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消息稱英特爾計劃與臺積電敲定3nm芯片生產(chǎn)計劃

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,英特爾高管正準備訪問芯片代工巨頭臺積電,以求敲定3納米芯片的生產(chǎn)計劃,避免與蘋果公司爭奪產(chǎn)能。最新消息呼應了之前的傳聞,即英特爾正在考慮將生產(chǎn)外包給臺積電,并稱未來幾周雙方將舉行會談。有報道稱兩家公司的高管將在本月中旬會面,專門洽談3nm工藝代工事宜,雙方還將探討2nm工藝的合作。英特爾始終堅持自己制造CPU,但近年來在這方面落后于臺積電,其CPU不僅功耗高,而且效率更低。這促使蘋果致力于逐步淘汰用于Mac的英特爾芯片,并計劃用自主研發(fā)的Apple Silicon取而代之。英特爾是目前
  • 關鍵字: 英特爾  臺積電  3nm  芯片  

傳臺積電開始試產(chǎn)3納米芯片,2023年款iPhone有望應用

  •   12月3日消息,蘋果芯片制造合作伙伴臺積電目前已經(jīng)開始試產(chǎn)3納米芯片,預計將在明年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn),這種芯片2023年有望出現(xiàn)在蘋果最新款的iPhone智能手機中?! ?jù)業(yè)內(nèi)人士透露,臺積電已在旗下晶圓廠Fab 18廠開始利用3納米制程工藝進行芯片的試生產(chǎn),并計劃在2022年第四季度前實現(xiàn)量產(chǎn)?! ∩显掠袌蟮婪Q,蘋果將在Mac、iPhone和iPad上使用3納米芯片。盡管有傳言稱2022年發(fā)布的iPhone 14會采用3納米芯片,但新報道稱預計將從2023年推出的新款iPhone和Mac開始。  目前
  • 關鍵字: 臺積電  蘋果  3nm  

決戰(zhàn)3nm —— 三星和臺積電誰會最先沖過終點線?

  • 隨著近年來芯片制造巨頭在半導體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯 ,先進制程正成為全球各國科技角力場的最前線。而最新的戰(zhàn)火,已經(jīng)燒到3nm制程。TrendForce數(shù)據(jù)最新顯示,目前臺積電的市場份額接近52.9%,是全球最大的芯片代工企業(yè),而三星位居第二,市場份額為17.3%。在近幾個季度的財報會議上,臺積電總裁魏哲家就透露,3nm晶圓片計劃今年下半年風險試產(chǎn),明年可實現(xiàn)量產(chǎn)。而三星也一直對3nm工藝寄予厚望,不僅在多年前就已開始投入研發(fā)事宜,更在今年上半年宣布預備投入1160億美元研發(fā)和生產(chǎn)3nm制程,以期趕超臺積電
  • 關鍵字: 3nm  三星  臺積電  

領先蘋果!Intel 3nm處理器曝光 性能提升10~15%

  • 近日,據(jù)最新消息顯示,臺積電供應鏈透露,Intel將領先蘋果,率先采用臺積電3nm制程生產(chǎn)繪圖芯片、服務器處理器。同時,報告中還顯示,明年Q2開始在臺積電18b廠投片,明年7月量產(chǎn),實際量產(chǎn)時間較原計劃提早一年。    在此之前就有消息稱,Intel已經(jīng)規(guī)劃了至少兩款基于臺積電3nm工藝的芯片產(chǎn)品,分別是筆記本CPU和服務器CPU,最快2022年底投入量產(chǎn)。按照臺積電之前的說法,相較于5nm,3nm工藝性能提升10~15%,功耗降低了25~30%。    除此之外,
  • 關鍵字: Intel  3nm  處理器  

為技術找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新

  • 觀察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術趨勢,可以從新的半導體技術來著眼?;旧习雽w技術可以分為三大類,第一類是獨立電子、計算機和通訊技術,基礎技術是CMOS FinFET。在今天,最先進的是5奈米生產(chǎn)制程,其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術,逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道,目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作,正在開發(fā)下一代3/2奈米,在那里我們會看到一種新的突破,因為他們最有可能轉(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
  • 關鍵字: CMOS FinFET  ST  

中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬片

  • 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況,表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn),每月1.5萬片,客戶不斷進來。在最近的財報電話會上,中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況,表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn),每月1.5萬片,客戶多樣化,不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài),客戶不斷進來?!备鶕?jù)之前的報道,中芯國際的FinFET工藝有多種類型,其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm,目前1.5萬片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝,第二代則是n+1、n+2工藝,已
  • 關鍵字: 中芯國際  FinFET  

蘋果A16處理器或不再首發(fā)臺積電3nm工藝

  • 我們知道,蘋果的A系列處理器一般來說都是每年首發(fā)臺積電最新工藝,不過,根據(jù)爆料,在3nm節(jié)點上,蘋果的A16處理器或不再首發(fā)跟進,會繼續(xù)用5nm改進的4nm工藝,3nm處理器可能會在iPad上首發(fā)。另一方面,臺積電的3nm工藝(代號N3)也確實跳票了,此前的財報會上,臺積電表示,與5nm和7nm相比,3nm確實有3-4個月的延遲。臺積電稱,事實上3nm工藝無論在客戶產(chǎn)品設計還是加工工藝上都很復雜,他們也在與客戶密切溝通以最好地滿足他們的需求。據(jù)了解,N3計劃2021年進行風險生產(chǎn),2022年下半年開始量產(chǎn)
  • 關鍵字: 蘋果  A16  臺積電  3nm  

