SamMobile、Android Community 14日引述南韓媒體DDaily報導，為了和臺積電(2330)在晶圓代工領域一較高下，最新消息顯示三星電子(Samsung Electronics Co.)可能會跳過20奈米制程技術，直接從當前的28奈米制程一口氣轉進14奈米FinFET制程，并將技術導入Galaxy S5內建的行動處理器。
根據報導，三星被市場通稱為「Galaxy S5」的次世代旗艦智慧型手機可能會搭載采用14奈米制程技術的64位元行動應用處理器(AP)「Exynos 6
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三星 14nm
雖然Intel的桌面處理器明年不會升級到14nm，但是這種新工藝正在緊張有序地鋪開，將首先在筆記本和移動領域施展拳腳。
Intel今天確認，14nm工藝將在今年底投入批量生產，打頭陣的當然是Broadwell。在舊金山會場上，Intel還拿出了一臺配備著14nm Broadwell芯片的筆記本，已經可以正常運行了。
Intel宣稱，Broadwell初期樣品的測試顯示，它能比Haswell帶來“30%的功耗改進”，后期進一步完善后還有望更多。
Intel同時重
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Intel 14nm
EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯電和英特爾(Intel)等半導體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應解決方案，以協助IC設計商克服電晶體結構改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進制程市場。
16/14奈米(nm)先進制程電子設計自動化(EDA)市場戰(zhàn)火正式點燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結構不僅提升晶片設計困難度(圖1)，更可能拖累產品出貨時程，為協助客戶能突破Fi
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半導體 14nm
半導體業(yè)已經邁入14nm制程，2014年開始量產。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術可能達到10nm，這意味著如果EUV技術再次推遲應用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。除非等到EUV技術成熟，制程才能再繼續(xù)縮小下去。依目前的態(tài)勢，即便EUV成功也頂多還有兩個臺階可上，即7nm或者5nm。因為按理論測算，在5nm時可能器件已達到物理極限。
工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標。眾所周知，推動市場進步的是終端電子產品的市場需求，向著更
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半導體 14nm
尺寸縮小是推動產業(yè)進步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會盲目跟進。依目前的態(tài)勢，業(yè)界已然有所爭議，有人認為由28nm向22nm過渡時成本可能反而上升，這或是產業(yè)過渡過程中的正常現象。
全球半導體業(yè)中還能繼續(xù)跟蹤14nm工藝節(jié)點者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺積電、格羅方得、聯電、東芝、海力士、美光等。顯然在半
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14nm 半導體工藝
聯電近期與IBM簽訂合作計劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產。不過，聯電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時，授權IBM方案卻面臨量產窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎技術平臺與材料科技，并將主導大部分制程研發(fā)，以結合先進科技和具成本效益的量產技術，避免重蹈覆轍。
聯電執(zhí)行長顏博文表示，隨著IC設計業(yè)者對于更新、更先進技術的需求日益增高，聯電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)
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聯電 14nm
日前，Altera公布了其2013年二季度營收，總收入為421.8億美元，環(huán)比增長3%，同比卻下降9%。其凈利潤為1.015億美元，環(huán)比下降16%，同比則下降38%。
由于種種問題，Stratix V的銷量不升反降，環(huán)比下降22%，而新產品Arria V則環(huán)比上升113%，Cyclone V則上漲了73%，這導致Altera新品銷量環(huán)比僅上漲6%。
按區(qū)域來分，亞太及北美市場同比都有一定程度的下滑，分別為下降22%與12%，歐洲區(qū)則同比上升11%。
而按照應用劃分，只有工業(yè)自動化、軍
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Altera 14nm
