国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

報告稱三星電子 DRAM 市場份額創(chuàng) 8 年來新低

  • IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報告，三星電子在全球 DRAM 市場的份額已跌至八年來的最低點。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報告，第三季度全球 DRAM 市場銷售額為 179.73 億美元（當前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當前約 533.66 億元人民幣
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術

  • 　　本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。　　1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。　　一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。　　這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
  • 關鍵字： 美光  DRAM  內存芯片  光刻機  EUV  

機構預計今年服務器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB，首次超過移動設備

  • 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報道，受電子消費品續(xù)期下滑影響，當前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領域的需求，卻在不斷增長。研究機構在最新的報告中就表示，服務器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機、平板電腦等移動設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計，今年全球服務器對 DRAM 的需求，會達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
  • 關鍵字： DRAM  市場  

功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨

  • 當?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進的DRAM技術節(jié)點實現(xiàn)了量產準備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
  • 關鍵字： 功率效率  美光  1β DRAM  

美光出貨全球最先進的1β技術節(jié)點DRAM

  • 2022年11月2日——中國上?！獌却媾c存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節(jié)點的1β DRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內存上采用該新一代制程技術，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應用，基于1β節(jié)點的DRAM產品還具備低延遲、低功耗和高
  • 關鍵字： 美光  1β技術節(jié)點  DRAM  

美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內存：采用先進 1β 工藝，15% 能效提升

  • IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
  • 關鍵字： 美光  LPDDR5X-8500  內存  1β DRAM  

SK海力士：未研究過“轉移中國工廠設備”相關具體計劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高

  • 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5X  DRAM  

SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備

  • SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協(xié)商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產半導體產品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴充器產品

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  存儲器  CXL  AI/ML  DRAM  

SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術

  • 芯片已經(jīng)無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進一步處理。SPAR
  • 關鍵字： SPARC  先進邏輯  DRAM  沉積技術  

庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％

  • 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
  • 關鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

  • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
  • 關鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

美光車規(guī)級內存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗

  • 全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實現(xiàn)最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級LPDDR4和UFS 2.1技術，為用戶提供出色的娛樂和用
  • 關鍵字： 美光  智能座艙  DRAM  UFS  ADAS  域控制器  車載信息娛樂系統(tǒng)  

DRAM 內存加速降價，6 月報價環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低

  • IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價，作為上代產品的 DDR3 型的 4GB 內存連續(xù) 2 個月下跌。指標產品的 6 月大單優(yōu)惠價環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來新低。從作為指標的 8GB DDR4 內存來看，6 月報價約 2.7 美元每個，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內存約為 2.18 美元 / 個，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
  • 關鍵字： DRAM  市場  
共1836條 9/123 |‹ « 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 » ›|

dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

熱門主題

關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473