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一片晶圓到底可以切割出多少晶片?(附30強(qiáng)晶圓代工廠)

  • 一片晶圓到底可以切割出多少晶片?(附30強(qiáng)晶圓代工廠)-一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數(shù)目?這個(gè)要根據(jù)你的die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。目前業(yè)界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡(jiǎn)稱,只不過(guò)這個(gè)吋是估算值。
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聯(lián)電:暫不參與先進(jìn)制程競(jìng)賽 專注提升28和14納米競(jìng)爭(zhēng)力

  •   晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進(jìn)制程競(jìng)賽,專注提升28納米和14納米制程的競(jìng)爭(zhēng)力。共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰指出,將以追求特定領(lǐng)域的市占率進(jìn)入前兩名為目標(biāo),預(yù)估28納米對(duì)營(yíng)收貢獻(xiàn)可于三至四季內(nèi)回到兩成水準(zhǔn)。        聯(lián)電為晶圓雙雄之一,面臨國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)和臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),仍積極布局短、中、長(zhǎng)期發(fā)展策略。簡(jiǎn)山杰指出,公司策略目標(biāo)為創(chuàng)造獲利和擴(kuò)大市占率,決定暫時(shí)不再追求先進(jìn)制程,避免折舊攤提持續(xù)處于高峰而影響獲利目標(biāo)。   簡(jiǎn)山杰認(rèn)為,無(wú)論是5G或物聯(lián)網(wǎng)等,對(duì)于芯片需求仍相當(dāng)巨大
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將DRAM技術(shù)根留臺(tái)灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  •   聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職,不只是員工個(gè)人被起訴,聯(lián)電也被臺(tái)中地檢署根據(jù)違反營(yíng)業(yè)秘密法而被起訴,理由是“未積極防止侵害他人營(yíng)業(yè)秘密”,因此視為共犯。   我們可以從三大層面來(lái)探討聯(lián)電和大陸合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在這個(gè)合作案當(dāng)中,損失了什么?;第二,聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過(guò)程中,有無(wú)竊取美光技術(shù)?;第三,如果企業(yè)沒(méi)有教唆員工竊密,只因?yàn)?ldquo;未積極防范&rdqu
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聯(lián)電暫緩10、7納米制程 不追臺(tái)積電獲外資認(rèn)同

  •   晶圓代工大廠聯(lián)電共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰、王石掌舵近2個(gè)月,營(yíng)運(yùn)轉(zhuǎn)為務(wù)實(shí)導(dǎo)向,不再追趕臺(tái)積電先進(jìn)制程,對(duì)外釋出10、7納米制程暫緩跟進(jìn)訊息,改走自己的路,預(yù)計(jì)靠現(xiàn)有制程提高投資獲利,贏得外資法人認(rèn)同。   隨著蘋(píng)果的iPhone8將上市,由臺(tái)積電以10納米制程代工生產(chǎn)的A11處理器正大量出貨,加上非蘋(píng)陣營(yíng)也將紛紛推出新機(jī)種,臺(tái)積電預(yù)期第3季營(yíng)收將季增近16%,第4季可望強(qiáng)勁成長(zhǎng)。   明年整體營(yíng)運(yùn)好轉(zhuǎn)   聯(lián)電在先進(jìn)制程已大為落后臺(tái)積電,新上任的共同總經(jīng)理檢視市場(chǎng)現(xiàn)實(shí)面,決定暫緩跟進(jìn)10、7納米制程,今
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臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣

  •   據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線,在政策與時(shí)間壓力下,反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性,業(yè)界分析臺(tái)廠未來(lái)勢(shì)必成為大陸首要爭(zhēng)取合作的對(duì)象。   大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè),目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢(shì)力,但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查,緊盯三大廠竊取專利和營(yíng)業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì),仍如火如荼進(jìn)行,并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
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低中高端通吃!臺(tái)積電、聯(lián)電同步擴(kuò)充28納米產(chǎn)能

  •   臺(tái)積電和聯(lián)電同步擴(kuò)充28納米產(chǎn)能。具體而言,臺(tái)積電增幅約二成,由于在此市場(chǎng)上擁有逾七成高市占及高制程成熟度,預(yù)料將是推升臺(tái)積電營(yíng)收和獲利的主力。   臺(tái)積電同時(shí)推出強(qiáng)效版的12納米ULP制程,協(xié)助主力客戶聯(lián)發(fā)科對(duì)戰(zhàn)高通的14納米,挽回市占率流失。   聯(lián)電配合南科廠28納米腳步擴(kuò)充完成,并成功量產(chǎn)14納米產(chǎn)品后,本季也啟動(dòng)廈門(mén)子公司聯(lián)芯的28納米先進(jìn)制程量產(chǎn)計(jì)劃,目標(biāo)則是大陸快速成長(zhǎng)的中低端手機(jī)芯片市場(chǎng)。   臺(tái)積電供應(yīng)鏈表示,臺(tái)積電沖先進(jìn)制程幾乎是火力全開(kāi),其中10納米已為蘋(píng)果A11處理器試產(chǎn)
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聯(lián)電、臺(tái)積電搶進(jìn)高端制程 中芯、華力微進(jìn)展落后

