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格芯針對人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案

  • 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時間。
  • 關(guān)鍵字： 格芯  人工智慧應(yīng)用  12LP+ FinFET  

三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會比臺積電要晚一些，導(dǎo)致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠(yuǎn)了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來，與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來進(jìn)一步深化臺積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺積電只是說，已經(jīng)評估了3n
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國產(chǎn)3nm半導(dǎo)體來了？只是學(xué)術(shù)進(jìn)展

  • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實(shí)現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展，香港《南華早報》稱中科院微電子所團(tuán)隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當(dāng)于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
  • 關(guān)鍵字： 3nm  半導(dǎo)體  

臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥，臺積電一家就占了全球50-60%的份額，幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過今年遇到了半導(dǎo)體市場熊市，臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑，凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝，預(yù)計會在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  Q1  7/5/3nm  

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機(jī)、存儲芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價的困境之時，三星也將業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。
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三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導(dǎo)體極限

  • 在半導(dǎo)體晶圓代工市場上，臺積電TSMC是全球一哥，一家就占據(jù)了全球50%以上的份額，而且率先量產(chǎn)7nm等先進(jìn)工藝，官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時間，明年就會量產(chǎn)5nm工藝。在臺積電之外，三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕，目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn)，下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼臺積電，而且會一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
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3nm爭奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時超出了我等普通人的想象，今年臺積電才開始量產(chǎn)7nm，計劃明年量產(chǎn)5nm，這不3nm又計劃在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這樣的大踏步前進(jìn)可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
  • 關(guān)鍵字： 3nm  臺積電  

Mentor 擴(kuò)展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)

  • 　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認(rèn)證。此外，Mentor 還繼續(xù)擴(kuò)展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產(chǎn)品的功能，以支持 TSMC 的高級封裝產(chǎn)品。　　TSMC 設(shè)
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格芯擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現(xiàn)未來智能系統(tǒng)

  • 　　格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無二的設(shè)計、開發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動應(yīng)用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強(qiáng)差異化投資的全新側(cè)重點(diǎn)之一，功能豐富的半導(dǎo)體平臺為下一代計算應(yīng)用提供具有競爭力的性能和可擴(kuò)展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長市場(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動駕駛汽車)應(yīng)用提供更好的可擴(kuò)展性和性
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三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm

  • 　　5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！　?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝。　　三星表示，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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從7nm到3nm GAA，三星為何激進(jìn)地采用EUV？

  • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費(fèi)用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
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GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點(diǎn)基礎(chǔ)上，向外擴(kuò)展應(yīng)用領(lǐng)域

  • 　　自從28納米制程節(jié)點(diǎn)向下轉(zhuǎn)進(jìn)以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進(jìn)制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉(zhuǎn)進(jìn)16/14納米先進(jìn)制程過程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權(quán)，更成功將該節(jié)點(diǎn)制程落實(shí)在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達(dá)到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
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格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā)，接下來要發(fā)大招？

  • 和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。
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FinFET對動態(tài)功耗的影響

  • 現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀(jì)錄的速度實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因?yàn)榕c平面器件相
  • 關(guān)鍵字： FinFET  動態(tài)功耗  
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