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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 201308

架構(gòu)創(chuàng)新持續(xù)提升FPGA的性能與功耗水準(zhǔn)

  • 編者按：近日，All Programmable FPGA、SoC 和 3D IC 的領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx)宣布，延續(xù) 28nm工藝創(chuàng)新，投片可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All Programmable器件;發(fā)布行業(yè)第一個(gè)ASIC級可編程架構(gòu)UltraScale。這些發(fā)布的背景和意義是什么?
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  FPGA  ASIC  201308  

避免電源不穩(wěn)定的九步設(shè)計(jì)法(下)

  • 摘要：本文主要介紹了電源設(shè)計(jì)過程中，為避免可能出現(xiàn)的不穩(wěn)定情況所采用的對應(yīng)的設(shè)計(jì)方法。
  • 關(guān)鍵字： PI  電阻  電源  光耦器  傳遞函數(shù)  201308  

采用EFM32單片機(jī)的心電信號發(fā)生器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：本文基于挪威的Energy Micro最新推出的32位超低功耗單片機(jī)EFM32LG332F64設(shè)計(jì)的一款心電信號發(fā)生器，采用PC機(jī)的USB為系統(tǒng)供電并傳輸數(shù)據(jù)，利用該單片機(jī)的內(nèi)置DAC與USB功能，實(shí)現(xiàn)了波形數(shù)據(jù)的模擬，采用模擬開關(guān)電路控制輸出波形的導(dǎo)聯(lián)切換，無需內(nèi)置電源、體積小、使用方便，為心電信號的研究分析和醫(yī)療儀器的研發(fā)檢測提供了一個(gè)便捷的檢測、實(shí)驗(yàn)工具。
  • 關(guān)鍵字： EFM32  USB  單片機(jī)  信號發(fā)生器  DAC  201308  

在汽車行業(yè)中應(yīng)用HDMI技術(shù)

  • 摘要：本文介紹了HDMI技術(shù)在汽車行業(yè)中的應(yīng)用，重點(diǎn)闡述了如何集成HDMI接口，設(shè)計(jì)和測試時(shí)應(yīng)注意的問題和相關(guān)技巧。
  • 關(guān)鍵字： ADI  HDMI  汽車信息娛樂  STB  STG  201308  

基于DSC的直流電機(jī)半橋驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)

  • 摘要：由于直流電機(jī)能實(shí)現(xiàn)方便的平滑調(diào)速且啟動性能好的特性，在工業(yè)自動化領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。目前，直流電機(jī)通常采用H橋電路進(jìn)行控制，在控制大電流電機(jī)的情況下，控制電路的體積大，電路元件多，導(dǎo)致可靠性下降，電路成本也較高。
  • 關(guān)鍵字： DSC  半橋驅(qū)動  直流電機(jī)  PWM  COM  201308  

基于DCM模式的Buck直流變換器分動態(tài)相量法析

  • 摘要：針對工作在DCM模式下的Buck直流變換器這個(gè)離散的、時(shí)變的、非線性系統(tǒng)，引入虛擬開關(guān)函數(shù)將一個(gè)開關(guān)周期中的三種電路拓?fù)浣y(tǒng)一到一組狀態(tài)空間方程中。采用動態(tài)相量法時(shí)，合理地選擇了模型中的諧波分量，討論了虛擬開關(guān)占空比的取值，建立了其非線性、大信號、時(shí)不變模型。
  • 關(guān)鍵字： Buck  直流變換器  DCM  CCM  動態(tài)相量法  201308  

無線充電應(yīng)用的次級端整流橋應(yīng)用方案研究

  • 摘要：本文主要介紹了在無線充電應(yīng)用中，如何進(jìn)行次級端的整流橋設(shè)計(jì)，并對三種設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了比較，得出采用2顆肖特基二極管和2顆MOSFET的最佳最佳整流橋配置方案。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  無線充電  整流橋  二極管  變壓器  201308  

大功率LED驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與仿真

  • 摘要：本文設(shè)計(jì)了一款高效率，高輸入電壓，輸出電流恒定的大功率白光LED驅(qū)動芯片。設(shè)計(jì)了芯片中的運(yùn)算放大器電路、帶隙基準(zhǔn)電路、鋸齒波發(fā)生器電路、比較器電路、誤差放大器電路、輸出過壓保護(hù)電路、過熱保護(hù)電路、功率管驅(qū)動電路、邏輯控制電路等，并給出了仿真結(jié)果。仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的芯片達(dá)到了預(yù)期的要求。
  • 關(guān)鍵字： LED  驅(qū)動電路  降壓式DC/DC  發(fā)生器  運(yùn)算放大器  201308  

