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Icera 將收購(gòu)專(zhuān)注于射頻 CMOS 技術(shù)的 Sirific Wireless

  •   英國(guó)布里斯托爾2008年4月7日電 /新華美通/ -- 軟件定義無(wú)線(xiàn)調(diào)制解調(diào)器芯片集領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 Icera Inc. 今天宣布,該公司已經(jīng)與專(zhuān)注于先進(jìn) CMOS 射頻 (RF) 收發(fā)器的無(wú)晶圓廠(chǎng)半導(dǎo)體公司 Sirific Wireless 簽署了一項(xiàng)最終合并協(xié)議。這將使 Icera 能夠?yàn)橐苿?dòng)寬帶市場(chǎng)提供一套完善的芯片集解決方案。行業(yè)分析師預(yù)計(jì)到2012年移動(dòng)寬帶用戶(hù)將從目前的9000萬(wàn)增至13億。       該交易顯著加快了 Icera 產(chǎn)品的上市,并增強(qiáng)了該公司在用于移
  • 關(guān)鍵字: CMOS   射頻  調(diào)制解調(diào)器  Icera   

超低成本手機(jī)的RF設(shè)計(jì)(06-100)

  •   預(yù)計(jì)在末來(lái)幾年超低成本手機(jī)(ULCH)市場(chǎng)會(huì)迅速增長(zhǎng)。RF設(shè)計(jì)將是ULCH的關(guān)鍵。   靈敏度是關(guān)鍵   就系統(tǒng)而言,靈敏度是ULCH的1個(gè)關(guān)鍵參量,它直接涉及到收發(fā)器的性能。這是因?yàn)橄到y(tǒng)靈敏度直接影響所需的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)的投資和實(shí)際用戶(hù)的感受??梢允冀K如一地接收較小信號(hào)的手機(jī)將具有較好的語(yǔ)音清晰度和較少的通話(huà)破壞(如服務(wù)可達(dá)性問(wèn)題和失掉通話(huà))。較好的靈敏度能改善給定蜂窩內(nèi)的手機(jī)有效范圍(包括蜂窩邊沿)并為衰減條件提供較好的抗擾度。ULCH市場(chǎng)的網(wǎng)絡(luò)經(jīng)營(yíng)商可以選擇在基站和相關(guān)基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備中從最小的資
  • 關(guān)鍵字: ULCH  RF  CMOS  

采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)

  •   前言   隨著通用移動(dòng)通信系統(tǒng)(UMTS)網(wǎng)絡(luò)在日本和歐洲實(shí)現(xiàn)商用,市場(chǎng)對(duì)多頻段寬帶碼分多址(W-CDMA)收發(fā)器芯片的要求更加苛刻——除了縮小芯片面積和主板占用空間、減少組件數(shù)量、降低材料成本外,還要求芯片具備足夠的靈活性,不僅要支持工作頻段I,還要支持其他多個(gè)頻段??紤]到UMTS的全雙工性質(zhì),再加上支持所有頻段要求在面積更小的芯片上集成多個(gè)發(fā)射和接收通道,如何最大限度降低這些通道之間的串?dāng)_,就成為一個(gè)非常具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。第一顆采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片直接
  • 關(guān)鍵字: Infineon  CMOS  UMTS  W-CDMA  

小型無(wú)線(xiàn)視頻傳感器設(shè)計(jì)(06-100)

  •   前言   單片無(wú)線(xiàn)電技術(shù)的飛速發(fā)展,小型CMOS圖像傳感器和數(shù)字?jǐn)z像技術(shù)的改進(jìn),造就了新一代無(wú)線(xiàn)圖像傳感器,即一種小型化(體積不足一立方寸)、自主的、高集成的成像器一種能高效,經(jīng)濟(jì)地感知環(huán)境,無(wú)線(xiàn)遙測(cè)圖像的傳感器。本文介紹的分布無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)用的成像器,可廣泛地應(yīng)用于視頻監(jiān)控,醫(yī)學(xué)與化學(xué)分析,貨物跟蹤以及倉(cāng)庫(kù)控制等領(lǐng)域。 ?   圖像傳感器   市場(chǎng)上已有多種CCD與CMOS成像器和集成小型攝像機(jī)。雖然CCD有較高的信噪比,良好的圖像質(zhì)量,但CMOS有可能SoC集成,工作電流小,是一
  • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  無(wú)線(xiàn)  

低功耗、高線(xiàn)性CMOS可編程放大器

  • 摘? 要:針對(duì)接收機(jī)前端中可變?cè)鲆娣糯笃餍枰呔€(xiàn)性處理大信號(hào)的問(wèn)題。分析了使用源極退化電阻以及跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器線(xiàn)性度;設(shè)計(jì)了使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器。它具有更強(qiáng)的跨導(dǎo)增強(qiáng)能力,同時(shí)減小了輸入MOS管跨導(dǎo)由于漏源電壓變化產(chǎn)生的非線(xiàn)性失真。提出了一種對(duì)稱(chēng)的可變電阻結(jié)構(gòu),它降低了MOS管開(kāi)關(guān)帶來(lái)的非線(xiàn)性。仿真結(jié)果表明,放大器在3.3V電源電壓下直流功耗為1.5mW。在1~lOMHz帶寬、3~24dB增益范圍內(nèi),差分輸出信號(hào)峰峰值為3.3V時(shí),總諧波失真低于-60dB。 關(guān)鍵詞:可變?cè)鲆娣糯?/li>
  • 關(guān)鍵字: CMOS 可編程放大器  

