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茂德、鈺創(chuàng)攜手進軍SDRAM

作者: 時間:2010-06-29 來源:DigiTimes 收藏

  臺系廠陸續(xù)啟動多角化產(chǎn)品線策略,近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進行結(jié)盟,將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品,采用72納米制程,目前已進入試產(chǎn),這是茂德跨入消費性電子市場重要里程碑,對鈺創(chuàng)而言,亦在S產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時雨。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/110366.htm

  2008~2009 年產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(),但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標準型DRAM產(chǎn)品,終究是一條不歸路,因此自 2010年開始,陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標準型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域,包括、Mobile RAM、NAND Flash、繪圖卡存儲器(GDDR)等。

  近期茂德悄悄與利基型存儲器廠鈺創(chuàng)結(jié)盟,計劃合作搶攻市場,雙方目前正在進行 256Mb容量DDR2產(chǎn)品生產(chǎn)計畫,采用茂德自行開發(fā)72納米制程技術(shù)。由于幾年前亦曾傳出鈺創(chuàng)找過茂德合作,但當時未能成局,這次雙方首次攜手合作,對彼此都意義重大。

  事實上,由于2008年全球金融海嘯肆虐,很多12 寸晶圓廠的新廠建置計畫都耽擱,一直到2010年整整3年期間,DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新的12寸晶圓廠出現(xiàn),導(dǎo)致2010年終端需求復(fù)蘇后,DRAM、 、Mobile RAM、NAND Flash、NOR Flash、GDDR等產(chǎn)能互相排擠情況。2010年多家SDRAM設(shè)計公司都苦等不到產(chǎn)能,DRAM廠亦不想將全部產(chǎn)能都重押在標準型DRAM,因此,鈺創(chuàng)與茂德雙方一拍即合,展開攜手結(jié)盟之路。

  以現(xiàn)有DRAM廠布局來看,產(chǎn)品線最完整且實力最強的是三星電子(Samsung Electronics),除現(xiàn)有DRAM、SDRAM、Mobile RAM、NAND Flash、NOR Flash、GDDR產(chǎn)品線,還跨足晶圓代工和太陽能產(chǎn)業(yè),日前宣布18兆韓元資本支出計畫,充分展現(xiàn)成為全球科技產(chǎn)業(yè)巨擘雄心。

  爾必達 (Elpida)2010年亦進行大轉(zhuǎn)型,將大部分標準型DRAM生產(chǎn)都釋放給臺DRAM廠,包括力晶、瑞晶和茂德等,自己在日本廣島廠方面,產(chǎn)能都被 Mobile RAM產(chǎn)品擠爆,未來爾必達會大幅加碼消費性電子相關(guān)產(chǎn)品,至于PC相關(guān)產(chǎn)品線多數(shù)會放手給臺廠生產(chǎn)。

  美光 (Micron)方面,未來標準型DRAM生產(chǎn)重心都會交由華亞科,美光會放相當多心力在NAND Flash產(chǎn)品,因為美光自從和英特爾(Intel)合作后,已連續(xù)在34和25納米技術(shù)進度領(lǐng)先三星,市占率持續(xù)增加,未來NAND Flash布局會更積極。再者,美光2010年也購并恒憶(Numonyx),正式進入NOR Flash領(lǐng)域,未來美光產(chǎn)品線多角化布局會越來越明顯。

  在臺廠方面,茂德除積極布局SDRAM領(lǐng)域,與南亞科都不約而同決定搶攻Mobile RAM市場。其中,茂德采用爾必達63納米制程,從128Mb產(chǎn)品切入,規(guī)劃2011年第2季量產(chǎn),未來茂德將專攻低階手機市場,爾必達則專心經(jīng)營品牌市場。

  南亞科亦期望未來能大幅降低PC相關(guān)產(chǎn)品比重,目標是PC和非PC產(chǎn)品比重各半,在Mobile RAM產(chǎn)品在線,南亞科將會從Low-Power DDR/DDR2市場切入,預(yù)計2010年第3季進入試產(chǎn)。



關(guān)鍵詞: Qimonda DRAM SDRAM

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