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TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設(shè)計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.

領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認(rèn)為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測試儀表應(yīng)用而設(shè)計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
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電機的應(yīng)用趨勢及控制解決方案

顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機的應(yīng)用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。關(guān)鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的普及深化，在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類電機在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的需求。?在家電領(lǐng)域，電器的智能化需要電器對人機交流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如掃地機器人需要掃描計算空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
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用智能相位控制技術(shù)提高家用電器的電機效率

姜鐵軍（東芝電子元件（上海）有限公司?系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略業(yè)務(wù)企劃統(tǒng)括部?高級工程師）摘? 要：介紹了家用電器用電機的特點，以及東芝提升電機效率的智能相位控制技術(shù)和產(chǎn)品。關(guān)鍵詞：BLDC；智能相位控制技術(shù)；IPM1? 家電用電機的特點?電機在如今這個時代非常重要。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，全球大約50%的電能是被電機消耗的。在以前，電機的應(yīng)用主要集中在工業(yè)領(lǐng)域，隨著人民生活水平的不斷提升，家用電器領(lǐng)域開始異軍突起。數(shù)量巨大的家用電器在電機使用中占比很大，如家電類的冰箱、空調(diào)、洗
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工業(yè)電機用功率半導(dǎo)體的動向

Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。關(guān)鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機類型的商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應(yīng)用（例如電動工具），
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計

奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓?fù)?。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察

全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
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變頻空調(diào)IPM可靠性研究與應(yīng)用

　　黎長源，李帥，項永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽合肥 230088）　　摘要：針對空調(diào)用IPM模塊生產(chǎn)過程及運輸周轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)IPM本體開裂問題，本文從IPM失效機理、器件結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計、器件應(yīng)用環(huán)境設(shè)計質(zhì)量可靠性等方面進行分析。通過器件失效機理、結(jié)構(gòu)對比、X光、機械應(yīng)力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷，分析結(jié)果表明：IPM整體結(jié)構(gòu)設(shè)計存在質(zhì)量缺陷，IPM抗機械應(yīng)力強度水平低，在實際應(yīng)用環(huán)境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機械失效與器件本身設(shè)計質(zhì)量缺陷存在較大關(guān)聯(lián)；從器件本身可靠性設(shè)計、本
關(guān)鍵字：變頻空調(diào) IPM 開裂器件結(jié)構(gòu) 機械應(yīng)力 201907

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
關(guān)鍵字：德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件