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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導體科技（東莞）有限公司

  • 先之科半導體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開始專注于半導體分立器件研發(fā)及銷售，在半導體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產基地，超過1400名員工，保證了其1.8億只的日產能，讓其旗下產品可以出現(xiàn)在任何需要它們的地方。今天展會之上，先之科為我們帶來了豐富的產品，包括各類二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車電子、光學逆變器和通信電源等領域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
  • 關鍵字： 先之科  半導體分立器件  二極管  整流管  三極管  MOSFET  

IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計

  • 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

  • 功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩(wěn)步增
  • 關鍵字： MOSFET  開關電源  

SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

  • 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
  • 關鍵字： 電動汽車  逆變器  SiC  MOSFET  

SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

為敏感電路提供過壓及電源反接保護！

  • 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
  • 關鍵字： MOSFET  二極管  LTC4365  

了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

  • Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
  • 關鍵字： Littelfuse  MOSFET  

適用于熱插拔應用的具有導通電阻的高效 MOSFET

  • 熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。簡介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的
  • 關鍵字： MOSFET  導通電阻  

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動IC 應用于工業(yè)馬達控制器

  • 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器，專為高功率應用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設計及開發(fā)。       NCD57000 可在輸入側提供 5
  • 關鍵字： NCD57000  驅動器  IGBT  MOSFET  onsemi  馬達控制  

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET

  • 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
  • 關鍵字： MOSFET  EiceDRIVER  MOSFET  

100W MOSFET功率放大器電路

  • 我們設計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路，可產生 100W 的輸出功率，驅動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產生無噪聲放大信號
  • 關鍵字： 功率放大器  MOSFET  

高性能 SiC MOSFET 技術裝置設計理念

  • 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSF
  • 關鍵字： MOSFET  

全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？

  • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領先技術的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產線，能夠讓美國大學，企業(yè)以及政府研究人員進行長期
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  

英飛凌高壓超結MOSFET系列產品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

  • 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設計，同時以低成本實現(xiàn)高質量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
  • 關鍵字： 英飛凌  高壓超結  MOSFET  

如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您

  • 在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  
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