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氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場(chǎng)

作者: 時(shí)間:2015-09-16 來(lái)源:eettaiwan 收藏

  根據(jù)YoleDeveloppement指出,()元件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面,他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/280201.htm

  Yole估計(jì),2015年在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間,這一市場(chǎng)將以93%的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng),預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬(wàn)美元的產(chǎn)值。

  目前銷(xiāo)售功率元件的主要半導(dǎo)體業(yè)者包括英飛凌/IR、宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EfficientPowerConversion;EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。

  然而,這一市場(chǎng)也存在整并壓力,這一點(diǎn)從英飛凌收購(gòu)IR、英飛凌與松下(Panasonic)之間以及Transphorm與Furukawa之間的授權(quán)協(xié)議,以及Transphorm與富士通(Fujitsu)之間的制造合作即可看出端倪。

  根據(jù)與Yole共同分析GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的KnowMade公司執(zhí)行長(zhǎng)NicolasBaron表示,英飛凌/IR擁有最佳的GaN功率專利組合,而其最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手則是Transphorm。然而,這個(gè)IP的主導(dǎo)地位可能會(huì)有變化,因?yàn)橄馮ransphorm、富士通與三菱電機(jī)(MitsubishiElectric)等新加入市場(chǎng)的后進(jìn)者,也可能成為主要的力量,從而改寫(xiě)市場(chǎng)樣貌。FurukawaElectric藉著將其GaN專利產(chǎn)品組合獨(dú)家授權(quán)給Transphorm,也擁有了得以為其將技術(shù)導(dǎo)入市場(chǎng)的策略合作夥伴。



關(guān)鍵詞: 氮化鎵 GaN

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