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瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件

  • 　　2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實現(xiàn)業(yè)界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標準*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設備發(fā)射器的功率放大器。 　　這兩種產品可以放大轉換為高頻的音頻信號，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。 　　這兩種產品具有以下特點。
  • 關鍵字： 瑞薩科技  MOSFET  無線設備  發(fā)射器  功率放大器  

高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新 英飛凌專家詳解提升能效秘笈

  • 　　環(huán)境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經使全球有識之士認識到節(jié)能減排提高能效是未來科學技術活動一項長期的任務。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰(zhàn)！”如何應對這項挑戰(zhàn)？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
  • 關鍵字： 英飛凌  半導體  OptiMOS  MOSFET  導通電阻  CanPAK封裝  DirectFET封裝  電源管理  

IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應用的同步降壓轉換器設計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (
  • 關鍵字： IR  同步降壓  轉換器  MOSFET  

Zetex推出新型整流器控制器

  • 　　Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量，縮小電源尺寸和重量，同時簡化整體電路設計。 　　ZXGD3101?有“零點檢測器驅動器”之稱，能準確檢測達到零點
  • 關鍵字： Zetex  捷特科  MOSFET  整流器  控制器  

IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉換器設計

  • ??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應用的同步降壓轉換器設計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器
  • 關鍵字： 國際整流器  同步降壓轉換器  MOSFET  

運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 　　車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達，許多組件的多元應用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。 　　另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無法供電。在遠程傳感器中采用車用金屬氧化半導體場效晶體管（Metal
  • 關鍵字： MOSFET  安全系統(tǒng)  

MOSFET開關軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關軌跡線是判斷MOSFET開關過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關電源的性...
  • 關鍵字： MOSFET  損耗  開關  動態(tài)  截至  飽和  

Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅動器

  • 　　Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。 　　Intersil 公司此次推出的新型驅動器增加了柵極驅動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時間。這將最大限度地降低開關損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
  • 關鍵字： Intersil  MOSFET  驅動器  柵極驅動電流  

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計

  • 　　大功率線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產生技術是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關鍵的技術。隨著現(xiàn)代無線通訊技術的發(fā)展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態(tài)線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。 　　通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規(guī)功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
  • 關鍵字： 放大器  寬帶射頻  MOSFET  

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動器系列

  • 　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動器系列，用于開關電源和電機驅動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動器IC更快，有助于加快開關時間，提高電路效率。 　　該系列包含4款高速非反向柵極驅動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關射極跟隨器配置，實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
  • 關鍵字： Zetex  ZXGD3000  MOSFET  IGBT  

讀取隔離端數字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

  • 　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進行隔離,比如在醫(yī)療產品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應用場合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場參數的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 　　在這些應用中,通常需要采集被隔離電路的數字線上的一些狀態(tài)參數, 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉換時間長(或動態(tài)響應慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉換增益將隨時間減小。 　　采用圖1所示電
  • 關鍵字： Maxim  MOSFET  RC  DATA_IN  

MOSFET音頻輸出級的自偏壓電路(04-100)

  • 　　AB類輸出級精度不高可能有下列幾個原因： 　　·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數的失配。 　　·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。 　　·驅動器工作在不同的溫度。 　　·調整單個放大器偏壓時存在誤差。 　　·老化引起的閾值電壓長期漂移。 　　鑒于上述原因，自然想用控制環(huán)來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設計由下列三部分構成；偏置電流檢
  • 關鍵字： MOSFET  自偏壓電路  

選擇適用于POL架構中功率轉換的 MOSFET

  • 　　對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應用，負載點 (POL) 轉換器已發(fā)展成為面向這些應用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉換器的電流要求將會很明顯地增加。 　　自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構 (DPAs) 從單個“前端轉換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應用中，48V 的輸
  • 關鍵字： POL  MOSFET  

PDP顯示器電源管理架構分析

NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883

  • 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產品采用了全球最小封裝之一的SOT883進行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設備的負載開關。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關速度和非常低的Rds(on)
  • 關鍵字： MOSFET  
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coolsic mosfet介紹

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