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一種基于LDMOS器件結構優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法
- 吳錦帆（電子科技大學電子科學與工程學院??四川??成都??610054） 摘?要：本文介紹了一種通過改進LDMOS的器件結構，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號指標的方法。在器件仿真環(huán)境中，通過對LDMOS的漂移區(qū)進行結構優(yōu)化，提升器件的小信號增益，然后利用器件等效建模技術，在電路仿真環(huán)境中，搭建出功率放大器進行大信號仿真，在相同的工作條件下功率附加效率提升了約5%左右?！ ￡P鍵詞：LDMOS；功率放大器；功率附加效率 0 引言 橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（RFLDMO
- 關鍵字： 202006 LDMOS 功率放大器 功率附加效率
埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管
- 近日，埃賦隆半導體（Ampleon）現(xiàn)在面向工業(yè)加熱、除霜、等離子照明和醫(yī)療應用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶體管。BLP05H9S500P的工作頻率范圍為423至443MHz，它可在脈沖或連續(xù)波模式下提供高達500W的輸出功率，并實現(xiàn)迄今尚未被開發(fā)利用的75%的典型漏極效率水平。這種一流特性可使所需的制冷量降至最低，同時還可節(jié)省空間和運營成本。此外，該產(chǎn)品還專門設計了輕便的推挽式晶體管放大器，它可以在50V電壓下在所有相位上承受10:1的駐波比(VSWR)，而不會造成損壞或性
- 關鍵字： LDMOS VSWR
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應用實現(xiàn)規(guī)模化、供應安全和快速應對能力
- 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數(shù)據(jù)已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術?！ 」杌壋蔀樯漕l半導體
- 關鍵字： 氮化鎵 LDMOS
意法半導體與遠創(chuàng)達簽署LDMOS技術許可合作協(xié)議
- 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)今天宣布與遠創(chuàng)達科技公司簽署一份LDMOS射頻功率技術許可協(xié)議。遠創(chuàng)達是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導體公司，專業(yè)設計制造射頻功率半導體產(chǎn)品、模塊和子系統(tǒng)集成。 導電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無線通信系統(tǒng)基站射頻功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意法半導體LDMOS產(chǎn)品的應用范圍?！ f(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。
- 關鍵字： 意法半導體 LDMOS
寬頻設計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放
- 隨著人們對數(shù)據(jù)速率要求越來越高，直接導致無線通信系統(tǒng)帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術的進一步可持續(xù)性發(fā)展。2G、3G、4G技術的相繼推出，使移動業(yè)務由單一形態(tài)逐漸過渡到可同時支持語音、數(shù)據(jù)和視頻等多種業(yè)務并舉的盛況。目前，隨著4G市場的蓬勃發(fā)展，中國移動、電信、聯(lián)通都已經(jīng)獲得了4G的牌照，獲得的頻段如下表： 表1：各運營商4G牌照頻段分布 從上表可以看出，4G的頻率范圍大約覆蓋了從1700～2700MHz的頻率，約1GHz的頻率跨度。這對采用
- 關鍵字： 基站 LDMOS
飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個射頻功率產(chǎn)品
- 射頻(RF)功率晶體管領域的全球領導者飛思卡爾半導體日前宣布11個全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市，這個產(chǎn)品可滿足美國國防電子產(chǎn)品應用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務戰(zhàn)略防御計劃發(fā)布的首套產(chǎn)品?！ ★w思卡爾現(xiàn)在為美國國防系統(tǒng)客戶提供與其他市場相當?shù)闹С炙剑箍蛻艨梢詢?yōu)化這些射頻器件的性能，適合雷達、軍用通信和電子戰(zhàn)的應用。這些產(chǎn)品包含在飛思卡爾產(chǎn)品長期供貨計劃中，根據(jù)不同產(chǎn)品可確保最低10年或15年的產(chǎn)品供應。?此外，飛思卡爾射頻國防市場專家組成的專門團隊擁有符合I
- 關鍵字： 飛思卡爾 LDMOS RF 國防
ldmos介紹
橫向擴散金屬氧化物半導體
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技術是為900MHz蜂窩電話技術開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應用，也使得LDMOS的技術不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術。 與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [ 查看詳細 ]
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