  •   臺(tái)灣12吋廠火速卡位大陸先進(jìn)制程的空缺,近期傳出聯(lián)電廈門(mén)12吋晶圓廠(聯(lián)芯)一箭雙雕,先后拿下展訊、聯(lián)發(fā)科40納米制程大訂單,且近期28納米移轉(zhuǎn)到廈門(mén)12吋廠后,此兩大IC設(shè)計(jì)大客戶也會(huì)陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)28納米生產(chǎn),與臺(tái)積電聯(lián)手在大陸筑起先進(jìn)制程高墻,防堵中芯國(guó)際、華力微電子的28納米崛起!   大陸本土晶圓廠中芯國(guó)際、華力微電子等猛攻28納米先進(jìn)制程,但進(jìn)展卻持續(xù)落后,反而是臺(tái)積電、聯(lián)電近期聯(lián)手下了一盤(pán)好棋,前者用16納米FinFET卡位大陸最先進(jìn)的技術(shù)地盤(pán),后者以28納米技術(shù)補(bǔ)上大陸最缺的制程世代,透過(guò)
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聯(lián)電與新思科技拓展合作 加速14納米制程定制化設(shè)計(jì)

  •   日前,才宣布14納米制程進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段的晶圓代工廠聯(lián)電,14日再與新思科技(Synopsys)共同宣布,雙方將拓展合作關(guān)系,將Synopsys的Custom Compiler和Laker定制化設(shè)計(jì)工具,應(yīng)用于聯(lián)電的14納米FinFET制程上,用以縮短定制化的設(shè)計(jì)工作。   聯(lián)電表示,雙方的此項(xiàng)合作,是為了建立和驗(yàn)證,用于聯(lián)電14納米制程的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)iPDK,并全面支持Custom Compiler,以提供視覺(jué)輔助方案于布局流程。就由此突破性的功能,可縮短客戶于布局和連接FinFET元件所需的時(shí)程
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沖刺先進(jìn)制程 臺(tái)積電/聯(lián)電瘋狂招募新血

  •   晶圓雙雄臺(tái)積電和聯(lián)電沖刺先進(jìn)制程,今年不約而同都同步將對(duì)外招募近2,000位新血,分別沖刺中科和南科廠產(chǎn)能,成為半導(dǎo)體大舉招才二大指標(biāo)廠。臺(tái)積電并預(yù)告未來(lái)二年,因應(yīng)5納米進(jìn)入技術(shù)發(fā)展,仍會(huì)持續(xù)擴(kuò)大征才。   臺(tái)積電近幾年不論在研發(fā)和投資都居臺(tái)廠之冠。該公司去年增加近2,000位員工,是半導(dǎo)體廠中增加員工人數(shù)最多的公司。   臺(tái)積電表示,今年公司在臺(tái)招募人數(shù)仍會(huì)達(dá)1,500~2,000人,但主要會(huì)集中在中科,因應(yīng)10納米放量生產(chǎn)以及7納米進(jìn)行試產(chǎn)。   臺(tái)積電今年相對(duì)南科對(duì)外招募人數(shù)相繼減少,
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沖刺先進(jìn)制程 臺(tái)積電/聯(lián)電瘋狂招募新血

  •   晶圓雙雄臺(tái)積電和聯(lián)電沖刺先進(jìn)制程,今年不約而同都同步將對(duì)外招募近2,000位新血,分別沖刺中科和南科廠產(chǎn)能,成為半導(dǎo)體大舉招才二大指標(biāo)廠。臺(tái)積電并預(yù)告未來(lái)二年,因應(yīng)5納米進(jìn)入技術(shù)發(fā)展,仍會(huì)持續(xù)擴(kuò)大征才。   臺(tái)積電近幾年不論在研發(fā)和投資都居臺(tái)廠之冠。該公司去年增加近2,000位員工,是半導(dǎo)體廠中增加員工人數(shù)最多的公司。   臺(tái)積電表示,今年公司在臺(tái)招募人數(shù)仍會(huì)達(dá)1,500~2,000人,但主要會(huì)集中在中科,因應(yīng)10納米放量生產(chǎn)以及7納米進(jìn)行試產(chǎn)。   臺(tái)積電今年相對(duì)南科對(duì)外招募人數(shù)相繼減少,
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中芯國(guó)際逼近聯(lián)電 大陸半導(dǎo)體制造再上一步