“萬物并作，吾以觀復?！比缤匀唤缟鷳B(tài)要和諧共處才能生生不息一樣，半導體業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)更是“俱榮俱損”的關系，當半導體業(yè)步入多元且全面的商業(yè)競爭時代，競爭已不局限于單純的產品和技術，而在于誰能構建完整的產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。設備和材料在半導體生態(tài)系統(tǒng)中扮演“左右護法”的角色：全球每年在半導體業(yè)的投資約500億~600億美元，其中有70%是用來購買設備，因為工藝的進步全要仰仗設備業(yè)的進步。半導體材料的質量和供應則直接影響著IC的質量和競爭力，
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半導體材料 14nm
據外電報道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產14nm工藝，但此次的產品發(fā)布會和以往有所區(qū)別。
英特爾CEO科再奇已經表示：“半導體工藝上的投資和技術優(yōu)勢為英特爾保證行業(yè)領先提供了基礎。22nm工藝的缺陷率、產出時間達到了歷時最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產14nm。”
這實際上和之前的路線圖有所出入，按照之前的計劃，英特爾不會在2014年內推出14nmBroadwell處理器，因為在2014年，英特爾本來安排了HaswellRefres
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英特爾 14nm
據外電報道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產14nm工藝，但此次的產品發(fā)布會和以往有所區(qū)別。
英特爾CEO科再奇已經表示：“半導體工藝上的投資和技術優(yōu)勢為英特爾保證行業(yè)領先提供了基礎。22nm工藝的缺陷率、產出時間達到了歷時最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產14nm?！?
這實際上和之前的路線圖有所出入，按照之前的計劃，英特爾不會在2014年內推出14nm Broadwell處理器，因為在2014年，英特爾本來安排了Haswell Refr
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英特爾 14nm
根據《韓國經濟日報》(KoreaEconomicDaily)報導，蘋果公司(AppleInc.)與三星電子(SamsungElectronics)日前簽署一項代工協議，雙方將再續(xù)前緣──三星將為蘋果未來的iPhone手機與iPad平板電腦產品打造14nmA9處理器。
在該報導中，根據雙方的協議，三星將從2015年開始，以FinFET制程技術為蘋果生產14nmA9處理器。A9處理器將用于蘋果下一代iPhone7智慧型手機。
蘋果從幾年前開始自行設計自家智慧型手機與平板電腦專用的處理器后，就一
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蘋果 14nm A9處理器
赴日訪問的明導公司(Mentor Graphics Corp.)董事長兼首席執(zhí)行官阮華德(Walden C. Rhines)接受了本站記者的采訪。
阮華德詳細介紹“More Moore”
——首先想就半導體領域問幾個問題。20nm SoC已進入開發(fā)階段，在EDA行業(yè)，20nm的課題是支持雙重圖形(Double Patterning)，14nm以及以后工藝面臨的課題是什么呢?明導將為此提供些什么?
阮華德：14nm的課題是(一)FinFE
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明導 14nm
PCGH今天曝光了一份Intel Xeon、Xeon Phi的規(guī)劃路線圖。雖是服務器和高性能計算領域的，但也能反映出桌面平臺的進展。
不過注意，本文中說的Xeon不包括單路型號，而是雙路型EP、多路型EX，而且Intel的新工藝、新架構一般都是先在桌面上使用，一年左右之后進入服務器。
路線圖顯示，Haswell架構的Xeon EP/EX將在明年發(fā)布，除了帶來桌面平臺已有的22nm工藝、AVX2指令集、PCI-E 3.0總線之外，還會開始支持DDR4，這也將是Intel第一次支持下代內存
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Intel 14nm
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載最新的技術是肯定的。
Skylake會采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產的芯片，而且還會引入Intel的第九代IntelHDIGP。Skylake將支持DDR4內存，不過應當不是首個支持DDR4的平臺，明年的Has
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Intel 14nm
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載最新的技術是肯定的。
Skylake會采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產的芯片，而且還會引入Intel的第九代Intel HD IGP。Skylake將支持DDR4內存，不過應當不是首個支持DDR4的平臺，明年
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Intel 14nm
14nm介紹
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