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2025搞定2nm工藝 日本芯片公司Rapidus已搞定EUV光刻機(jī)

  • 5月17日消息，原本已經(jīng)落后的日本半導(dǎo)體制造行業(yè)近年來加快了追趕速度，去年8月份索尼、豐田等8家企業(yè)出資成立了Rapidus，計(jì)劃2025年試產(chǎn)2nm工藝，而且很快就籌備了EUV光刻機(jī)。日本當(dāng)前的邏輯工藝還在28nm以上，但是Rapidus公司選擇跳過中間的工藝，直接搞2nm工藝，而5nm以下的工藝都離不開EUV光刻機(jī)，不論研發(fā)還是制造都要先買設(shè)備。Rapidus社長小池淳義日前在采訪中透露，他們已經(jīng)完成了1臺EUV光刻機(jī)的籌備，不過具體的型號及進(jìn)度沒有說明，不確定是ASML的哪款EUV光刻機(jī)，何時(shí)安裝、
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柔弱的雕刻大師——EUV光刻機(jī)

  • 在如今這個信息時(shí)代，如果說我們的世界是由芯片堆積起來的高樓大廈，那么芯片制造，則是這里面高樓的地基，而談到芯片制造各位讀者自然就能想到光刻機(jī)，沒錯，作為人類商業(yè)化機(jī)器的工程奇跡，光刻機(jī)自然是量產(chǎn)高性能芯片的必要設(shè)備。特別是隨著這幾年中美貿(mào)易戰(zhàn)的加劇，光刻機(jī)這種大部分可能一生都不會見到的機(jī)器一下子成了婦孺皆知的存在，那么光刻機(jī)是如何工作的呢？它是如何在方寸之間的芯片上雕刻出上百億的晶體管的呢？本篇文章就著重給大家介紹一下目前最先進(jìn)，也是我國被“卡脖子”的EUV（極紫外）光刻機(jī)。? ? &
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ASML預(yù)測，未來九個月對中國的銷量將大幅回升

EUV機(jī)臺被砍單？ 業(yè)界：不太可能

  • 終端市場需求低迷，近期市場傳出臺積電將宣布調(diào)降今年資本支出，恐沖擊艾司摩爾（ASML）及應(yīng)用材料等設(shè)備廠出貨，甚至傳出艾司摩爾極紫外光（EUV）機(jī)臺被砍單消息，不過業(yè)界普遍認(rèn)為可能性不高，原因在于EUV機(jī)臺交期長達(dá)12～15個月，且中長期來看EUV產(chǎn)能仍供不應(yīng)求。 ASML預(yù)計(jì)19日舉行法人說明會，可望針對EUV曝光機(jī)已接訂單（backlog）變化提出說明。半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈仍在進(jìn)行庫存調(diào)整，市場傳出臺積電可能在法人說明會中下修全年資本支出，加上內(nèi)存廠放慢擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將導(dǎo)致EUV曝光機(jī)訂單減少或延后，受此消息影響
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國產(chǎn)光刻機(jī)的「行軍難」

  • 3 月 8 日，ASML 發(fā)表聲明回應(yīng)荷蘭政府即將出臺的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施。ASML 稱，這些新的出口管制措施側(cè)重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)，ASML 將需要申請出口許可證才能發(fā)運(yùn)最先進(jìn)的浸潤式 DUV 系統(tǒng)。ASML 強(qiáng)調(diào)，這些管制措施需要一定時(shí)間才能付諸立法并生效。3 月 9 日，外交部例行記者會上，有媒體提問，據(jù)報(bào)道，荷蘭外貿(mào)與發(fā)展合作大臣施賴納馬赫爾向荷議會致函稱，出于國家安全考慮，荷蘭將于今年夏天之前對其芯片出口實(shí)施限制性措施。中方對此有何評論？外交部發(fā)言人毛
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挑戰(zhàn) ASML，應(yīng)用材料公司重新定義了光刻和圖案化市場

  • EUV 太貴了，有其他解決方法嗎？
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2nm 工藝的計(jì)量策略

  • 晶圓制造工具正變得更加專用于 Si/SiGe 堆棧、3D NAND 和鍵合晶圓對。
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ASML堵了EUV光刻機(jī)的路，但國產(chǎn)光刻機(jī)有3大新方向

