国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

  • IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  V-NAND  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

  • 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
  • 關(guān)鍵字： 3D DRAM  泛林  

基于NAND門的行李安全警報

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔(dān)心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護(hù)我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔(dān)心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當(dāng)有人試圖提起你的行李時，它就會發(fā)出警報，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
  • 關(guān)鍵字： NAND  邏輯門  

被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
  • 關(guān)鍵字： NAND  3D NAND  

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
  • 關(guān)鍵字： 3D 打印機(jī)  NXP  LPC5528  

三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲產(chǎn)品價格有望迎來拐點。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機(jī)器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 關(guān)鍵字： Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報價，對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

  • 近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關(guān)人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等，未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
  • 關(guān)鍵字： 鎧俠  西數(shù)  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價季減15%，合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
  • 關(guān)鍵字： 集邦  NAND Flash  

DRAM迎來3D時代？

NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財報出爐

  • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營收。茍嘉章認(rèn)為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  主控芯片  

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  
共1689條 8/113 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 » ›|

3d-nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473