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三星預(yù)計(jì)今年全球芯片商仍將艱難度日

  • 　　全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預(yù)計(jì)，由于全球經(jīng)濟(jì)形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。 　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報(bào)道，三星電子公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉當(dāng)天對投資者說，很難預(yù)測全球芯片市場何時(shí)回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開支以及消費(fèi)者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機(jī)市場需求正在持續(xù)萎縮。 　　不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預(yù)計(jì)今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  存儲芯片  

恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

  • 　　恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預(yù)計(jì)此項(xiàng)合作將加快當(dāng)前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的eMMC標(biāo)準(zhǔn)的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的整個系統(tǒng)級性能。 　　根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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內(nèi)存行業(yè)或已觸底 現(xiàn)貨漲價(jià)但復(fù)蘇道路漫長

  • 　　《華爾街日報(bào)》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財(cái)報(bào)可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對整個半導(dǎo)體行業(yè)來說是一個積極的信號。 　　雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導(dǎo)體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標(biāo)。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。 　　上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報(bào)告時(shí)稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  NAND  內(nèi)存  

iSuppli：存儲芯片市場恢復(fù)盈利還為時(shí)過早

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。 繼 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

  • 　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計(jì)劃于五月份開始銷售。 　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達(dá)95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應(yīng)用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復(fù)蘇的報(bào)告過于夸張

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。 　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計(jì)將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 　　圖4所示為iSuppli公
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

  • 　　針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運(yùn)狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預(yù)期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預(yù)期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 　　集邦科技表示，市場占有率第三和第
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

  • 　　4月15日消息 據(jù)韓國媒體報(bào)道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應(yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 　　韓國時(shí)報(bào)指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。” 　　部分分析師認(rèn)為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。 　　分析師還指出，N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望

  • 　　IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計(jì)劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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基于ADSP―BF533的μClinux嵌入式系統(tǒng)移植與開發(fā)

  • 基于ADSP―BF533的μClinux嵌入式系統(tǒng)移植與開發(fā),Blackfin處理器是基于由美國模擬器件公司(ADI)和Intel公司聯(lián)合開發(fā)的微信號架構(gòu)(MSA)的首款第4代DSP產(chǎn)品，它是ADI公司16 位產(chǎn)品的一個大系列。這一新產(chǎn)品是專為通信和互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的通用DSP芯片，適合處理廣泛用
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  移植  開發(fā)  嵌入式  Clinux  ADSP  BF533  基于  嵌入式  移植  μC1inux  ADSP-BF533  U-Boot  

FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造

  • 　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?/li>
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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造

  • 　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺能力給予肯定。除了
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業(yè)界稱Windows 7將推動NAND閃存芯片需求

  • 3月21日消息，內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求，因?yàn)檫@種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進(jìn)行了優(yōu)化。在當(dāng)前的市場不確定的情況下，優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應(yīng)Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點(diǎn)。
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NAND多空未明　市場仍在觀望

  •         集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價(jià)格呈現(xiàn)上揚(yáng)，現(xiàn)貨價(jià)格方面卻已經(jīng)開始下跌；然而，目前現(xiàn)貨市場仍處于多空未明狀態(tài)，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿(mào)然搶進(jìn)。         集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)約上漲8%到36%，SLC合約價(jià)則維持平盤，價(jià)格上漲的主要原因是今年首季國際大
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場占有率40%

  •  　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化，2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬美元，2008年則為114億1千8百萬美元，年?duì)I收下跌14.6％，2008年平均銷售價(jià)格較2007年下跌63％。 　　Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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