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SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

  • IT之家 5 月 14 日消息,據(jù)韓媒 Hankyung 報道,兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示,整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM,HBM 內(nèi)存坐擁更高單價,不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下,三星電子代表預(yù)計,不僅 HBM 內(nèi)存,通用 DRAM(如標(biāo)準(zhǔn) DDR5)的價格年內(nèi)也不會
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估,第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估,第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出,現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機
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2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%,占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM(Conventional DRAM)高出數(shù)倍,相較DDR5價差大約五倍,加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大,推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面,2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%,至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面,2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%,至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長,聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題,將裝置中
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聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計今年量產(chǎn)

  • 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會,公布2024年第一季財報,合并營收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營運效率提升,仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下,特殊制程占總營收
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SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉,4月24日,SK海力士宣布,為應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求的急劇增長,計劃擴大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示,若理事會批準(zhǔn)該計劃,三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地,并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設(shè),目標(biāo)是在2025年11月完工,并進行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加,新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。(圖源:SK海力士官網(wǎng))SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱,M15X將成
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

  • 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進的點云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布,是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中,我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離,速度更快,點云質(zhì)量更好,特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點云。當(dāng)在高端GPU上運行時,我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈

  • AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求,也對存儲技術(shù)提出了更高要求,這一背景下,存儲大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面,大廠聚焦層數(shù)突破。近期,韓媒報道,三星電子預(yù)計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存,該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存,即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu),層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預(yù)測,三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層,屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來,三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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美光:預(yù)計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個位數(shù)百分比影響

  • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告,預(yù)計本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個位數(shù)百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據(jù)點。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報告,地震導(dǎo)致當(dāng)時桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙,設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害,長期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時,美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn),但得
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3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時

  • 在 AI 服務(wù)器中,內(nèi)存帶寬問題越來越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下,HBM 內(nèi)存很火,它相對于傳統(tǒng) DRAM,數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題,但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機構(gòu)都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯的進展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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3D NAND,1000層競爭加速!

  • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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加注西安工廠 美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長安

  • 怎么證明企業(yè)對某個市場的未來充滿信心?頻繁來華喊口號還是推定制芯片?一邊提升銷售預(yù)期一邊減少研發(fā)團隊?或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度?商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意,對中國市場最有信心的表示當(dāng)然是加大中國市場的投資力度。 3月27日,美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式,宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工,該項目是2020年以來國外半導(dǎo)體企業(yè)在國內(nèi)最大的工廠投資建設(shè)工程。據(jù)悉,這個項目除了加建新廠房,還會引入全新產(chǎn)線,制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案,例如移動DRAM、N
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn),稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息,據(jù)韓媒 NEWSIS 報道,三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法,表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成,目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通過回流焊一次性粘合,然后同時用模塑料填充間隙;而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜,是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜(NCF)的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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3d dram介紹

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