  •   據(jù)最新統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)在全球半導(dǎo)體制造市場(chǎng)的份額比例進(jìn)一步上升,其中作為中國(guó)大陸最大半導(dǎo)體制造代工廠的中芯國(guó)際在全球前四大半導(dǎo)體制造廠中增速最快,與中國(guó)臺(tái)灣的聯(lián)電進(jìn)一步縮短了差距。   目前全球前四大代工廠分別是臺(tái)積電、GF、聯(lián)電和中芯國(guó)際。臺(tái)積電憑借著領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)正在進(jìn)一步拉開(kāi)差距,2016年其在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的份額進(jìn)一步抬升到59%,老大地位無(wú)可動(dòng)搖。   GF在經(jīng)過(guò)幾年的停滯后,去年罕有的取得了10%的營(yíng)收增長(zhǎng),因它從三星購(gòu)買(mǎi)來(lái)14nm FinFET工藝,贏回了部分AMD的訂單,市場(chǎng)份額
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聯(lián)電14納米拚量產(chǎn)首家客戶BitFury 為廈門(mén)廠28納米鋪路

  •   臺(tái)積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)高階制程戰(zhàn)火趨烈,聯(lián)電亦傳出14納米FinFET制程力拚2017年第2季小量出貨,但搶下頭香的并非是移動(dòng)通訊客戶,而是比特幣礦機(jī)制造商BitFury,由于聯(lián)電亟需14納米量產(chǎn)記錄,以突破政府對(duì)于先進(jìn)制程N(yùn)-1世代登陸的限制,內(nèi)部目標(biāo)是2017年中讓廈門(mén)12吋廠進(jìn)入28納米生產(chǎn),BitFury訂單量雖不大,但對(duì)于聯(lián)電而言將是雪中送炭。   聯(lián)電規(guī)劃廈門(mén)12吋廠時(shí),對(duì)外公布是從40/55納米制程切入,但當(dāng)時(shí)設(shè)備商就傳出聯(lián)電采購(gòu)
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聯(lián)電宣布與APM合作 進(jìn)軍MEMS市場(chǎng)

  •   聯(lián)電(2303)今與專業(yè)MEMS晶圓代工廠亞太優(yōu)勢(shì)微系統(tǒng)(APM)共同宣布建立合作關(guān)系,為雙方客戶提供更優(yōu)質(zhì)的MEMS生產(chǎn)服務(wù)。聯(lián)電將運(yùn)用本身8寸和12寸晶圓廠生產(chǎn)能力,結(jié)合APM的6寸晶圓廠及其豐富的MEMS專業(yè)知識(shí)和原型開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),為晶片設(shè)計(jì)人員提供高靈活度、高擴(kuò)充性的端對(duì)端MEMS生產(chǎn)解決方案。   聯(lián)電企業(yè)行銷(xiāo)處資深副總簡(jiǎn)山杰表示,聯(lián)電在生產(chǎn)MEMS產(chǎn)品方面頗具成就,產(chǎn)品廣泛運(yùn)用于麥克風(fēng)、加速度計(jì)和環(huán)境感測(cè)器。與APM建立合作關(guān)系后,即能擴(kuò)大服務(wù)MEMS的潛在市場(chǎng),以滿足蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域?yàn)?/li>
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臺(tái)積電聯(lián)電半導(dǎo)體展同場(chǎng)談未來(lái)策略

  •   國(guó)際半導(dǎo)體展即將于9月7日登場(chǎng),兩大晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)劉德音及顏博文將共同出席CEO高峰論壇,探討未來(lái)的策略。   國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)主辦的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年度盛事國(guó)際半導(dǎo)體展,將于9月7日至9日在中國(guó)臺(tái)北南港展覽館舉行。   SEMI指出,將有700家廠商參展,展出攤位超過(guò)1600個(gè),預(yù)計(jì)將吸引超過(guò)4.3萬(wàn)人次參觀。   國(guó)際半導(dǎo)體展今年共規(guī)劃16大專門(mén)展區(qū),其中,包括8大熱門(mén)主題展區(qū),分別為自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)、化學(xué)機(jī)械研磨、高科技廠房設(shè)施、材料、精密機(jī)械、二手設(shè)備、智能制造、以及工
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聯(lián)電0.18微米新制程方案通過(guò)認(rèn)證 加速進(jìn)入汽車(chē)電子市場(chǎng)

  •   晶圓代工廠聯(lián)電1日宣布,其0.18微米雙極-互補(bǔ)-擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技術(shù)平臺(tái),已通過(guò)業(yè)界最嚴(yán)格的AEC-Q100Grade-0車(chē)用電子矽芯片驗(yàn)證。未來(lái),對(duì)于聯(lián)電加緊腳步介入汽車(chē)電自市場(chǎng)領(lǐng)域,將有重大的影響。   根據(jù)聯(lián)電發(fā)出的新聞稿指出,0.18微米雙極-互補(bǔ)-擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技術(shù)平臺(tái),包含符合車(chē)用標(biāo)準(zhǔn)的FDK及矽智財(cái)解決方案,可用于車(chē)用電子之應(yīng)用芯片如電源管理芯片進(jìn)行量產(chǎn)。成功通過(guò)車(chē)規(guī)驗(yàn)證之制程方案后,聯(lián)華電子所制造
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聯(lián)電介紹

臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺(tái)灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠(chéng)、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請(qǐng)件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺(tái)積電第三;就取得美國(guó)專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺(tái)積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]

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