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外媒稱臺積電已開始安裝3nm生產(chǎn)線 早于此前預期

  • 據(jù)國外媒體報道，在5nm工藝順利量產(chǎn)之后，芯片代工商臺積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點，已經(jīng)放在了更先進的3nm和2nm上。5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面，臺積電是計劃在2021年風險試產(chǎn)，2022年上半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。在3nm生產(chǎn)線方面，外媒在今年3月底的報道中，是表示臺積電在今年10月份就會開始安裝相關的生產(chǎn)設備。而在最新的報道中，出現(xiàn)了臺積電已提前開始安裝3nm生產(chǎn)線的消息。外媒在報道中表示，臺積電已經(jīng)開始安裝3nm生產(chǎn)線及相關的設施，正在按進度推進。包括創(chuàng)始人張忠謀、現(xiàn)任CEO魏哲家在內(nèi)的
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  

臺積電3nm細節(jié)公布：2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

  • 近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節(jié)詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2．5億／mm2！
  • 關鍵字： 臺積電  晶體管  3nm  

臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術 2021年試產(chǎn)

  • 盡管2020年全球半導體行業(yè)會因為疫情導致下滑,但臺積電的業(yè)績不降反升,掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預定在2022年下半年量產(chǎn)。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過這個技術會議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會議上才首次對外公布3nm工藝的技術信息及進度。臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預期,并沒有受到疫情影響,預計在2021年進入風險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術路線上,臺積電評估多種選擇后
  • 關鍵字： 三星  CPU處理器  臺積電  3nm  

外媒：臺積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設備

  • 據(jù)國外媒體報道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報道顯示，臺積電今年4月份就將開始為相關客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，臺積電也將注意力放在了更先進的3nm工藝上。在最新的報道中，外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個重要節(jié)點。在2019年第四季度的財報分析師電話會
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  

面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機曝光

  • 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
  • 關鍵字： 3nm  EUV  

Intel最新制程路線圖曝光：10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設備會議上），有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖，14nm之后的節(jié)點一覽無余，甚至推進到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開發(fā)階段，5nm處于技術指標定義階段，3nm處于探索、先導階
  • 關鍵字： 英特爾  10nm  7nm  5nm  3nm  

三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進度都會比臺積電要晚一些，導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標放在了未來的3nm工藝上，預計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
  • 關鍵字： CPU處理器，3nm  

臺積電：3nm工藝進展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導體工藝上，臺積電一直十分激進，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術定義，3nm將在未來進一步深化臺積電的領導地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒有給出任何技術細節(jié)，以及性能、功耗指標，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點，而不是5nm的改進版。臺積電只是說，已經(jīng)評估了3n
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  

國產(chǎn)3nm半導體來了？只是學術進展

  • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實現(xiàn)了3nm半導體工藝的突破性進展，香港《南華早報》稱中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學的限制。
  • 關鍵字： 3nm  半導體  

臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥，臺積電一家就占了全球50-60%的份額，幾乎吃下所有7nm先進訂單。不過今年遇到了半導體市場熊市，臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑，凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝，預計會在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
  • 關鍵字： 臺積電  Q1  7/5/3nm  

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機、存儲芯片業(yè)務陷入競爭不利或者跌價的困境之時，三星也將業(yè)務重點轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。
  • 關鍵字： 三星  3nm  

三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導體極限

  • 在半導體晶圓代工市場上，臺積電TSMC是全球一哥，一家就占據(jù)了全球50%以上的份額，而且率先量產(chǎn)7nm等先進工藝，官方表示該工藝領先友商一年時間，明年就會量產(chǎn)5nm工藝。在臺積電之外，三星也在加大先進工藝的追趕，目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點，下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼臺積電，而且會一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
  • 關鍵字： 三星  臺積電  3nm  

3nm爭奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時超出了我等普通人的想象，今年臺積電才開始量產(chǎn)7nm，計劃明年量產(chǎn)5nm，這不3nm又計劃在2022年實現(xiàn)量產(chǎn)，這樣的大踏步前進可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
  • 關鍵字： 3nm  臺積電  

看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術

  • 　　每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內(nèi)存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學現(xiàn)象、光電工程、
  • 關鍵字： DRAM  GAA-FET  

三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm

  • 　　5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！　?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導體工藝技術。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！　∪潜硎荆?7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
  • 關鍵字： 三星  芯片  3nm  
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