fb-dimm 文章進(jìn)入fb-dimm技術(shù)社區(qū)

瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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筆電存儲(chǔ)器新標(biāo)準(zhǔn)，CAMM有望取代SO-DIMM

SO-DIMM（Small Outline DIMM）因小巧尺寸設(shè)計(jì)，適合空間有限的系統(tǒng)，例如筆電、小型工業(yè)電腦、NAS、路由器等。根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)可能將戴爾和英特爾合作開(kāi)發(fā)的CAMM（Compression Attached Memory Module）作為下一代標(biāo)準(zhǔn)，取代SO-DIMM。近日，國(guó)外媒體PCWorld引用戴爾資深工程師、JEDEC委員會(huì)成員Tom Schnell的說(shuō)法表示，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)考慮采用CAMM成為正式標(biāo)準(zhǔn)，并讓其他制造商加以使用。Tom Sc
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存，起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過(guò)在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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只需不到10小時(shí)訓(xùn)練 FB的AI就能教會(huì)機(jī)器人如何開(kāi)瓶

擁有雙臂的機(jī)器人如何去完成像打開(kāi)瓶蓋這樣的任務(wù)呢？按理說(shuō)，應(yīng)該與人類動(dòng)作流程差不多：它需要先用一只手握住瓶子的底部，然后用另一只手抓住瓶蓋并將其擰下來(lái)。這種高層次的步驟序列就是我們所熟知的模式，而且它不受操控對(duì)象的幾何和空間狀態(tài)影響。另外一個(gè)好處是，與旨在通過(guò)學(xué)習(xí)策略來(lái)解決任務(wù)的強(qiáng)化學(xué)習(xí)技術(shù)不同，模式不需要在數(shù)小時(shí)、數(shù)周甚至數(shù)月的學(xué)習(xí)過(guò)程中攝取數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的示例進(jìn)行訓(xùn)練。
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EVG集團(tuán)在融化晶圓鍵合領(lǐng)域取得重大突破，一舉掃清制造3D-IC硅片通道大容量設(shè)備的主要障礙

　　印刷設(shè)備的主要供應(yīng)商，EVG集團(tuán)今日公布了新一代融化晶圓鍵合平臺(tái)GEMINI®FB XT，該平臺(tái)匯集多項(xiàng)技術(shù)突破，令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。新平臺(tái)晶圓對(duì)晶圓排列精度是過(guò)去標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺(tái)還為半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導(dǎo)體行業(yè)能夠在未來(lái)不斷提升設(shè)備密度，強(qiáng)化設(shè)備機(jī)能，同時(shí)又無(wú)需求助于越發(fā)昂貴復(fù)雜的光刻工藝技術(shù)。　　晶圓對(duì)晶圓鍵合是激活諸如堆疊式內(nèi)存，邏輯記
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器

　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€(gè)通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控?！　⌒碌膬?nèi)插器的設(shè)計(jì)是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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力科新288腳DDR4內(nèi)插器配合Kibra 480協(xié)議分析儀

　　Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€(gè)通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控。　　新的內(nèi)插器的設(shè)計(jì)是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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一種嵌入式視頻記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

一種嵌入式視頻記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),20世紀(jì)90年代以來(lái)數(shù)字多媒體技術(shù)取得了飛速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用，超大規(guī)模集成電路及專用視頻壓縮處理芯片隨之迅速發(fā)展，同時(shí)隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的容量也越來(lái)越大，這為研制數(shù)字化的音視頻記錄系
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Primarion推出一款數(shù)字式多相功率控制器

　　英飛凌科技旗下的子公司Primarion，為當(dāng)今的先進(jìn)計(jì)算和通信市場(chǎng)推出PX3684——一款數(shù)字式多相功率控制器。　　PX3684的相位調(diào)節(jié)控制是基于所插入的雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）的數(shù)量，當(dāng)DIMM的數(shù)量低于所允許的最大值時(shí)，它可優(yōu)化系統(tǒng)效率。當(dāng)增加DIMM時(shí)，可以啟用額外的相位，以增加基于PX3684的系統(tǒng)當(dāng)前的處理能力，從而驅(qū)動(dòng)更多的DIMM插槽。　　PX3684支持兩種模式的相位調(diào)節(jié)控制：用戶控制和自主控制。在用戶控制模式下，系統(tǒng)主控制器將通過(guò)控制器的I2C
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奇夢(mèng)達(dá)推出節(jié)能型FB-DIMM

奇夢(mèng)達(dá)公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組（FB-DIMM），該模組技術(shù)是推動(dòng)下一代多核服務(wù)器性能的重要技術(shù)，同時(shí)還可降低服務(wù)器的功耗。這些領(lǐng)先的FB-DIMM模組進(jìn)一步壯大了奇夢(mèng)達(dá)本已非常廣博的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務(wù)器和高性能計(jì)算機(jī)工作站應(yīng)用日益增長(zhǎng)的要求。奇夢(mèng)達(dá)的新款FB-DIMM模組的速率最快可達(dá)800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時(shí)候面市的下一代服務(wù)器的性能。在800 MHz模組中，每條高速通道的帶寬為4.8&nb
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fb-dimm介紹

　　FB-DIMM 　　FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM，全緩沖內(nèi)存模組)是Intel在DDR2、DDR3的基礎(chǔ)上發(fā)展出來(lái)的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu)，既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯片，也可以搭配未來(lái)的DDR3內(nèi)存芯片。FB-DIMM可以極大地提升系統(tǒng)內(nèi)存帶寬并且極大地增加內(nèi)存最大容量。　　目錄　　1簡(jiǎn)介　　2優(yōu)點(diǎn) 　　3詳細(xì)介紹　　4評(píng)價(jià) 　　1簡(jiǎn)介 [ 查看詳細(xì) ]