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14nm
14nm 文章 進(jìn)入14nm技術(shù)社區(qū)
GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎?
- 日前,GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù),其全球銷售和市場(chǎng)營(yíng)銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問(wèn),對(duì)有關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫(xiě),作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu),它真正為移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)做了優(yōu)化,能提供從晶體管到系統(tǒng)級(jí)的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點(diǎn)的二維平面晶體管相比,該技術(shù)可望實(shí)現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 Noonen表示:“201
- 關(guān)鍵字: FinFET 14nm
英特爾開(kāi)始部署14nm產(chǎn)線
- 核心提示:英特爾于2009年關(guān)閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠,將當(dāng)?shù)鼐A廠的數(shù)量減少至三個(gè),分別為Fab10,24和24-2。2011年1月,英特爾花費(fèi)約五億美元重建Fab14舊廠,但當(dāng)時(shí)并未說(shuō)明翻新這座晶圓廠的詳細(xì)規(guī)劃。 英特爾日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示,總投資金額將超過(guò)十億美元。 英特爾CEO PaulOtellini稍早前說(shuō)明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來(lái)更先進(jìn)制程的藍(lán)圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這些晶圓廠包括了位在美國(guó)奧勒岡州的D1X晶圓廠
- 關(guān)鍵字: 英特爾 14nm 晶圓
偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn),即每?jī)赡晡⒖s晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束,我們正在跨入一個(gè)情勢(shì)高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示,晶片微縮的路程愈來(lái)愈艱困了。 1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延長(zhǎng)到了三年左右。2009年,45/40nm晶圓占代工廠營(yíng)收比重僅10%;而2012年第四季,32/28nm占代工廠營(yíng)收比重也是10%。 2.在32nm量產(chǎn)2年多以后,22nm的FinFET才宣布將邁入量產(chǎn)。FinFET是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的技術(shù)。英特爾在這方面的研究相當(dāng)卓越,但仍需克服
- 關(guān)鍵字: 晶片 14nm
14nm會(huì)是硅芯片的盡頭?
- 盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片,但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。 近年來(lái),芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”,并有條不紊地進(jìn)行著,直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功,業(yè)界開(kāi)始有了擔(dān)憂。 據(jù)摩爾定律所說(shuō),集成在同一芯片上的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡暝黾右槐?,同時(shí)相同大小的芯片將具有雙倍的性能。一旦達(dá)到14nm的制程,將極其接近硅晶體的理論極限數(shù)字(大約為9nm到11nm)。 盡管英特爾
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耗資大周期長(zhǎng) 臺(tái)積電14nm投產(chǎn)一時(shí)難如愿
- 雖然在40nm、28nm兩度折戟,境況堪憂,但臺(tái)積電畢竟是全球第一大代工廠,正所謂樹(shù)大根深。近日據(jù)悉,臺(tái)積電資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-yi Chiang)已經(jīng)宣稱,臺(tái)積電將在2012年開(kāi)始14nm工藝的研發(fā),并將于2015年投入批量生產(chǎn)。 蔣尚義說(shuō),臺(tái)積電會(huì)使用450毫米(18英寸)新晶圓來(lái)制造14nm工藝芯片,而不是現(xiàn)在主流的300毫米,因?yàn)楦蟪叽绲木A將有助于降低生產(chǎn)成本。
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 14nm
臺(tái)積電:14nm制程節(jié)點(diǎn)將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

- 據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開(kāi)的技術(shù)論壇的消息來(lái)源透露,與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計(jì)劃。 其中來(lái)自半導(dǎo)體代工巨頭臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義在會(huì)上發(fā)言稱,臺(tái)積電公司已經(jīng)決定在14nm制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。 蔣尚義表示:“經(jīng)過(guò)研究,我們決定在14nm制程節(jié)點(diǎn)放棄使用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)而采用能更好控制溝道性能的垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。&rdq
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 14nm 晶體管
14nm介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條14nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)14nm的理解,并與今后在此搜索14nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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