碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

據(jù)深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)
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第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

簡介本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運(yùn)營官我們正在按計(jì)劃實(shí)施SiC產(chǎn)品
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詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現(xiàn)分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應(yīng)離子蝕刻碳化硅反應(yīng)離子蝕刻案例ICP的應(yīng)用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當(dāng)器件尺寸進(jìn)入亞微米級（<1μm）時(shí)，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W(xué)穩(wěn)定性挑戰(zhàn)：SiC的化學(xué)穩(wěn)定性極高（Si-C鍵合強(qiáng)度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
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第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)

低壓功率MOSFET設(shè)計(jì)用于以排水源電壓運(yùn)行，通常低于100 V，但具有與高壓設(shè)計(jì)相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應(yīng)用，即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以下內(nèi)容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。由于其先進(jìn)的結(jié)構(gòu)和材料，低壓MOSFE
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設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_開關(guān)

DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動(dòng)力，可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_連接開關(guān)時(shí)，需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，并為高壓，高電流電池?cái)嚅_開關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動(dòng)保護(hù)限制的重要性?！　拵О雽?dǎo)體技術(shù)的優(yōu)勢需要仔細(xì)考慮以選擇的半導(dǎo)體材料以實(shí)現(xiàn)具有的狀態(tài)阻力，的離狀態(tài)泄漏電流，
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碳化硅大風(fēng)，吹至半導(dǎo)體設(shè)備

2025年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵發(fā)展節(jié)點(diǎn)，正式步入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨之后，碳化硅設(shè)備領(lǐng)域又傳動(dòng)態(tài)：中導(dǎo)光電拿下SiC頭部客戶重復(fù)訂單。近日，中導(dǎo)光電的納米級晶圓缺陷檢測設(shè)備NanoPro-150獲得國內(nèi)又一SiC頭部客戶的重復(fù)訂單，該設(shè)備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設(shè)備產(chǎn)品還成功贏得了國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)頭部企業(yè)的重復(fù)訂單。中導(dǎo)光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，通過高精度多
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如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對長時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時(shí)切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負(fù)載快速變化時(shí)發(fā)生，線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個(gè)問題可通過輸入保護(hù)電路來解決，比如圖
關(guān)鍵字：過壓保護(hù) 開關(guān)浪涌 MOSFET

瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能?；谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)自行車、充電站、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極與源極之間的電阻）
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牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加
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基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_開關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

得益于固態(tài)電路保護(hù)，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_開關(guān)時(shí)，需要考慮幾項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池?cái)嚅_開關(guān)的半導(dǎo)體封裝時(shí)的一些設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護(hù)限值的重要性。寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的優(yōu)勢在選擇最佳半導(dǎo)體材料時(shí)，應(yīng)考慮多項(xiàng)特性。目標(biāo)是打造兼具最
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英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

英飛凌1992年開始碳化硅技術(shù)研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導(dǎo)體公司之一。2001年推出世界上第一個(gè)商用碳化硅二極管，此后生產(chǎn)線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術(shù)，2024年推出了集成.XT技術(shù)的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領(lǐng)碳化硅技術(shù)發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產(chǎn)品及技術(shù)方面的進(jìn)展及其在工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的應(yīng)用和
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅能源工業(yè)設(shè)備