閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

英研發(fā)新型存儲(chǔ)器速度比閃存快百倍

　　英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。　　電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時(shí)其電阻會(huì)發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個(gè)電阻值。在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出的存儲(chǔ)設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來(lái)的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開(kāi)發(fā)出的這種存儲(chǔ)設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。　　英國(guó)倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長(zhǎng)13倍

　　NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說(shuō)依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的，但這種趨勢(shì)終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤(pán)廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長(zhǎng)多達(dá)13倍。　　CellCare是一項(xiàng)硬件和固件綜合技術(shù)，核心內(nèi)容包括：每個(gè)內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤，可帶來(lái)更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫(xiě)延遲;高級(jí)錯(cuò)誤糾正與數(shù)字信號(hào)處理，可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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基于閃存的大容量存儲(chǔ)陣列

基于閃存的大容量存儲(chǔ)陣列,摘要大容量、高速度、高密度、低功耗、低成本、高可靠性和靈活性一直是星上記錄設(shè)備信息存儲(chǔ)技術(shù)的主要研究?jī)?nèi)容和追求目標(biāo)。文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng)，成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星
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主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

閃存幾乎無(wú)處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不...
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NAND閃存將呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)

　　隨著智能手機(jī)、平板電腦、超極本等移動(dòng)互聯(lián)設(shè)備市場(chǎng)的井噴，存儲(chǔ)器Nand Flash也呈現(xiàn)“水漲船高”之勢(shì)，Gartner預(yù)估今年Nand閃存市場(chǎng)將增長(zhǎng)18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”上，福州瑞芯微電子有限公司總裁陳鋒直言“后PC時(shí)代已經(jīng)到來(lái)”，今年平板電腦的出貨量預(yù)計(jì)在1.5億臺(tái)左右，智能手機(jī)將突破6億部，加起來(lái)為7.5億部，將遠(yuǎn)超今年P(guān)C出貨量，帶動(dòng)對(duì)顯示屏、主控芯片和存儲(chǔ)器關(guān)鍵部件的需求，
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LSI全新Nytro 智能化閃存解決方案上市

LSI 公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前推出了全面的 Nytro 系列解決方案，能夠?qū)?PCIe? 閃存技術(shù)與智能高速緩存和管理軟件進(jìn)行完美結(jié)合，從而明顯提高數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境的應(yīng)用性能。
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內(nèi)存芯片放顯屏上？透明柔性3D內(nèi)存芯片制成顯示屏

　　據(jù)麻省理工新發(fā)明的透明柔性3D存儲(chǔ)芯片會(huì)成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌，可以像紙一樣折疊，而且可以耐受1000華氏度的溫度，是廚房烤箱最高溫度的兩倍，而且可以耐受其他有害條件，有助于開(kāi)發(fā)下一代內(nèi)存，可與閃存競(jìng)爭(zhēng)，用于明天的隨身碟，手機(jī)和電腦，這是科學(xué)家在3月27日?qǐng)?bào)道的。　　在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)(American Chemical Society)第243屆全國(guó)會(huì)議暨博覽會(huì)(243rd National Meeting & Exposition)上，發(fā)明者說(shuō)，一些設(shè)備使用這
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東芝慶祝其閃存技術(shù)發(fā)明二十五周年

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，NAND閃存技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有25年的歷史了，而東芝打算來(lái)合理地慶祝這一上個(gè)世紀(jì)80年代在其實(shí)驗(yàn)室被發(fā)明的革命性技術(shù)。東芝稱，幸虧有了閃存，現(xiàn)在人們才得以在他們生活的各個(gè)方面享受內(nèi)容上的創(chuàng)新及先進(jìn)的電子產(chǎn)品。　　東芝稱，“NAND閃存市場(chǎng)增長(zhǎng)的很快，其閃存發(fā)貨量在2011年要比DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)多很多，NAND閃存已經(jīng)成為多數(shù)人選擇的硅存儲(chǔ)方式。NAND閃存現(xiàn)在應(yīng)用在一系列的存儲(chǔ)卡上及USB設(shè)備中，在許多消費(fèi)者、工業(yè)及企業(yè)的云程序中也可以見(jiàn)到?！?
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閃存技術(shù)商Violin Memory完成D輪融資5千萬(wàn)美元

