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DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進(jìn)一步下滑

  • 據(jù)國外媒體報道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測,DRAM價格還將進(jìn)一步下降。  使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%,周二時跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。  這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響:第一,DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
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DDR內(nèi)存接口的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 針對當(dāng)今電子系統(tǒng)對高速大容量內(nèi)存的需要,本文闡述了使用DDR控制器IP核來設(shè)計實現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。
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丹納赫傳動宣布專利Cartridge DDR現(xiàn)有五種不同框架尺寸供應(yīng)

  • 2007年6月8日,全球領(lǐng)先的運動控制解決方案提供商——丹納赫傳動(Danaher Motion)公司宣布,其創(chuàng)新的Cartridge DDR™系列直接驅(qū)動旋轉(zhuǎn)伺服電機(jī)(CDDR)新添三種小框架的新產(chǎn)品,因此,現(xiàn)共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機(jī)供應(yīng),每種尺寸各有四個鐵心長度。CDDR是直接驅(qū)動技術(shù)中非常特別的一種,其特點在于采用預(yù)制零部件、完整的工廠對準(zhǔn)型高分辨率反饋裝置和獨特的無軸承設(shè)計,確??梢栽?0分鐘內(nèi)實現(xiàn)即裝即用,且沒有維護(hù)成本。
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低成本DDR內(nèi)存電源設(shè)計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計與驗證

  • 摘要: 本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實際測試。關(guān)鍵詞: 嵌入式系統(tǒng);DDR RAM;FPGA;IP;LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛,數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大,系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加,比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域,圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加,傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求,DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
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減少DDR記憶體驗負(fù)載的探測技術(shù)

  •   DDR內(nèi)存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術(shù),而DDR系統(tǒng)的驗證則是新的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計最具挑戰(zhàn)性且費時的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗證這些系統(tǒng)的重要工具,但在成本與空間的限制下,邏輯分析儀探測技術(shù)變成了一個值得深思的問題。   理想上,DDR的可測試性應(yīng)成為最終設(shè)計的一部份,以利于在測試臺進(jìn)行系統(tǒng)的驗證,因為在整個產(chǎn)品生命周期中的工程設(shè)計與委外代工都會增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點的電氣負(fù)載與空間需求,這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術(shù)使DDR可測試性得以結(jié)合到產(chǎn)品的最初與最終
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端接DDR DRAM的電源電路

  •     DDR(雙數(shù)據(jù)速率)DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時,必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
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存儲器類型綜述及DDR接口設(shè)計的實現(xiàn)

  • 電子系統(tǒng)設(shè)計師很少考慮他們下一個設(shè)計中元器件的成本,而更關(guān)注它們能夠達(dá)到的最高性能。
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可以消除開關(guān)噪聲的DDR內(nèi)存系統(tǒng)電源

  • 本設(shè)計介紹了一種應(yīng)用于DDR內(nèi)存系統(tǒng)的獨特、低成本的電源電路。常規(guī)DDR內(nèi)存系統(tǒng)包括一個雙反向轉(zhuǎn)換器和一個輸出參考電壓。與常規(guī)設(shè)計不同,本文用線性調(diào)節(jié)器代替反向轉(zhuǎn)換器,見圖1,具有消除PWM轉(zhuǎn)換器開關(guān)噪聲的優(yōu)點。DDR內(nèi)存系統(tǒng)要求穩(wěn)定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF),其中VDD、VTT可引出和吸收電流,,這些要求給電源設(shè)計者帶來新挑戰(zhàn)。本電路中,低壓同步反向器產(chǎn)生8A,2.5V的主電源VDD輸出,VTT和VREF通過運放的線性調(diào)節(jié)設(shè)計實現(xiàn)。電路專門為低功耗DDR系統(tǒng)(如p
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ddr介紹

 DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存   嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]

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