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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d芯片

應用材料聯(lián)合IME設立3D芯片封裝研發(fā)實驗室

  • 　　應用材料公司和新加坡科技研究局研究機構(gòu)--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學園區(qū)共同為雙方連手合作的先進封裝卓越中心舉行揭幕典禮。 　　該中心由應用材料和 IME 合資超過 1 億美元設立，擁有14,000 平方英尺的10級無塵室，配有一條完整的十二吋制造系統(tǒng)生產(chǎn)線，能支持3D芯片封裝研發(fā)，促使半導體產(chǎn)業(yè)快速成長。這座中心的誕生是為了支持應用材料公司和 IME 之間共同的研究合作，同時也能讓雙方各自進行獨立的研究計劃，包括制程工程、整合及硬件開發(fā)等。目前已有一組 50 人以上的團隊在
  • 關鍵字： 應用材料  3D芯片  

Sematech與合作伙伴連手克服未來3D芯片技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 　　美國半導體科技研發(fā)聯(lián)盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義出了wide I/O DRAM 之后的未來3D芯片(3D IC)技術(shù)殺手級應用，以及將遭遇的挑戰(zhàn)。 　　Sematech 表示，上述單位的眾學者專家經(jīng)過討論之后，定義出異質(zhì)運算(heterogeneous computing)、內(nèi)存、影像(imaging)、智能型感測系統(tǒng)(smart s
  • 關鍵字： Sematech  3D芯片  

臺積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%

  • 據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片...
  • 關鍵字： 臺積電  3D芯片  能耗  

臺積電年底有望推出首款3D芯片

  • 　　據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術(shù)的半導體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產(chǎn)結(jié)合了三門晶體管技術(shù)(臺積電計劃14nm節(jié)點啟用類似的Finfet技術(shù))的芯片產(chǎn)品。而臺積電這次 推出采用3D芯片堆疊技術(shù)半導體芯片產(chǎn)品的時間點則與其非?？拷！?/li>
  • 關鍵字： 臺積電  3D芯片  

芯片大廠之路：3D芯片堆疊技術(shù)之道與魔

  • 　　設計自動化大會(Design Automation Conference：DAC)已經(jīng)舉辦到了第三天，前兩天的議題主要圍繞EDA自動化設計軟件，F(xiàn)infet發(fā)明人胡志明教授談Intel的Finfet技術(shù)，以及IBM談14nm制程技術(shù)等等，不過前兩天的會議內(nèi)容并沒有什么特別新鮮的內(nèi)容。第三天的主要討論熱點則轉(zhuǎn)移到了3DIC技術(shù)方面。
  • 關鍵字： 高通  3D芯片  

Atrenta和IMEC合作完成3D芯片組裝設計流程

  • 　　Atrenta日前宣布，其與IMEC合作的3D整合研究計劃，己針對異質(zhì)3D堆疊芯片組裝開發(fā)出了規(guī)劃和分割設計流程。Atrenta和IMEC也宣布將在今年6月6~8日的DAC展中，展示雙方共同開發(fā)的設計流程。 　　
  • 關鍵字： Atrenta  封裝技術(shù)  3D芯片  

爾必達與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

  • 　　看好3D市場，DRAM大廠爾必達日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā);爾必達表示，三方還將針對3D IC整合技術(shù)、28納米先進制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進行開發(fā)與商務合作。
  • 關鍵字： 爾必達  3D芯片  

據(jù)稱三星完成3D芯片準備工作

  • 　　據(jù)南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產(chǎn)系統(tǒng)的建構(gòu)，正準備投入量產(chǎn)。近來英特爾(Intel)宣告領先全球開發(fā)出3D芯片，三星也表示持有相當數(shù)量的相關技術(shù)，且已確保量產(chǎn)技術(shù)。 　　
  • 關鍵字： 三星  3D芯片  

Gartner：英特爾3D芯片難以稱霸移動市場

  • 　　Gartner分析師指出，英特爾新3D Tri-Gate晶體設計將不足以達成該公司在手機與平板計算機市場的野心。 　　Gartner副總裁杜拉內(nèi)(Ken Dulaney)表示，英特爾(Intel)將采用突破技術(shù)支持Ivy Bridge 22納米處理器，但它的設計將不足以進入移動市場。 　　
  • 關鍵字： 英特爾  3D芯片  

更上一層樓:單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的意義與區(qū)別簡述

  • 盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯(lián)電路部分的延遲則會提升。舉例而...
  • 關鍵字： 單片型  3D芯片  

淺談3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀

  • 　　盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度 也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過，許多芯片制造商仍在竭力推進基于TSV的3D芯片技術(shù)的發(fā)展并為其投入研發(fā)資金，這些廠商 包括IBM,Intel，三星，東芝等等，3D芯片技術(shù)的優(yōu)勢在于可以在不需要改變現(xiàn)有產(chǎn)品制程的基礎上增加產(chǎn)品的集成度，從而提高單位芯片面積內(nèi)的晶體 管數(shù)量?！?/li>
  • 關鍵字： 3D芯片  堆疊  

聯(lián)發(fā)科技推出全球首款支持3D技術(shù)的單芯片解決方案

  • 　　2011年1月5日，全球無線通信及數(shù)字媒體IC設計領導廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(MediaTek Inc.)今日宣布將于2011消費電子展(CES: The International Consumer Electronics Show)推出全球首款支持120Hz偏光/快門式3D技術(shù)的單芯片解決方案，提供消費者更為優(yōu)質(zhì)驚艷的3D視覺體驗，同時更推出新一代智能型電視芯片解決方案，掀起“客廳革命”的風暴。此方案不僅大幅提升無線鏈接速度，其傳輸質(zhì)量也更穩(wěn)定。
  • 關鍵字： 聯(lián)發(fā)科技  3D芯片  

Applied Materials發(fā)布TSV新設備 引領3D芯片技術(shù)

  • 　　Applied Materials正在引領通孔硅技術(shù)(TSV)實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。TSV技術(shù)通過芯片的多層連接，實現(xiàn)性能提升、功能改善、小型封裝、降低功耗，被視為未來移動芯片領域的重要技術(shù)。Applied Materials發(fā)布Applied Producer Avila系統(tǒng)，成為首家提供全方位TSV方案的供應商，加速了3D-IC的上市時間。
  • 關鍵字： 應用材料  3D芯片  移動芯片  

未來推動芯片尺寸微縮的五種技術(shù)

  • 　　IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。 　　為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。 　　1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底和高k金屬柵。在硅與高k材料之間有低k材料。對于零低k界面，免去了低k材料，提高驅(qū)動電流并減少漏電。這是16nm節(jié)點的一種選擇。 　　2. 單金屬柵堆疊：與傳統(tǒng)晶體管相比，高k金屬柵利用了單金屬柵堆疊結(jié)構(gòu)，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。 　　3. III-V族材料上柵堆疊：Int
  • 關鍵字： 摩爾定律  45納米  3D芯片  
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3d芯片介紹

　　世界上第一款3D芯片工藝已經(jīng)準備獲取牌照，該工藝來自于無晶圓半導體設計公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內(nèi)存位單元。該芯片的設計在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進行。BeSang公司稱，該工藝由25個專利所保護，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統(tǒng)上 [ 查看詳細 ]

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