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自動(dòng)測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案
- 本文提出，CMOS開關(guān)可以取代自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)廠商使用的PhotoMOS?開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。
- 關(guān)鍵字： 自動(dòng)測試設(shè)備 PhotoMOS ADI
Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路
- 前言 Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號(hào)用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴(kuò)展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨(dú)特的光電元件的特點(diǎn)、構(gòu)造、布線等。 FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
- 關(guān)鍵字： Panansonic PhotoMOS MOSFET
Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開發(fā) 隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機(jī)械實(shí)現(xiàn)、并擁有所有觸點(diǎn)構(gòu)成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
- 關(guān)鍵字： Panasonic MOSFET PhotoMOS
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photomos介紹
PhotoMOS是指在輸入元件中采用LED，在輸出元件中采用MOSFET的光電耦合器。由于提高了機(jī)器的可靠性，并實(shí)現(xiàn)了小型化，因此應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。
PhotoMOS與傳統(tǒng)的機(jī)械型繼電器最大的區(qū)別在于：PhotoMOS是一款“光電耦合器”，觸點(diǎn)不進(jìn)行機(jī)械性的開閉。為此，在觸點(diǎn)可靠性、壽命、動(dòng)作聲音、動(dòng)作速度、以及尺寸大小方面具有卓越的特性。
另外，即使是相同的光電耦合器，由于所采用的輸 [ 查看詳細(xì) ]
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