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電源設(shè)計(jì)技巧:DDR內(nèi)存電源
- CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源...
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電源設(shè)計(jì)小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源
- CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源電壓也隨之降低,從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度,允許系統(tǒng)時鐘頻
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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進(jìn)行處理和分析,研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A/D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn),已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理,則
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ddr介紹
DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存
嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也常看到DDR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]
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