  • 眾所周知，當(dāng)前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，甚至可以說很長一段時(shí)間內(nèi)，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機(jī)，不會有第二家。原因在于ASML把EUV光刻機(jī)的路堵住了，這條路別人是走不通的。ASML與全球眾多的供應(yīng)鏈，形成了捆綁關(guān)系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機(jī)中，蔡司等廠商至關(guān)重要，掌握核心科技，缺少這些供應(yīng)鏈，其它廠商不可能制造出EUV光刻機(jī)。所以，目前眾多的其它光刻機(jī)企業(yè)，并不打算走EUV光刻機(jī)這條路，在另尋它路。同樣的，國產(chǎn)光刻機(jī)基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而
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美國發(fā)起的對華聯(lián)合出口限制留下漏洞？

  • 據(jù)報(bào)道，荷蘭和日本已與美國達(dá)成協(xié)議，共同限制向中國出口芯片制造工具，這將進(jìn)一步削弱中國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)槌讼拗浦袊圃焐淌褂?EUV 光刻機(jī)外，進(jìn)一步限制其使用浸沒式 DUV 光刻機(jī)。但在美國對中國發(fā)起的嚴(yán)格出口限制中，中國半導(dǎo)體企業(yè)是否可以利用任何關(guān)鍵漏洞來緩沖沖擊？這似乎是一個值得仔細(xì)研究的問題。近年來，美國加大了對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的打壓力度。不僅設(shè)計(jì)了各種策略和行動，還動員了盟友的參與。在 2022 年 10 月對向中國出口先進(jìn)芯片制造工具和技術(shù)實(shí)施全面出口限制后，美國急于讓擁有 ASML
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EUV光刻機(jī)開始“落幕”了

  • 說到光刻機(jī)大家難免會想到三個廠商，荷蘭的ASML公司、尼康和佳能。而光刻機(jī)就是制造芯片的核心裝備?，F(xiàn)如今光刻機(jī)領(lǐng)域的核心地位就是荷蘭的ASML，他與臺積電合作，共同突破了沉浸式DUV光刻機(jī)，也正因?yàn)榇藙幼鳎诺於薃SML在光刻機(jī)領(lǐng)域的核心地位。后續(xù)ASML又推出了更加高端的EUV光刻機(jī)，而且還是獨(dú)家壟斷生產(chǎn)。這就進(jìn)一步使得ASML成為行業(yè)的巨頭。隨著科技的不斷發(fā)展，市場就要越來越追求高性能以及高要求，ASLM造成的長時(shí)間壟斷，導(dǎo)致其他同行沒有辦法發(fā)展。在他自身無法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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三星擬新設(shè)至少10臺EUV光刻機(jī)：展露要當(dāng)世界第一的野心

  • 最新消息顯示，盡管全球經(jīng)濟(jì)將放緩，但三星仍計(jì)劃擴(kuò)大DRAM與晶圓代工的晶圓產(chǎn)能，明年在其P3晶圓廠新設(shè)至少10臺極紫外光刻設(shè)備（EUV），用于生產(chǎn)最新的12nm級內(nèi)存芯片，而三星目前僅有40臺EUV光刻機(jī)。
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三星首次采用韓國本土EUV光刻膠 打破日企壟斷

  • 據(jù)報(bào)道，三星首次引入韓國本土公司東進(jìn)世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進(jìn)入其量產(chǎn)線，這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應(yīng)風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應(yīng)本土化，經(jīng)過三年的努力，韓國實(shí)現(xiàn)了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構(gòu)EUV光刻膠的供應(yīng)鏈之后，東進(jìn)世美肯就已開始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應(yīng)用于三星的大規(guī)模生產(chǎn)線。不過，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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有多貴？ASML新EUV光刻機(jī)單臺硬件造價(jià)2500億：可買三臺頂級航母

  • 都知道光刻機(jī)單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數(shù)億美元的光刻機(jī)讓我們看到了一款硬件設(shè)備的價(jià)格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時(shí)透露，他們正在全力研制劃時(shí)代的新光刻機(jī)high-NA EUV設(shè)備，而高NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的單臺造價(jià)將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個價(jià)格什么概念，一搜頂級航母的價(jià)格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設(shè)備可以買三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機(jī)不過數(shù)億美元，作為下一代產(chǎn)品身價(jià)
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠商公布新專利

  • 近日，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專利，專利申請?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
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美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。一個值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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