ddr2 sdram 文章進(jìn)入ddr2 sdram技術(shù)社區(qū)

ASIC原型驗(yàn)證板DDR2 速率再攀高峰

　　唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗(yàn)證平臺半年來在用戶項(xiàng)目使用中，從性能、價(jià)格、穩(wěn)定性來說已得到了用戶的很高評價(jià)，當(dāng)然，唐芯微人還是不失抓住每一次售后機(jī)會(huì)，把握用戶提出的問題和建議，配合用戶完成項(xiàng)目的同時(shí)對這款產(chǎn)品進(jìn)行一次次優(yōu)化修正，不但用戶對唐芯微電子售后服務(wù)有了更進(jìn)一步體會(huì)，而且?guī)醉?xiàng)技術(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
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基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與FPGA實(shí)現(xiàn)

摘要：采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時(shí)、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案，同時(shí)提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實(shí)現(xiàn)方法。

0 引
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基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)

要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價(jià)格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)

一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計(jì)

自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實(shí)還原三維...
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如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真, 摘要：介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進(jìn)行仿真分析，給出了一個(gè)具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過程和方法?！　‖F(xiàn)代電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 仿真系統(tǒng) 嵌入式 Hyperlynx DDR2 基于

基于FPGA的LED大屏幕控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術(shù)，LED顯示技術(shù)有其獨(dú)特的優(yōu)越性：高亮度、寬可視角度、豐富...
關(guān)鍵字： LED大屏幕 FPGA 反γ校正 SDRAM

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言　　面對不同的應(yīng)用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要保存原
關(guān)鍵字：方式數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲結(jié)構(gòu) SDRAM 文件基于

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì)

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì),　　本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
關(guān)鍵字：接口控制器設(shè)計(jì) 存儲器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于

基于DSP E1—16XS的硬件開發(fā)平臺設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： E1—16XS SDRAM 開發(fā)板

美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

　　美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動(dòng)™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的理想存儲解決方案。　　美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節(jié)點(diǎn)，反映出美光對市場所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
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鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片

　　鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。　　該芯片采用低電壓DDR2標(biāo)準(zhǔn)制造，可與英特爾開發(fā)代號Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條，實(shí)現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。　　得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統(tǒng)的電源需求。　　鎂光預(yù)計(jì)這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣，年末之前量產(chǎn)出貨。
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茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM

　　臺系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。　　2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
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Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口

Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來說，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
關(guān)鍵字： SDRAM 接口 DDR 實(shí)現(xiàn) II 如何 Cyclone

力晶王其國：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

　　力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會(huì)因?yàn)樨?cái)務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應(yīng)用，對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。　　王其國表示，過去摩爾定律認(rèn)為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達(dá)成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
關(guān)鍵字：力晶 SDRAM DRAM