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消息稱英特爾計劃與臺積電敲定3nm芯片生產(chǎn)計劃

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，英特爾高管正準備訪問芯片代工巨頭臺積電，以求敲定3納米芯片的生產(chǎn)計劃，避免與蘋果公司爭奪產(chǎn)能。最新消息呼應了之前的傳聞，即英特爾正在考慮將生產(chǎn)外包給臺積電，并稱未來幾周雙方將舉行會談。有報道稱兩家公司的高管將在本月中旬會面，專門洽談3nm工藝代工事宜，雙方還將探討2nm工藝的合作。英特爾始終堅持自己制造CPU，但近年來在這方面落后于臺積電，其CPU不僅功耗高，而且效率更低。這促使蘋果致力于逐步淘汰用于Mac的英特爾芯片，并計劃用自主研發(fā)的Apple Silicon取而代之。英特爾是目前
  • 關鍵字： 英特爾  臺積電  3nm  芯片  

傳臺積電開始試產(chǎn)3納米芯片，2023年款iPhone有望應用

  • 　　12月3日消息，蘋果芯片制造合作伙伴臺積電目前已經(jīng)開始試產(chǎn)3納米芯片，預計將在明年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)，這種芯片2023年有望出現(xiàn)在蘋果最新款的iPhone智能手機中?！　?jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電已在旗下晶圓廠Fab 18廠開始利用3納米制程工藝進行芯片的試生產(chǎn)，并計劃在2022年第四季度前實現(xiàn)量產(chǎn)?！　∩显掠袌蟮婪Q，蘋果將在Mac、iPhone和iPad上使用3納米芯片。盡管有傳言稱2022年發(fā)布的iPhone 14會采用3納米芯片，但新報道稱預計將從2023年推出的新款iPhone和Mac開始。　　目前
  • 關鍵字： 臺積電  蘋果  3nm  

決戰(zhàn)3nm —— 三星和臺積電誰會最先沖過終點線？

  • 隨著近年來芯片制造巨頭在半導體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯 ，先進制程正成為全球各國科技角力場的最前線。而最新的戰(zhàn)火，已經(jīng)燒到3nm制程。TrendForce數(shù)據(jù)最新顯示，目前臺積電的市場份額接近52.9%，是全球最大的芯片代工企業(yè)，而三星位居第二，市場份額為17.3%。在近幾個季度的財報會議上，臺積電總裁魏哲家就透露，3nm晶圓片計劃今年下半年風險試產(chǎn)，明年可實現(xiàn)量產(chǎn)。而三星也一直對3nm工藝寄予厚望，不僅在多年前就已開始投入研發(fā)事宜，更在今年上半年宣布預備投入1160億美元研發(fā)和生產(chǎn)3nm制程，以期趕超臺積電
  • 關鍵字： 3nm  三星  臺積電  

領先蘋果！Intel 3nm處理器曝光 性能提升10~15%

  • 近日，據(jù)最新消息顯示，臺積電供應鏈透露，Intel將領先蘋果，率先采用臺積電3nm制程生產(chǎn)繪圖芯片、服務器處理器。同時，報告中還顯示，明年Q2開始在臺積電18b廠投片，明年7月量產(chǎn)，實際量產(chǎn)時間較原計劃提早一年。    在此之前就有消息稱，Intel已經(jīng)規(guī)劃了至少兩款基于臺積電3nm工藝的芯片產(chǎn)品，分別是筆記本CPU和服務器CPU，最快2022年底投入量產(chǎn)。按照臺積電之前的說法，相較于5nm，3nm工藝性能提升10~15%，功耗降低了25~30%。    除此之外，
  • 關鍵字： Intel  3nm  處理器  

為技術找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新

  • 觀察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼?；旧习雽w技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
  • 關鍵字： CMOS FinFET  ST  

中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬片

  • 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進來?！备鶕?jù)之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
  • 關鍵字： 中芯國際  FinFET  

蘋果A16處理器或不再首發(fā)臺積電3nm工藝

  • 我們知道，蘋果的A系列處理器一般來說都是每年首發(fā)臺積電最新工藝，不過，根據(jù)爆料，在3nm節(jié)點上，蘋果的A16處理器或不再首發(fā)跟進，會繼續(xù)用5nm改進的4nm工藝，3nm處理器可能會在iPad上首發(fā)。另一方面，臺積電的3nm工藝（代號N3）也確實跳票了，此前的財報會上，臺積電表示，與5nm和7nm相比，3nm確實有3-4個月的延遲。臺積電稱，事實上3nm工藝無論在客戶產(chǎn)品設計還是加工工藝上都很復雜，他們也在與客戶密切溝通以最好地滿足他們的需求。據(jù)了解，N3計劃2021年進行風險生產(chǎn)，2022年下半年開始量產(chǎn)
  • 關鍵字： 蘋果  A16  臺積電  3nm  