三星3nm工藝正式發(fā)流片:采用GAA架構

  •   據(jù)外媒報道,三星宣布3nm工藝技術已正式發(fā)流片。據(jù)報道,三星的3mm工藝采用GAA架構,性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構?! 蟾娣Q,三星在3納米工藝中的流片進展是與新思科技合作完成的,旨在加快為GAA架構的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結(jié)構,而不是臺積電或英特爾采用的FinFET結(jié)構。因此,三星采用新思科技的Fusion Design Platform?! ≡诩夹g性能方面,基于GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性,可以滿足一定柵極寬度的要求。這主
  • 關鍵字: 三星  3nm    

3nm工藝太貴 臺積電被投行看衰:失去關鍵優(yōu)勢

  •   作為全球第一大晶圓代工廠,尤其是率先量產(chǎn)了先進的7nm、5nm工藝之后,臺積電已經(jīng)成為影響全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)。接下來臺積電還會量產(chǎn)3nm工藝,然而海外投資者這時候看衰臺積電,認為3nm節(jié)點太貴,臺積電將失去關鍵優(yōu)勢?! ∨_積電現(xiàn)在業(yè)績正佳,不少投行都是看好未來的,但也有投行發(fā)表了相反的看法,認為臺積電被高估了,將其股價評級為中性,目標股價下調(diào)到580新臺幣,比其他同行的目標價少了20%左右。  臺積電被看衰的一個重要因素就是3nm工藝,原來臺積電預計2022年量產(chǎn)3nm工藝,最近有傳聞說是會延期
  • 關鍵字: 晶圓廠  臺積電  3nm    

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構

曝華為正研發(fā)3nm芯片:麒麟9010正在設計

  • 相關數(shù)據(jù)表明,近日華為技術有限公司申請注冊“麒麟處理器”商標,申請時間為上個月22日,目前狀態(tài)為“注冊申請中”。華為的芯片并沒有停止研發(fā),而是緊鑼密鼓的設計中,等待著機會卷土重來。華為徐直軍前不久也表示稱,海思的任何芯片現(xiàn)在沒有地方加工,作為華為的芯片設計部分,它并非追求盈利公司,但華為對其沒有盈利訴求,隊伍將會一直持續(xù)的存在。目前海思依然不斷做研究,繼續(xù)開發(fā)、繼續(xù)積累,為未來做些準備。而更加重磅的消息是,華為的最新3nm芯片已經(jīng)開始研發(fā)和設計了,最終命名為麒麟9010,然而從制造廠來看,目前臺積電的3n
  • 關鍵字: 華為  3nm  麒麟9010  

臺積電最新進展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

  • 全球最大的晶圓代工廠,擁有近500個客戶,這就是他們的獨特之處。一方面,公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務;另一方面,就容量和技術而言,他們必須領先于其他任何人;就產(chǎn)能而言,臺積電(TSMC)是不接受任何挑戰(zhàn),而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預算中,約有80%將用于擴展先進技術的產(chǎn)能,例如3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為,到今年年底,先進節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大,擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動(WSP
  • 關鍵字: 2nm  3nm  晶圓  代工  

華為“捷足先登”?英特爾新技術突破3nm限制,華為早就提出過

  • 近十年以來,隨著互聯(lián)網(wǎng)技術的快速更新和以智能手機為代表的智能化產(chǎn)品的快速普及,芯片作為其中的關鍵材料,同樣迎來了發(fā)展的高速期,成功從昔日的100nm工藝制程發(fā)展到5nm工藝制程,這一速度令所有人驚訝。然而5nm并不是人們追求的最終目標。就目前而言,5nm芯片雖然在性能上有著卓越的表現(xiàn),但距離理想狀態(tài)還是有著一定的差距,人們也在此基礎上對其進一步研發(fā),以提高芯片工藝制程水平,讓芯片為未來的智能化產(chǎn)品提供更為優(yōu)良的基礎。前不久,三星就成功展示了自己已經(jīng)出具成果的3nm芯片,臺積電之后肯定會緊隨其后。毫無疑問,
  • 關鍵字: 華為  英特爾  3nm  

三星率先發(fā)布3nm芯片,日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm

  • 關于芯片,大多數(shù)小伙伴了解到的,當下最先進的生產(chǎn)工藝是5nm,當然也一直流傳臺積電正在研發(fā)3納米,甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺積電一直在技術上處于領先地位,可誰也沒想到的是,三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過去不久的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上,三星首發(fā)應用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片,將半導體工藝再度推上一個進程,國際固態(tài)電路大會我在之前的視頻里提到過好多次,是世界最權威的行業(yè)會議,所以這也證明的三星的技術實力真的很強。而我國目前在生產(chǎn)工藝上,最厲害的中芯國際也只停留在今年可以實現(xiàn)7nm試
  • 關鍵字: 三星  3nm  

臺積電 3nm 制程本月已試產(chǎn),量產(chǎn)時程將提前

  • 3月30日消息去年 8 月,臺積電總裁魏哲家在臺積電技術論壇上表示,3nm 預計 2021 年試產(chǎn),將于 2022 年下半年量產(chǎn)。  據(jù)財聯(lián)社,供應鏈消息傳出,臺積電 3nm 制程進展順利,試產(chǎn)進度優(yōu)于預期,已于 3 月開始風險性試產(chǎn)并小量交貨?! ∨_積電對此消息回應稱,不評論市場傳聞?!   T之家了解到,臺積電董事長劉德音此前透露 3nm 按計劃時程發(fā)展,進度甚至較原先預期超前。  據(jù)臺媒Digitimes 此前報道,臺積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程,原本預計 2021 年第四季度試產(chǎn),2
  • 關鍵字: 臺積電  3nm  
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