設計流程不容樂觀，系統(tǒng)定義過程使用多種無法相互相容的工具，且沒有標準的方法實現(xiàn)設計規(guī)程與抽象層面的同步和設計資料的轉移。該問題將導致故障電氣
  • 關鍵字： Mentor Graphics  Xpedition System  
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