三星3nm工藝正式發(fā)流片：采用GAA架構

  • 　　據(jù)外媒報道，三星宣布3nm工藝技術已正式發(fā)流片。據(jù)報道，三星的3mm工藝采用GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構?！　蟾娣Q，三星在3納米工藝中的流片進展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結(jié)構，而不是臺積電或英特爾采用的FinFET結(jié)構。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform?！　≡诩夹g性能方面，基于GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿足一定柵極寬度的要求。這主
  • 關鍵字： 三星  3nm    

3nm工藝太貴 臺積電被投行看衰：失去關鍵優(yōu)勢

  • 　　作為全球第一大晶圓代工廠，尤其是率先量產(chǎn)了先進的7nm、5nm工藝之后，臺積電已經(jīng)成為影響全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)。接下來臺積電還會量產(chǎn)3nm工藝，然而海外投資者這時候看衰臺積電，認為3nm節(jié)點太貴，臺積電將失去關鍵優(yōu)勢?！　∨_積電現(xiàn)在業(yè)績正佳，不少投行都是看好未來的，但也有投行發(fā)表了相反的看法，認為臺積電被高估了，將其股價評級為中性，目標股價下調(diào)到580新臺幣，比其他同行的目標價少了20%左右。　　臺積電被看衰的一個重要因素就是3nm工藝，原來臺積電預計2022年量產(chǎn)3nm工藝，最近有傳聞說是會延期
  • 關鍵字： 晶圓廠  臺積電  3nm    

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構

曝華為正研發(fā)3nm芯片：麒麟9010正在設計

  • 相關數(shù)據(jù)表明，近日華為技術有限公司申請注冊“麒麟處理器”商標，申請時間為上個月22日，目前狀態(tài)為“注冊申請中”。華為的芯片并沒有停止研發(fā)，而是緊鑼密鼓的設計中，等待著機會卷土重來。華為徐直軍前不久也表示稱，海思的任何芯片現(xiàn)在沒有地方加工，作為華為的芯片設計部分，它并非追求盈利公司，但華為對其沒有盈利訴求，隊伍將會一直持續(xù)的存在。目前海思依然不斷做研究，繼續(xù)開發(fā)、繼續(xù)積累，為未來做些準備。而更加重磅的消息是，華為的最新3nm芯片已經(jīng)開始研發(fā)和設計了，最終命名為麒麟9010，然而從制造廠來看，目前臺積電的3n
  • 關鍵字： 華為  3nm  麒麟9010  

臺積電最新進展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

  • 全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個客戶，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務；另一方面，就容量和技術而言，他們必須領先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預算中，約有80％將用于擴展先進技術的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為，到今年年底，先進節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大，擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動（WSP
  • 關鍵字： 2nm  3nm  晶圓  代工  

華為“捷足先登”？英特爾新技術突破3nm限制，華為早就提出過

  • 近十年以來，隨著互聯(lián)網(wǎng)技術的快速更新和以智能手機為代表的智能化產(chǎn)品的快速普及，芯片作為其中的關鍵材料，同樣迎來了發(fā)展的高速期，成功從昔日的100nm工藝制程發(fā)展到5nm工藝制程，這一速度令所有人驚訝。然而5nm并不是人們追求的最終目標。就目前而言，5nm芯片雖然在性能上有著卓越的表現(xiàn)，但距離理想狀態(tài)還是有著一定的差距，人們也在此基礎上對其進一步研發(fā)，以提高芯片工藝制程水平，讓芯片為未來的智能化產(chǎn)品提供更為優(yōu)良的基礎。前不久，三星就成功展示了自己已經(jīng)出具成果的3nm芯片，臺積電之后肯定會緊隨其后。毫無疑問，
  • 關鍵字： 華為  英特爾  3nm  

三星率先發(fā)布3nm芯片，日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm

  • 關于芯片，大多數(shù)小伙伴了解到的，當下最先進的生產(chǎn)工藝是5nm，當然也一直流傳臺積電正在研發(fā)3納米，甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺積電一直在技術上處于領先地位，可誰也沒想到的是，三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過去不久的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，三星首發(fā)應用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片，將半導體工藝再度推上一個進程，國際固態(tài)電路大會我在之前的視頻里提到過好多次，是世界最權威的行業(yè)會議，所以這也證明的三星的技術實力真的很強。而我國目前在生產(chǎn)工藝上，最厲害的中芯國際也只停留在今年可以實現(xiàn)7nm試
  • 關鍵字： 三星  3nm  

臺積電 3nm 制程本月已試產(chǎn)，量產(chǎn)時程將提前

  • 3月30日消息去年 8 月，臺積電總裁魏哲家在臺積電技術論壇上表示，3nm 預計 2021 年試產(chǎn)，將于 2022 年下半年量產(chǎn)。　　據(jù)財聯(lián)社，供應鏈消息傳出，臺積電 3nm 制程進展順利，試產(chǎn)進度優(yōu)于預期，已于 3 月開始風險性試產(chǎn)并小量交貨?！　∨_積電對此消息回應稱，不評論市場傳聞?！　　　T之家了解到，臺積電董事長劉德音此前透露 3nm 按計劃時程發(fā)展，進度甚至較原先預期超前。　　據(jù)臺媒Digitimes 此前報道，臺積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程，原本預計 2021 年第四季度試產(chǎn)，2
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  
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