国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 18a 制程

先進制程競賽Xilinx首重整合價值

  •   由于ASIC的研發(fā)成本居高不下,加上近來FPGA不斷整合更多的功能,同時也突破了過往功耗過高的問題,尤其當進入28奈米制程之后,其性價比開始逼近ASSP與ASIC,促使FPGA開始取代部分ASIC市場,應用范圍也逐步擴張。   掌握這樣的趨勢,讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營收持續(xù)成長。Xilinx企業(yè)策略與行銷資深副總裁SteveGlaser指出,預估今年在28奈米產(chǎn)品線將會有1億美元的營收,市占率高達61%,而2014年更將大幅成長,目標將成長至2億5千萬營收表現(xiàn),市占率也將成長
  • 關(guān)鍵字: Xilinx  制程  

c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計

  •   行動運算產(chǎn)品市場持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計,目前相關(guān)設(shè)計多使用整合晶片減少元件用量,對于異質(zhì)核心的封裝整合,若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會造成成品元件仍具一定程度占位面積,必須利用堆疊與更復雜的3DIC技術(shù)進行元件整合的積極微縮設(shè)計…   矽晶片的制程技術(shù),一直是推進行動終端產(chǎn)品躍進式升級、改善的關(guān)鍵驅(qū)動力,以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進行整合,目前已經(jīng)產(chǎn)生簡化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的,但隨著使用者對于行動裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高,
  • 關(guān)鍵字: 3D  制程  矽穿孔  

臺積電新制程 攻行動穿戴

  •   就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際,晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能,原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能,包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識元件、微機電及光感測元件等,都是臺積電未來2~3年的布局重點。   臺積電董事長張忠謀在上周法說會中,特別提及特殊技術(shù)重要性,因為行動裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片,會大量用到28納米以下先進制程,但其它的類比或感測芯片同樣重要,而這些芯片雖不需應用
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  制程  NFC  

ARM:14nm FinFET之路仍有顛簸

  •   自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進度。對ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星,將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵,但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。   日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報,營收同樣繼續(xù)維持成長,主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
  • 關(guān)鍵字: ARM  制程  14nm  

LED藍寶石基板與芯片背部減薄制程

  • 在LED制程中,藍寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn),但是考慮到成本與良率,藍寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢,可以預見接下來藍寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍寶石硬度僅次于鉆石,因此對它進行
  • 關(guān)鍵字: LED  基板  芯片  制程    

左擁臺積右抱GF ARM忙擴事業(yè)版圖

  •   繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程,安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約,雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC),并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
  • 關(guān)鍵字: ARM  制程  晶體  

中芯國際:2013年中28nm工藝基本完成

  • ?????????? 問:作為中國本土的旗艦型制造企業(yè),您認為中國制造型企業(yè),應該如何用創(chuàng)新去應對調(diào)整?如何走特色發(fā)展的道路? ? 答:首先從工藝方面來看,這15年是非常特殊的時期,發(fā)展速度很快。我記得我們在做90nm的時候,我們就有一種想法,覺得做到40、45nm的時候就差不多了,不過后來又發(fā)現(xiàn)還在演進。所以我相信,尤其我們年輕一代,用創(chuàng)新精神會繼續(xù)往下做。 ??
  • 關(guān)鍵字: 中芯國際  工藝  制程  

LED晶圓(外延)的生長制程

  • 今天來探討LED晶圓的生長制程,早期在小積體電路時代,每一個6英寸的晶圓上制作數(shù)以千計的晶粒,現(xiàn)在次微米線寬的...
  • 關(guān)鍵字: LED  晶圓  生長  制程    

臺積電2009年-十月營收報告

  •   臺積電公司今(10)日公布2009年十月營收報告,就非合并財務報表方面,營收約為新臺幣291億8,100萬元,較今年九月增加了4.1%,較去年同期增加了2.9%。累計2009年一至十月營收約為新臺幣2,259億2,700萬元,較去年同期減少了21.9%。   就合并財務報表方面,2009年十月營收約為新臺幣302億1,900萬元,較今年九月增加了4.4%,較去年同期增加了2.5%。累計2009年一至十月營收約為新臺幣2,338億6,600萬元,較去年同期減少了21.5%。   臺積電營收報告(非合
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  40nm  制程  

