閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

Spansion完成對富士通微控制器和模擬業(yè)務(wù)部門收購

2013年 08月02日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布已經(jīng)完成對富士通半導(dǎo)體有限
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四種閃存設(shè)計優(yōu)劣點分析

由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我
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LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯技術(shù)

LSI SandForce詳細介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯方法，稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會上披
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Spansion 起訴旺宏電子侵犯其專利權(quán)

2013年 08 月 15 日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今日宣布起訴臺灣旺宏電子股份有限
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東芝要做64層3D閃存：三星48層情何以堪？

　　三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報道，東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存，比三星多三分之一! 　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存，并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。　　這種閃存的成本和價格會比較高，但是因為容量可以做的更大，平均價格反而會更便宜，可用于從智能手機、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領(lǐng)域，初期主要供應(yīng)持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
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東芝3D閃存芯片：存儲容量將提高三成

　　目前，越來越多的智能手機廠商，開始大幅度提高手機閃存的容量，市場對于閃存的需求和技術(shù)要求越來越高。據(jù)悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術(shù)上存在激烈競爭，而東芝領(lǐng)先了一局，該公司即將大規(guī)模生產(chǎn)3D閃存。　　　　手機內(nèi)存越配越高　　據(jù)日本經(jīng)濟新聞周六報道，本財年內(nèi)(明年三月底之前)，東芝公司將會投產(chǎn)最新一代的3D閃存，這將領(lǐng)先于閃存老對手三星電子。　　眾所周知的是，東芝因為財務(wù)丑聞，公司運營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢的閃存業(yè)務(wù)，能夠提振全公司的表現(xiàn)。
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逆天閃存設(shè)備　居然能將數(shù)據(jù)保存至少百年

　　據(jù)俄羅斯“衛(wèi)星”消息，俄羅斯經(jīng)濟與社會項目創(chuàng)新與發(fā)展社發(fā)布消息稱，俄羅斯Raidix公司將與日本松下共同開發(fā)能將數(shù)據(jù)保存至少100年的創(chuàng)新閃存設(shè)備。　　目前，所有的閃存設(shè)備對數(shù)據(jù)的保存可以被認為是暫時的，它們可以無錯誤地保存數(shù)據(jù)5到10年，在此之后則需要將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到新的閃存中。　　日俄雙方公司均認為，合作應(yīng)該是互利的。松下公司將向俄方提供自己處理“冷保存”(訪問頻率不高)數(shù)據(jù)的freeze-ray技術(shù)，同時，Raidix公司的工作是將&ldquo
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華為閃存技術(shù)，不止快人一步

　　云計算、大數(shù)據(jù)、移動互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測，到2020年，全球移動寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上，增加20億移動寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場規(guī)模將高達2000億美元。　　華為在2016全球聯(lián)接指數(shù)中預(yù)測，2020年，數(shù)字經(jīng)濟時代將全面來臨，屆時，大數(shù)據(jù)分析將無處不在，想象一下，數(shù)十億計的智能電話、數(shù)百萬智能汽車、數(shù)百萬智能無人機、數(shù)百萬智能機器人在我們的身邊運轉(zhuǎn)，遍布的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等技術(shù)將給人們的生活帶來巨大的改變和驚喜。　　數(shù)據(jù)同樣在企業(yè)中蔓延，IDC預(yù)測，202
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東芝計劃投資3600億日元建設(shè)3D閃存新廠房

　　東芝近日公布聚焦能源、社會基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴大在存儲業(yè)務(wù)上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區(qū)域建造新廠房以及引進生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會批準。　　閃存廣泛應(yīng)用于智能手機等產(chǎn)品，根據(jù)預(yù)測，以企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心為主的需求今后也將不斷擴大。東芝四日市工廠將進行改造以便于在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)中，能夠高效利用與2D閃存通用的現(xiàn)有制造工序。在四
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春季上新朗科閃存盤集合完畢開學(xué)季待你檢閱

　　新學(xué)期伊始，全國各地的大學(xué)生們也全部返校，開始了新學(xué)期緊張的學(xué)習(xí)生活。新學(xué)期，新氣象，沒有一款得心應(yīng)手的閃存盤怎么“漲姿勢”呢?朗科閃存盤春季上新集合完畢，正在熱切期待你的檢閱!還有上班一族、商務(wù)人士，也來為自己選購一款新裝備吧!　　　　U712C閃存盤　　朗科U712C作為一款閉著眼睛都能插上的閃存盤開啟了閃存盤接口的革命，USB Type-C 新型接口讓你可隨心所欲的插入智能手機、平板電腦、筆記本，不用區(qū)分正反面，讓傻傻分不清的你再也不用
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武漢新芯閃存芯片廠動工中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能否后來居上？

　　中國正打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。中國正斥資240億美元打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，將與一家美國公司合作生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發(fā)言人表示，武漢新芯周一將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業(yè)為中國政府所有。　　武漢新芯去年與美國閃存生產(chǎn)商Spansion Inc. (CODE)結(jié)成合作伙伴，共同研發(fā)下一代芯片技術(shù)。Spansion后來在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導(dǎo)體(C
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東芝將投資3,600億日圓擴大閃存芯片生產(chǎn)

　　東芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四稱，將投資3,600億日圓(合32億美元)，用于擴大閃存芯片生產(chǎn)。這是東芝為保持與韓國對手三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的競爭能力而推出的最新舉措。　　東芝預(yù)計，在截至3月底的當前財政年度內(nèi)，公司將出現(xiàn)巨額虧損。東芝正在進行全方位的企業(yè)重組，包括削減數(shù)千個工作崗位和出售較小的部門等，旨在將重心放在半導(dǎo)體及核電廠業(yè)務(wù)上。　　東芝說，這項3,600億日圓的投資計劃將跨越未來三
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東芝確定半導(dǎo)體重組計劃:保留閃存其他全賣

　　會計丑聞給日本東芝公司的業(yè)績帶來嚴重影響，為了提高盈利，東芝正在對旗下的半導(dǎo)體、個人電腦、白色家電等業(yè)務(wù)進行一次重大重組。1月23日，東芝已經(jīng)正式制定了芯片業(yè)務(wù)重組的詳細計劃，除了占據(jù)優(yōu)勢的閃存芯片之外，其他的業(yè)務(wù)將對外轉(zhuǎn)讓，東芝有望通過轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)獲得十幾億美元的收入。　　12月底，日本媒體即報道，東芝將會對半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進行分拆等重組計劃。詳細計劃近日終于出臺。　　據(jù)報道，目前東芝的閃存芯片在全世界排名第二位，僅次于韓國三星電子，閃存芯片也是東芝重要利潤來源，因此未來東芝仍將保留這一業(yè)務(wù)。　　
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FMS2015XPoint內(nèi)存之思：這個東西屬不屬于PCM？

　　美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點。　　　　3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。　　本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進行了咨詢，并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點，該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。　　本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]