ddr 文章進(jìn)入ddr技術(shù)社區(qū)

DRAM價格跌至新低分析師稱還可能進(jìn)一步下滑

據(jù)國外媒體報道，所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌，行業(yè)分析師預(yù)測，DRAM價格還將進(jìn)一步下降。使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%，周二時跌至1.75美元，創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響：第一，DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM DDR DDR2 存儲器

DDR內(nèi)存接口的設(shè)計與實現(xiàn)

針對當(dāng)今電子系統(tǒng)對高速大容量內(nèi)存的需要，本文闡述了使用DDR控制器IP核來設(shè)計實現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。
關(guān)鍵字： DDR 內(nèi)存接口的設(shè)計

丹納赫傳動宣布專利Cartridge DDR現(xiàn)有五種不同框架尺寸供應(yīng)

2007年6月8日，全球領(lǐng)先的運動控制解決方案提供商——丹納赫傳動（Danaher Motion）公司宣布，其創(chuàng)新的Cartridge DDR™系列直接驅(qū)動旋轉(zhuǎn)伺服電機(jī)（CDDR）新添三種小框架的新產(chǎn)品，因此，現(xiàn)共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機(jī)供應(yīng)，每種尺寸各有四個鐵心長度。CDDR是直接驅(qū)動技術(shù)中非常特別的一種，其特點在于采用預(yù)制零部件、完整的工廠對準(zhǔn)型高分辨率反饋裝置和獨特的無軸承設(shè)計，確?？梢栽?0分鐘內(nèi)實現(xiàn)即裝即用，且沒有維護(hù)成本。
關(guān)鍵字： Cartridge DDR 丹納赫消費電子消費電子

低成本DDR內(nèi)存電源設(shè)計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： NCP1570 NCP1571 ONSEMICONDUCTOR DDR

采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計與驗證

摘要：本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實際測試。關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛，數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
關(guān)鍵字： 0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 雜志_設(shè)計天地存儲器

減少DDR記憶體驗負(fù)載的探測技術(shù)

　　DDR內(nèi)存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術(shù)，而DDR系統(tǒng)的驗證則是新的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計最具挑戰(zhàn)性且費時的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗證這些系統(tǒng)的重要工具，但在成本與空間的限制下，邏輯分析儀探測技術(shù)變成了一個值得深思的問題。　　理想上，DDR的可測試性應(yīng)成為最終設(shè)計的一部份，以利于在測試臺進(jìn)行系統(tǒng)的驗證，因為在整個產(chǎn)品生命周期中的工程設(shè)計與委外代工都會增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點的電氣負(fù)載與空間需求，這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術(shù)使DDR可測試性得以結(jié)合到產(chǎn)品的最初與最終
關(guān)鍵字： DDR 測量測試

端接DDR DRAM的電源電路

DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓，并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
關(guān)鍵字：電源電路 DDR DRAM 存儲器

存儲器類型綜述及DDR接口設(shè)計的實現(xiàn)

電子系統(tǒng)設(shè)計師很少考慮他們下一個設(shè)計中元器件的成本，而更關(guān)注它們能夠達(dá)到的最高性能。
關(guān)鍵字： DDR 存儲器接口設(shè)計

可以消除開關(guān)噪聲的DDR內(nèi)存系統(tǒng)電源

本設(shè)計介紹了一種應(yīng)用于DDR內(nèi)存系統(tǒng)的獨特、低成本的電源電路。常規(guī)DDR內(nèi)存系統(tǒng)包括一個雙反向轉(zhuǎn)換器和一個輸出參考電壓。與常規(guī)設(shè)計不同，本文用線性調(diào)節(jié)器代替反向轉(zhuǎn)換器，見圖1，具有消除PWM轉(zhuǎn)換器開關(guān)噪聲的優(yōu)點。DDR內(nèi)存系統(tǒng)要求穩(wěn)定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收電流，，這些要求給電源設(shè)計者帶來新挑戰(zhàn)。本電路中，低壓同步反向器產(chǎn)生8A，2.5V的主電源VDD輸出，VTT和VREF通過運放的線性調(diào)節(jié)設(shè)計實現(xiàn)。電路專門為低功耗DDR系統(tǒng)(如p
關(guān)鍵字： DDR 存儲器

共99條 7/7 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7

ddr介紹

　DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存　　嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]