臺積電40nm制程仍存良率不足問題

  •   據(jù)業(yè)界分析,臺積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時候,臺積電曾公開承認此問題,但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過,根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會議的內(nèi)容,我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對臺積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。   不過并非所有廠商的情況均是如此,比如Altera公司便表示其委托臺積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。”   相比之下,Nvidia則對臺積電的4
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  40nm  制程  

代工產(chǎn)業(yè)醞釀巨變 整合將使第一階陣營縮小

  •   市場研究公司iSuppli指出,IC市場低迷很可能縮小第一階純代工廠商陣營,未來第一階代工廠商的數(shù)量可能減少至3家。   “2009年是代工廠商希望趕緊過去的一年。”iSuppli分析師Len Jelinek在一份聲明中表示,“然而,明年很可能出現(xiàn)新的挑戰(zhàn),競爭成本的增長將使玩家數(shù)量減少。”   2009年全球純代工廠商收入預計為178億美元,減少10.9%,明年將增長21%至216億美元。   “開發(fā)實現(xiàn)下一代制程的成本迅速增長。想在
  • 關(guān)鍵字: TSMC  代工  制程  

臺積電為提升45納米以下制程產(chǎn)能進行采購

  •   臺積電近日表示,雖然尚未公布今年的資本支出計劃,但仍將持續(xù)進行設(shè)備采購,并以提升45、40納米的先進制程產(chǎn)能為主。   臺積電本周連續(xù)公告自AMAT等廠商購入設(shè)備,金額累計達54.8億臺幣。據(jù)悉,第二季臺積電投資設(shè)備金額將超過100億臺幣。對此,臺積電代理發(fā)言人曾晉皓對表示,“設(shè)備采購基本上以45、40納米的先進制程為主,我們在這方面較缺乏,至于投入多少要以市場需要而定。”他并指出,公司今年資本支出還沒決定,但還沒決定不代表不買設(shè)備。   雖然臺積電未說明在45、40納米先
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  制程  

臺積電率先推出40納米制程

  • 臺積電今(24)日表示,領(lǐng)先專業(yè)集成電路制造服務領(lǐng)域推出40納米制程。此一新世代制程包括提供高效能優(yōu)勢的40納米泛用型制程(40G)以及提供低耗電量優(yōu)勢的40納米低耗電制程(40LP);同時提供完備的40納米設(shè)計服務套件及包括經(jīng)過制程驗證的合作廠商硅智材、設(shè)計自動化工具,以及臺積公司的電性參數(shù)模型(SPICE Model)及核心基礎(chǔ)硅智材的完整設(shè)計生態(tài)環(huán)境。而首批客戶產(chǎn)品預計于2008年第二季產(chǎn)出。 臺積公司40納米制程重點: ?芯片閘密度(Raw gate density)是65納米制
  • 關(guān)鍵字: 臺積電 40納米 制程  

制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

  • IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法,為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡單和更省時間的途徑,由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質(zhì)金屬柵極,IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片,同時提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
  • 關(guān)鍵字: 制程 工藝  

Xilinx新小封裝FPGA降低50%成本

  •   2008年1月15日,中國北京-全球領(lǐng)先的可編程邏輯器件(PLD)供應商賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ: XLNX))宣布推出其最新的90nm低成本Spartan™-3A FPGA器件。針對數(shù)字顯示、機頂盒以及無線路由器等應用而優(yōu)化的這些小封裝器件滿足了業(yè)界對更小器件封裝尺寸的需求,為成本極為敏感的消費電子設(shè)計提供將更好的支持。 Spartan-3系列平臺:低成本消費應用的首選 賽靈思在大批量消費應用領(lǐng)域所取
  • 關(guān)鍵字: Xilinx  FPGA  其他IC  制程  
共501條 7/34 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 » ›|
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473