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，利用閃存技術(shù)建立儲(chǔ)存陣列的科技公司ViolinMemory，計(jì)劃于周一宣布完成規(guī)模達(dá)5000萬(wàn)美元的D輪融資。該公司迄今為止已累積獲得投資資金8億美元。　　參與此輪融資的投資者包括有：出于戰(zhàn)略考量的日本芯片和電子產(chǎn)品制造商?hào)|芝、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備生產(chǎn)商Juniper、德國(guó)商務(wù)軟件巨頭SAP，以及投資機(jī)構(gòu)Highland資本。　　此外，Violin首席執(zhí)行官唐·巴斯勒(DonBasile)還透露，公司正在為今年底的IPO計(jì)劃尋找合適的銀行家。　　“上周我們進(jìn)行
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Spansion批量生產(chǎn)業(yè)界最高密度單芯片512 Mb串行閃存

　　行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)，日前宣布已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion FL-S串行(SPI) NOR閃存，該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb，具有比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數(shù)據(jù)讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應(yīng)用中極大地提高了用戶體驗(yàn)，例如汽車組合儀表盤(pán)和信息娛樂(lè)系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機(jī)頂盒。　　S
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MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器

MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器能夠?qū)Χ鄠€(gè)系統(tǒng)電壓進(jìn)行管理。MAX16070/MAX16071還可通過(guò)專用的高邊 ...
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NAND FLASU在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要：主要介紹了三星公司的NANDFIJASH存儲(chǔ)器K9K8G08UOM、以FPGA為核心模塊控制K9K8G08UOM的讀操作、寫(xiě)操作...
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NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
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研究顯示智能手機(jī)性能瓶頸在于閃存而非網(wǎng)絡(luò)

　　佐治亞理工學(xué)院和 NEC 合作的一項(xiàng)研究顯示, 盡管大部分專家和普通用戶都認(rèn)為 CPU 和糟糕的無(wú)線網(wǎng)絡(luò)是智能手機(jī)性能問(wèn)題的主要原因, 但事實(shí)上對(duì)于大部分現(xiàn)代智能手機(jī), 存儲(chǔ)設(shè)備速度的落后才是手機(jī)性能低下的罪魁禍?zhǔn)? 糟糕的閃存而非 CPU 速度或網(wǎng)絡(luò)連接導(dǎo)致了瀏覽網(wǎng)頁(yè)和閱讀文檔時(shí)的手機(jī)卡頓. 　　在對(duì)數(shù)款銷量最好的 16GB 存儲(chǔ)卡的測(cè)試中, 研究人員使用了最常見(jiàn)的幾種安卓手機(jī), 結(jié)果發(fā)現(xiàn)在大部分手機(jī)上 NAND 閃存會(huì)導(dǎo)致移動(dòng)應(yīng)用的性能下降兩到三倍. 唯一例外是金士頓的嵌入式存儲(chǔ)卡 - 它導(dǎo)致的
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閃存時(shí)代來(lái)臨：傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)難滿足云計(jì)算需求

　　閃存存儲(chǔ)器將成為云計(jì)算和虛擬化的重要組成部分，現(xiàn)在是時(shí)候拋棄傳統(tǒng)硬盤(pán)了。云計(jì)算和虛擬化已經(jīng)極大地改變了服務(wù)器基礎(chǔ)架構(gòu)，但真正推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)復(fù)興則是固態(tài)硬盤(pán)和閃存的崛起。　　閃存將繼續(xù)為企業(yè)領(lǐng)域帶來(lái)亟需的推動(dòng)作用。從Fusion-io去年的IPO(首次公開(kāi)招股)，到Nutanix和Tintri等最近出現(xiàn)的一系列風(fēng)險(xiǎn)投資支持的創(chuàng)業(yè)公司，閃存的作用正在越來(lái)越大。　　隨著通過(guò)虛擬化和云計(jì)算部署的應(yīng)用和數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)量的增多，傳統(tǒng)硬盤(pán)存儲(chǔ)序列正在成為嚴(yán)重的性能瓶頸，逐漸被市場(chǎng)邊緣化。虛擬化和云計(jì)算基礎(chǔ)架構(gòu)可以減
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]