藻類含量測量儀的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 摘要：水華是嚴(yán)重的水體災(zāi)害?，F(xiàn)階段，對于水華，人類缺少有效的治理手段。實(shí)時(shí)地監(jiān)測水體中各種藻類的密度，意義重大。本文采用正弦調(diào)制、高速USB數(shù)據(jù)采集卡和離散信號軟件處理的儀器方案，基于葉綠素?zé)晒庑?yīng)，完成了藻類含量測量儀的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 藻類含量測量  測量儀  信號檢測  LED  LD3000  201308  

采用ARM控制器的制動性能測試儀設(shè)計(jì)

  • 摘要：制動性能測試儀是一種以測量機(jī)車充分發(fā)出的平均減速度來檢驗(yàn)機(jī)車制動性能，同時(shí)具有其它輔助項(xiàng)目的綜合性測試儀器。新一代制動性能測試儀的硬件采用ARM控制器，SD存儲卡，USB通信接口以及觸摸式人機(jī)界面，軟件采用基于μC/OS-II的面向任務(wù)的設(shè)計(jì)方法。實(shí)際測試表明，新儀表的性能指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
  • 關(guān)鍵字： ARM  控制器  測試儀  制動性能  μC/OS-II  201308  

LTE中femtocell間的功率控制算法

  • 摘要：3GPP長期演進(jìn)(LTE)系統(tǒng)中femtocell密集部署時(shí)，femtocell之間會存在較強(qiáng)干擾，針對femtocell的下行干擾，提出了一種基于干擾級別的功率控制算法。根據(jù)設(shè)定的信干噪比(SINR)門限值，給femtocell用戶設(shè)置相鄰干擾標(biāo)志，通過上行信道發(fā)送給femtocell，再轉(zhuǎn)發(fā)給相鄰femtocell，femtocell由收到的干擾標(biāo)志數(shù)量劃分級別，根據(jù)干擾級別進(jìn)行不同的功率調(diào)整。
  • 關(guān)鍵字： femtocell  LTE  功率控制  信干噪比  發(fā)射功率  201308  

基于CP-ABE的訪問控制研究

  • 摘要：在分布式應(yīng)用中，難以在不損害用戶隱私的情況下，一次性獲取群體的規(guī)模與成員身份，而傳統(tǒng)公鑰加密機(jī)制由于需用接收群體每個(gè)成員的公鑰加密后再分發(fā)，所以必須獲取接收群體中每個(gè)成員的身份。
  • 關(guān)鍵字： CP-ABE  公鑰加密  私鑰存儲  訪問控制  互聯(lián)網(wǎng)  201308  

TD-SCDMA中CRC的DSP實(shí)現(xiàn)

  • 摘要：針對生成CRC多采用移位寄存器不易于DSP實(shí)現(xiàn)和實(shí)時(shí)性差的問題，提出固定寄存器的實(shí)現(xiàn)方法。該方法由標(biāo)志位和移位算法組成，利用高性能DSP特殊指令實(shí)現(xiàn)，具有程序小，速度快的優(yōu)點(diǎn)，可應(yīng)用于3G、4G通信系統(tǒng)中。
  • 關(guān)鍵字： TD-SCDMA  CRC  DSP  寄存器  FPGA  201308  

基于串級PID控制算法的壓控大功率電流源

  • 摘要：提出了一種基于串級PID控制算法的壓控大功率電流源設(shè)計(jì)方案。該電流源在內(nèi)環(huán)電路采用PID控制電路，提高電流響應(yīng)速度;外環(huán)電路采用數(shù)字PID控制算法，精確控制電流輸出的串級PID控制模式。與傳統(tǒng)電流源相比，該電流源具有輸出功率大，可輸出多路不同波形電流，且幅值頻率可調(diào)范圍大，脈沖電流上升時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，具有更好的通用性。
  • 關(guān)鍵字： 串級PID算法  壓控大功率  電流源  PID控制  電路  201308  

對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

  • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價(jià)格又便宜，正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  
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