英飛凌文章進入英飛凌技術社區(qū)

技術洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監(jiān)校對宋清亮英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
關鍵字：英飛凌 GaN

英飛凌2025財年開局略優(yōu)于預期，因匯率影響上調全年業(yè)績展望

●? ?2025財年第一季度：營收為34.24億歐元，利潤為5.73億歐元，利潤率 16.7%?！? ?2025財年第二季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05，預計營收約為36億歐元。在此基礎上，利潤率預計為14%~16%左右?！? ?2025財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05（之前為1:1.10），預計營收將與上一財年持平或略有增長（之前預測為較前一年度略有下降）。調整后的毛利率預計在40%左右，利潤率為14%~19%。預計投資額約
關鍵字：英飛凌 2025財年

英飛凌推出基于MEMS的集成式先進超聲波傳感器

英飛凌科技股份公司在開發(fā)電容式微機械超聲波傳感器（CMUT）技術方面取得重大進展。憑借這項技術，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機電系統(tǒng)（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強大的性能和功能，可廣泛用于開發(fā)新型超聲波應用和改進消費電子、汽車工業(yè)與醫(yī)療技術領域的現(xiàn)有應用。英飛凌科技高級總監(jiān)Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術可以實現(xiàn)很高的信噪比和集成度，因此我們認為該器件代表著行業(yè)的一大突破。我們希望利用這項技術開發(fā)出一個服務于不同行業(yè)多種應用場景的產品平
關鍵字：英飛凌 MEMS 超聲波傳感器

功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱阻

功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》，已經把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計串聯(lián) 并聯(lián)

功率器件熱設計基礎（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計散熱器

功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權平均值或給出設計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計溫度測試

功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結構。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關系如圖所示。平板電容器電容和熱容
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計功率半導體熱容

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱等效模型

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱擴散

功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。為什么引入結構函數？在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導體結溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計結構函數

功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息

前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。驅動IC電流越來越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅動器，驅動電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱系數

英飛凌推出用于智能有刷直流電機應用的新型MOTIX?全橋IC系列

隨著汽車行業(yè)的不斷發(fā)展，曾經的高端功能如今已成為標配。因此，智能低壓電機在塑造未來汽車用戶體驗方面將發(fā)揮日益重要的作用。汽車制造商正在尋求更加可靠、節(jié)能、經濟，同時在惡劣條件下也能正常工作的半導體解決方案。為滿足這一需求，英飛凌科技股份公司近日推出專為有刷直流電機應用設計的全橋/H橋集成電路（IC）產品系列——MOTIX??Bridge BTM90xx。新型BTM90xx?全橋IC不僅豐富了英飛凌的產品陣容，還補充了從驅動器IC到高度集成化系統(tǒng)級芯片（SoC）解決方案的MOTIX?低壓
關鍵字：英飛凌智能有刷直流電機有刷直流電機 MOTIX

英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務

1月20日消息，日前，英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務部門，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（RF）業(yè)務合并為一個專門的組織，以推動公司在傳感器領域的發(fā)展。新的業(yè)務部門SURF（傳感器單元和射頻）將成為電源和傳感器系統(tǒng)（PSS）部門的一部分，并包括以前的汽車和多市場傳感與控制業(yè)務。通過結合其傳感器和射頻專業(yè)知識，英飛凌利用成本和研發(fā)協(xié)同效應加速創(chuàng)新和為客戶提供價值，從而增強其競爭力和上市方法。這一戰(zhàn)略舉措將利用傳感器和射頻市場的巨大市場潛力，預計到2027年將超過200億美元。新業(yè)務部門于2025年1月1日生效
關鍵字：英飛凌傳感器射頻

英飛凌在泰國新建后道工廠，優(yōu)化和豐富生產布局

●? ?英飛凌位于曼谷南部沙沒巴干府的新后道廠破土動工，該廠將擴大公司在亞洲的生產布局●? ?新制造基地對于滿足日益增長的功率模塊需求和以具有競爭力的成本推動公司整體增長至關重要●? ?今年的支出已包含在2025年資本支出預測中，將根據市場需求進一步擴大生產規(guī)模英飛凌科技首席運營官Rutger Wijburg博士英飛凌科技股份公司位于曼谷南部沙沒巴干府（Samut Prakan）的新半導體后道生產基地破土動工，該廠將優(yōu)化并進一步豐富公司的生產布局
關鍵字：英飛凌后道工廠

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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業(yè)創(chuàng)新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細 ]