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賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計研究

  • 嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計研究,DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計人員感到捉襟見肘，特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場合，需要有高速大容量存儲空間的強力支持。因此，需要外接存儲器來擴展DSP的存儲空間。在基于DSP的嵌入式應(yīng)用中，存儲
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利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問題

  • 在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中，需要大量外擴存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機和攝像機中，為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖...
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PDMA在測試SDRAM控制器中的應(yīng)用

  • PDMA在測試SDRAM控制器中的應(yīng)用,我們設(shè)計了一個PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多個IP模塊（圖形處理單元，音頻處理單元等）交換數(shù)據(jù)，采用多個PDMA通道同時訪問Memory可以真實
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電源設(shè)計技巧：DDR內(nèi)存電源

  • CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
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電源設(shè)計小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

  • CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統(tǒng)時鐘頻
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基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計

  • 基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計,RAM通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態(tài)RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  接口  SDRAM  VHDL  基于  

深入研究DDR電源

  • DDR存儲器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計算機、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求 ...
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使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 目前廣泛使用的計算機內(nèi)存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模塊時設(shè)置不同參數(shù)，可以輕而易舉的實現(xiàn)對不同型號的DDR存儲芯片的測試，數(shù)據(jù)率可高達800Mb/s以上。由于時間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多，所以可以極大地節(jié)約測試時間。
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  FPGA  DDR  201109  

SDRAM接口時序和PCB布線長度的分析

  • 隨著系統(tǒng)復(fù)雜度的提高，SDRAM的運行速度也越來越快，對PCB布線帶來了影響，僅僅使用一些經(jīng)驗法則來設(shè)計SDRAM走線并不能完全保證系統(tǒng)的穩(wěn)定。不同的芯片有不同的時序要求，對走線的要求也是有差別，需要從理論上分析SDRAM時序和PCB走線長度之間的關(guān)系。
  • 關(guān)鍵字： SDRAM  PCB  201109  

便攜設(shè)備訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計研究

  • DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計人員感到捉襟見肘，特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場合，需要有高...
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高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計

  • 摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)
  • 關(guān)鍵字： 接口  設(shè)計  DDR2-SDRAM  理系  圖像  處理  高速  

爾必達采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨

  • 　　爾必達存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術(shù)實現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法。
    關(guān)鍵詞：DDR NAN
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式  接口  設(shè)計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  
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ddr-sdram介紹

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