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cmos+dps
cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區(qū)
單一集成電路形成廉價(jià)的電感測(cè)試儀
- 這個(gè)設(shè)計(jì)思路展示給大家如何去創(chuàng)建一個(gè)可靠、低成本、簡(jiǎn)單的電感測(cè)試儀。這個(gè)測(cè)試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線(xiàn)性區(qū)域通過(guò)電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益,這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門(mén)消耗的功率低,甚至是很小的信號(hào)就是可以驅(qū)動(dòng)輸出端得高低。  
- 關(guān)鍵字: 測(cè)試 測(cè)量 電感 CMOS 緩沖振蕩器 測(cè)試測(cè)量
德州儀器發(fā)布高精度CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列
- 日前,德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列——REF50xx。該系列產(chǎn)品提供的超高精度與系統(tǒng)性能等級(jí),先前只有成本高昂的掩埋齊納技術(shù)才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過(guò)程控制,但是也廣泛適用于多種應(yīng)用,其中包括醫(yī)療儀器、高精度數(shù)據(jù)采集以及測(cè)試與測(cè)量等。 REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍,能夠?yàn)锳DC提供精確的電壓基準(zhǔn),而無(wú)需額外運(yùn)放緩沖器。高精度(0.05%最大
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 德州儀器 CMOS 電壓基準(zhǔn) 嵌入式
Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)
- 日前,Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān),這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號(hào)帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合,可用于眾多開(kāi)關(guān)應(yīng)用,其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨(dú)立選擇的 44V SPST 開(kāi)關(guān),每個(gè)均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度,這兩個(gè)參數(shù)是低失真音頻信號(hào)開(kāi)關(guān)的理想?yún)?shù)。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
- 關(guān)鍵字: Vishay SPST CMOS 開(kāi)關(guān)
富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶(hù)提供全套解決方案
- 富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式會(huì)社、富士通微電子美國(guó)公司(FMA)以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司(Jazz)將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號(hào)專(zhuān)業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合,使兩家公司能夠?yàn)镾oC客戶(hù)提供高性能的客戶(hù)自有工具(COT)代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝,提供給捷智高精度的RF模型
- 關(guān)鍵字: 65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
低電壓CMOS運(yùn)算放大器輸入級(jí)的研究
- 近年來(lái),電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展,需要低電壓、低功耗的集成電路,以延長(zhǎng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個(gè)系統(tǒng)同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此,低電壓、低功耗的要求,不僅是對(duì)數(shù)字集成電路,也同樣針對(duì)于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),通過(guò)合理減小電路尺寸,不難滿(mǎn)足其要求。但是,對(duì)于模擬集成電路,由于場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降,如果采用低電壓供電,將使輸出范圍大大減小,輸出電流的信噪比(S/N)減小,共模抑制比(CMRR)降
- 關(guān)鍵字: CMOS 低電壓 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運(yùn)算放大器 模擬IC 電源
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時(shí),仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān),影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過(guò)HSPICE仿真。此電
- 關(guān)鍵字: CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 鎖定電路
CMOS在大范圍醫(yī)療及其他新型圖形傳感器應(yīng)用中贏(yíng)得市場(chǎng)
- 目前,傳統(tǒng)的電荷耦合設(shè)備(CCD)圖像傳感器技術(shù)已不能滿(mǎn)足工業(yè)及專(zhuān)業(yè)圖像抓?。╥mage capture)應(yīng)用的需要?;跇?biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現(xiàn)出的易集成性在醫(yī)用電子產(chǎn)品行業(yè)中開(kāi)創(chuàng)出了一個(gè)全新領(lǐng)域,為用戶(hù)提供了更多選擇。 從CCD到CMOS:大勢(shì)所趨 在過(guò)去三十年左右的時(shí)間里,CCD技術(shù)一直被用于圖像轉(zhuǎn)換。CCD是一種成熟的技術(shù),能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像,作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數(shù)據(jù)的串行傳輸。為
- 關(guān)鍵字: CMOS 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 圖形傳感器 醫(yī)療 醫(yī)療電子
嵌入式CMOS成像器速度全息數(shù)據(jù)檢索
- 過(guò)去,由于缺乏低成本系統(tǒng)部件,或因全息多路技術(shù)過(guò)于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料,使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)受到限制。現(xiàn)在,已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)類(lèi)屏幕市場(chǎng)的數(shù)字微鏡設(shè)備以及用于高速機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用、基于CMOS的有源像素探測(cè)器陣列將使這種狀況得以改觀(guān)。舉例來(lái)說(shuō),由于微鏡設(shè)備可被有效地用作空間光調(diào)制器(spatial light modulator),因此高速CMOS成像器可用來(lái)讀取全息媒體中包含的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 在傳統(tǒng)光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備中,數(shù)
- 關(guān)鍵字: CMOS 成像器 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)檢索
用于通用X射線(xiàn)應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對(duì)象。該傳感器專(zhuān)為X射線(xiàn)成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì),具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對(duì)角長(zhǎng)度略大于190mm。本文對(duì)傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
- 關(guān)鍵字: CMOS X射線(xiàn) 電源技術(shù) 晶圓級(jí) 模擬技術(shù) 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設(shè)備診斷類(lèi)
OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程
- 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(xiàn)(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開(kāi)始陸續(xù)針對(duì)可攜式等用途產(chǎn)品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù),適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示,該公司未來(lái)將靈活運(yùn)用這一特長(zhǎng),加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路,進(jìn)而與感測(cè)式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容;未來(lái)
- 關(guān)鍵字: OKI SI-CMOS 傳感器 電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程
常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)功能和原理
- 開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。 一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)獨(dú)立的模擬開(kāi)關(guān),每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
- 關(guān)鍵字: CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān) 數(shù)控電阻 電阻 電位器
ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器
- ROHM株式會(huì)社針對(duì)力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品,推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品,并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」,與低功耗型「BU7231G
- 關(guān)鍵字: CMOS ROHM 比較器 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運(yùn)算放大器 模擬IC 電源
cmos+dps介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條cmos+dps!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos+dps的理解,并與今后在此搜索cmos+dps的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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