CMOS功率放大器技術(shù)優(yōu)化單芯片手機(jī)方案設(shè)計(jì)

CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大器調(diào)零電路性能分析

  •   引言   運(yùn)算放大器的高速性能主要靠?jī)蓚€(gè)重要的參數(shù)來(lái)衡量,即大信號(hào)響應(yīng)時(shí)間和小信號(hào)響應(yīng)時(shí)間。大信號(hào)響應(yīng)時(shí)間由擺率決定,小信號(hào)響應(yīng)則由建立時(shí)間或單位增益帶寬來(lái)決定。提高運(yùn)放速度的方法有多種多樣[1][2][3],折疊式運(yùn)算放大器有功耗較大,折疊點(diǎn)處寄生電容高等缺點(diǎn)[1];采用套筒式運(yùn)放結(jié)構(gòu),如果采用二階結(jié)構(gòu),則會(huì)造成較大的功耗,采用一階結(jié)構(gòu)則會(huì)限制差分輸出擺幅[2];反饋結(jié)構(gòu)放大器也存在問(wèn)題,一是匹配問(wèn)題不易實(shí)現(xiàn),二是電路的輸出跨導(dǎo)受輸出信號(hào)的影響較大[3]。   本文介紹的典型基本二級(jí)運(yùn)算放大器具
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基于LVDS的SerDes芯片簡(jiǎn)化汽車(chē)應(yīng)用中的視頻互聯(lián)

  •   近年來(lái),隨著CMOS成像傳感器和Flash存儲(chǔ)器等產(chǎn)品價(jià)格的日益下降,對(duì)于成像和視頻技術(shù)感興趣的消費(fèi)者數(shù)量在不斷增加。在不久的將來(lái),視頻將在汽車(chē)環(huán)境中的安全性應(yīng)用方面創(chuàng)造價(jià)值,目的在于使我們行駛的路面和駕駛的汽車(chē)都更加安全。   豪華汽車(chē)中已經(jīng)出現(xiàn)防撞系統(tǒng),可以借助環(huán)繞在汽車(chē)周?chē)亩嘟菙z像機(jī),監(jiān)視預(yù)定范圍內(nèi)各種物體對(duì)車(chē)體的靠近情況。在惡劣的環(huán)境中,將這些遠(yuǎn)程攝像機(jī)與用于實(shí)時(shí)分析每個(gè)圖片的集中視頻處理器相連接,會(huì)產(chǎn)生非常實(shí)際的問(wèn)題,尤其是在各個(gè)攝像機(jī)可能生成16位或更高的視頻信息以及多個(gè)控制信號(hào)的情況
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SRC基于CMOS工藝的汽車(chē)?yán)走_(dá)硅芯片取得新進(jìn)展

  • ????? 據(jù)報(bào)道,佛羅里達(dá)州大學(xué)以及半導(dǎo)體研究公司(SRC)在開(kāi)發(fā)基于CMOS工藝技術(shù)的汽車(chē)?yán)走_(dá)集成電路上以及取得進(jìn)展。 ????? 現(xiàn)有的雷達(dá)芯片由昂貴的材料制成,如砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)。據(jù)研究人員透露,用于制造汽車(chē)?yán)走_(dá)的電子電路價(jià)值幾百美元。 ????? 新型的基于硅片的雷達(dá)芯片可能只要10美元就能制造出來(lái),據(jù)佛羅里達(dá)大學(xué)以及SR
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意法半導(dǎo)體通過(guò)CMP為科研機(jī)構(gòu)和設(shè)計(jì)公司提供45納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體制造工藝

  •   意法半導(dǎo)體和CMP (Circuits Multi Projects ?) 宣布,通過(guò)CMP提供的硅中介服務(wù),大學(xué)、科研院所和公司可以使用意法半導(dǎo)體的45納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造工藝進(jìn)行原型設(shè)計(jì)。這項(xiàng)消息在巴黎舉行的CMP用戶(hù)年會(huì)上發(fā)布,會(huì)中集結(jié)了采用CMP多項(xiàng)目晶片服務(wù)的大學(xué)院校、科研機(jī)構(gòu)或私營(yíng)企業(yè)的代表。通過(guò)CMP的服務(wù),他們可以委托芯片廠(chǎng)商小批量制造幾十個(gè)到幾千個(gè)的先進(jìn)集成電路。   45納米CMOS工藝的推出,是延續(xù)ST與CMP授權(quán)大學(xué)使用上一代65納米和90納米CM
  • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 CMP CMOS   200802  

