18a 制程 文章 進入18a 制程技術(shù)社區(qū)
c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計
- 行動運算產(chǎn)品市場持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計,目前相關(guān)設(shè)計多使用整合晶片減少元件用量,對于異質(zhì)核心的封裝整合,若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會造成成品元件仍具一定程度占位面積,必須利用堆疊與更復雜的3DIC技術(shù)進行元件整合的積極微縮設(shè)計… 矽晶片的制程技術(shù),一直是推進行動終端產(chǎn)品躍進式升級、改善的關(guān)鍵驅(qū)動力,以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進行整合,目前已經(jīng)產(chǎn)生簡化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的,但隨著使用者對于行動裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高,
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臺積電新制程 攻行動穿戴
- 就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際,晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能,原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能,包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識元件、微機電及光感測元件等,都是臺積電未來2~3年的布局重點。 臺積電董事長張忠謀在上周法說會中,特別提及特殊技術(shù)重要性,因為行動裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片,會大量用到28納米以下先進制程,但其它的類比或感測芯片同樣重要,而這些芯片雖不需應用
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ARM:14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進度。對ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星,將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵,但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報,營收同樣繼續(xù)維持成長,主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
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臺積電40nm制程仍存良率不足問題

- 據(jù)業(yè)界分析,臺積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時候,臺積電曾公開承認此問題,但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過,根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會議的內(nèi)容,我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對臺積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。 不過并非所有廠商的情況均是如此,比如Altera公司便表示其委托臺積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。” 相比之下,Nvidia則對臺積電的4
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臺積電為提升45納米以下制程產(chǎn)能進行采購
- 臺積電近日表示,雖然尚未公布今年的資本支出計劃,但仍將持續(xù)進行設(shè)備采購,并以提升45、40納米的先進制程產(chǎn)能為主。 臺積電本周連續(xù)公告自AMAT等廠商購入設(shè)備,金額累計達54.8億臺幣。據(jù)悉,第二季臺積電投資設(shè)備金額將超過100億臺幣。對此,臺積電代理發(fā)言人曾晉皓對表示,“設(shè)備采購基本上以45、40納米的先進制程為主,我們在這方面較缺乏,至于投入多少要以市場需要而定。”他并指出,公司今年資本支出還沒決定,但還沒決定不代表不買設(shè)備。 雖然臺積電未說明在45、40納米先
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臺積電率先推出40納米制程
- 臺積電今(24)日表示,領(lǐng)先專業(yè)集成電路制造服務領(lǐng)域推出40納米制程。此一新世代制程包括提供高效能優(yōu)勢的40納米泛用型制程(40G)以及提供低耗電量優(yōu)勢的40納米低耗電制程(40LP);同時提供完備的40納米設(shè)計服務套件及包括經(jīng)過制程驗證的合作廠商硅智材、設(shè)計自動化工具,以及臺積公司的電性參數(shù)模型(SPICE Model)及核心基礎(chǔ)硅智材的完整設(shè)計生態(tài)環(huán)境。而首批客戶產(chǎn)品預計于2008年第二季產(chǎn)出。 臺積公司40納米制程重點: ?芯片閘密度(Raw gate density)是65納米制
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制程工藝技術(shù)發(fā)展探討
- IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法,為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡單和更省時間的途徑,由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質(zhì)金屬柵極,IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片,同時提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
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