国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> epc gan fet

硅襯底上GaN基LED的研制進展

  • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
  • 關鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

TDK-EPC掌控所有熱點的SMD-PTC解決方案

  • 相對于標準系列，新元件采用了更為均質(zhì)的陶瓷材料，在提高穩(wěn)定性的同時，還允許高達280℃的回流焊接和波峰焊接加工。憑借上述性能，超級系列PTC產(chǎn)品已通過AEC-Q200 Rev-C標準驗證，可滿足汽車電子應用的苛刻要求。

  • 關鍵字： TDK-EPC  SMD-PTC  方案    

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關鍵字： GaN  S波段  寬帶  放大器    

GaN基量子阱紅外探測器的設計

  • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關鍵字： 設計  探測器  紅外  量子  GaN  

基于RFID的EPC中間件的設計

  • 摘要：本文簡述了物聯(lián)網(wǎng)EPC技術并分析了Savant中間件軟件系統(tǒng)的主要功能和框架結構。在深入研究EPCgloabal后，借鑒EPCgloabl的中間件標準ALE，給出了一種Savant中間件軟件系統(tǒng)的設計思路，并從邏輯上驗證了該系統(tǒng)的完
  • 關鍵字： 設計  中間件  EPC  RFID  基于  

TDK-EPC：服務鐵路應用的產(chǎn)品與解決方案

  • TDK-EPC：服務鐵路應用的產(chǎn)品與解決方案2009年生產(chǎn)電子元件的兩大巨頭日本TDK與德國愛普科斯合并，TDK在消費電...
  • 關鍵字： TDK  EPC  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙類功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
  • 關鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當個開關...
  • 關鍵字： FET  

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關鍵字： CISSOID  P-FET  

一種GaN寬禁帶功率放大器的設計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
  • 關鍵字： 設計  功率放大器  GaN  一種  

如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關斷電壓進行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關鍵字： 進行  緩沖  電壓  關斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

LTE EPC：預集成框架的推動因素和優(yōu)點

  • 目錄市場趨勢OEM面臨的挑戰(zhàn)與要求流量模型RADISYS的LTE就緒平臺OEM...
  • 關鍵字： LTE  EPC  
共487條 29/33 |‹ « 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 »

epc gan fet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條epc gan fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473