3G大門(mén)開(kāi)啟 IC廠(chǎng)商研發(fā)提速

  •   編者按:2008年3G的覆蓋和推廣將上一層樓。在中國(guó)市場(chǎng),中國(guó)移動(dòng)采購(gòu)了首批3G終端,這預(yù)示著中國(guó)將開(kāi)啟3G的大門(mén)。產(chǎn)業(yè)鏈上游相關(guān)IC公司也開(kāi)始加緊布局,在3G手機(jī)基帶、射頻和電源管理領(lǐng)域不斷推陳出新,來(lái)適合中國(guó)的市場(chǎng)應(yīng)用。   鼎芯通訊(上海)有限公司總裁兼CEO陳凱   增強(qiáng)CMOS和SoC技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力   在3G研發(fā)方面,鼎芯去年的主要工作集中在兩個(gè)方面:一個(gè)是全面推動(dòng)原有射頻-模擬基帶芯片組CL4020/CL4520的產(chǎn)業(yè)化,包括嚴(yán)格的工業(yè)指標(biāo)和客戶(hù)驗(yàn)證;另外一個(gè)是進(jìn)一步的演進(jìn),后續(xù)的產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字: 3G IC CMOS   

光電器件、傳感器迎來(lái)快速增長(zhǎng)期

  •   光電器件、傳感器/激勵(lì)器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市場(chǎng)規(guī)模不大,容易受到市場(chǎng)忽視。但2006-2011期間,預(yù)計(jì)其年平均增長(zhǎng)率約10%,高于整體芯片市場(chǎng)9%的年均增售增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。   本世紀(jì)初期,手機(jī)和其它便攜式產(chǎn)品中顯示屏增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng),包括攝像頭手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的CMOS圖像傳感器、用于鍵盤(pán)背光系統(tǒng)的高亮度白光LED、手機(jī)和其它便攜產(chǎn)品的彩色顯示屏等。多年來(lái),光電器件和分立器件的市場(chǎng)規(guī)模幾乎相等。但是預(yù)計(jì)到這十年末,光電半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將拉開(kāi)與分立器件的距離。   在目前半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中
  • 關(guān)鍵字: 光電器件  傳感器  CMOS  傳感器  

45納米芯片方興未艾 32納米處理器09年登場(chǎng)

  •   中國(guó)芯片制造商中芯國(guó)際(SMIC)宣布,周四公司已經(jīng)對(duì)IBM的45納米集成電路制成技術(shù)加以認(rèn)證。   SMIC說(shuō),公司將會(huì)采用IBM的CMOS技術(shù)制造300毫米晶圓片,這些晶圓片用于SMIC的制造工廠(chǎng)。CMOS,或者說(shuō)金屬氧化物半導(dǎo)體元件,是微處理器所采用的一種主要的集成電路。   公司在一次聯(lián)合聲明中表示,IBM技術(shù)將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動(dòng)電話(huà)的元件,以及其他消費(fèi)設(shè)備。該認(rèn)證技術(shù)預(yù)期將對(duì)SMIC的65納米低端技術(shù)加以補(bǔ)充。   SMIC的總部設(shè)在上海,是中國(guó)最大的晶圓制造
  • 關(guān)鍵字: 芯片  45納米  CMOS  IC  制造制程  

數(shù)字電源――一個(gè)模擬公司的觀(guān)點(diǎn)

  •   現(xiàn)在到處都在談?wù)摂?shù)字電源。新成立的公司和已經(jīng)取得牢固地位的半導(dǎo)體廠(chǎng)商都聲稱(chēng)數(shù)字電源(或者更準(zhǔn)確地說(shuō),是數(shù)字控制開(kāi)關(guān)電源管理集成電路)比模擬為主的產(chǎn)品更勝一籌。他們說(shuō),新的數(shù)字電源具有更高的性能和更低的成本,將取代老式的、早已過(guò)時(shí)的模擬開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。人們將采用通用的數(shù)字CMOS工藝技術(shù),而不再需要專(zhuān)有的模擬工藝技術(shù),同時(shí)還將極大地降低成本。電源管理方式即將發(fā)生變化:要么數(shù)字化;要么請(qǐng)走開(kāi),別再擋路。   我們先花點(diǎn)時(shí)間來(lái)琢磨一下這個(gè)詞?!皵?shù)字電源”或“數(shù)字控制電源”有幾種不同的含意。最簡(jiǎn)單的定義是通過(guò)數(shù)
  • 關(guān)鍵字: 數(shù)字電源  模擬  CMOS  嵌入式  

TTL和CMOS電平總結(jié)

  •   1,TTL電平(什么是TTL電平):  輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是0.4V。   2,CMOS電平:  1邏輯電平電壓接近于電源電壓,0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。   3,電平轉(zhuǎn)換電路:  因?yàn)門(mén)TL和COMS的高低電平
  • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  電平  嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  嵌入式  
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