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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-l4000視覺系統(tǒng)

3d-l4000視覺系統(tǒng) 文章 進入3d-l4000視覺系統(tǒng)技術社區(qū)

美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

  • 　　美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。 　　Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的
  • 關鍵字： 美光  3D NAND  

武漢新芯“3D NAND”項目獲業(yè)內權威專家一致認可

  • 武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目可行性專家評審會，業(yè)內專家對
  • 關鍵字： 3D  NAND   

三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

SSD容量突破關鍵：3D存儲芯片大揭秘

  • 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，I
  • 關鍵字： 3D NAND  SSD  存儲技術  

3D NAND競爭火熱 三星成市場最大贏家

  • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領先地位。
  • 關鍵字： 3D NAND  三星  

3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

  • 　　存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關。 　　當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 　　相關數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
  • 關鍵字： 3D NAND  DRAM  

美光移動裝置3D NAND解決方案　瞄準中高階手機市場

  • 　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。 　　美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機總數(shù)的50%。 　　而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
  • 關鍵字： 美光  3D NAND  

3D NAND風暴來襲，中國存儲器廠商如何接招?

  • 中國正在下大力度推進存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
  • 關鍵字： 3D NAND  存儲器  

美光3D NAND將殺到！打破三星獨霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
  • 關鍵字： 美光  3D NAND  

面對大陸攻勢　三星海力士強化3D NAND投資

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。 　　市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 　　清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
  • 關鍵字： 三星  3D NAND  

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  • 　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 　　關于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。 　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 　　日經(jīng)、韓國先驅報(
  • 關鍵字： 東芝  3D NAND  

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  • 　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
  • 關鍵字： 3D NAND  美光  

2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術優(yōu)勢

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產(chǎn)能與技術優(yōu)勢。 　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
  • 關鍵字： 三星  3D NAND  

3D保護玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護玻璃

  • 　　觸摸屏的保護玻璃，又稱之為保護蓋，用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應智能機的不同設計需求，保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部，再根據(jù)保護玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設計方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應越來越重要，這 也鼓勵著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護玻璃。 　　2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬片，占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規(guī)模，
  • 關鍵字： 3D  2D保護玻璃  

3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

  • 　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。 　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
  • 關鍵字： 3D NAND  半導體  
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