電流文章進(jìn)入電流技術(shù)社區(qū)

一個(gè)高端電流檢測(cè)方案

隨著過(guò)去傳統(tǒng)的“開(kāi)環(huán)”系統(tǒng)被智能和高效率“閉環(huán)”設(shè)計(jì)所取代，準(zhǔn)確的電流檢測(cè)在多種應(yīng)用中變得越來(lái)越重要。常見(jiàn)的電流檢測(cè)方法，需要將檢流電阻串聯(lián)進(jìn)被測(cè)電流通路，再用放大電路放大檢流電阻上的壓降。這個(gè)放大電路常被稱(chēng)之為電流檢測(cè)放大器，其越來(lái)越被廣泛地運(yùn)用于汽車(chē)、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。分立方案集成方案對(duì)于電流檢測(cè)放大器電路設(shè)計(jì)目前主要可以分為分立方案以及集成方案下面小編主要為大家梳理比較一下分立及集成方案的特點(diǎn)基礎(chǔ)知識(shí)01分立運(yùn)放搭建的差分放大器方案這是一個(gè)分立運(yùn)放搭建的差分放大器（下文簡(jiǎn)稱(chēng)為分立方案）增益當(dāng)滿(mǎn)足
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使用電流檢測(cè)電阻精確測(cè)量電流的設(shè)計(jì)技巧！原理、選型、設(shè)計(jì)都有

什么是電流檢測(cè)電阻？在許多通用電子應(yīng)用中，通常都需要電流感應(yīng)來(lái)監(jiān)控和控制應(yīng)用。例如：電池充電器電路需要電流感應(yīng)技術(shù)從驅(qū)動(dòng)器、控制器的角度確定充電電流。不同類(lèi)型的電流傳感器具有不同的電流傳感技術(shù)，用來(lái)測(cè)量或者檢測(cè)電流。電流檢測(cè)最常用且最具成本效益的解決方案是分流電流傳感器，也就是檢測(cè)電阻。電流檢測(cè)電阻類(lèi)似于普通電阻，但具有非常低的電阻額定值和高額定功率。這些具有已知電阻值 (R) 的分流電阻放置在電流傳導(dǎo)路徑中，可以讓要測(cè)量的全部電流 (I) 流過(guò)電阻。電流檢測(cè)電阻電流檢測(cè)電阻工作原理分流意味著為電路提供不
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Bourns 全新 TLVR 電感器，提供極大的電流能力，滿(mǎn)足當(dāng)今數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用效能需求

Bourns? TLVR1005T 和 TLVR1105T 系列采用雙繞組結(jié)構(gòu)和低感值設(shè)計(jì)，可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)，并可依據(jù) CPU、FPGA 和 ASIC 負(fù)載要求進(jìn)行延展2024年5月16日 - 美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出全新TLVR1005T和TLVR1105T系列多相跨電感器電壓調(diào)節(jié)器 (TLVR) 電感器。具有極大的電流能力、低感值和低 DC 阻值 (DCR)，旨在滿(mǎn)足當(dāng)今數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用性能需求。這類(lèi)應(yīng)用在處理性能方面不斷發(fā)展，并且需要支持能
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為什么電機(jī)啟動(dòng)電流大？啟動(dòng)后電流又小了？

電機(jī)啟動(dòng)電流到底有多大？電機(jī)的啟動(dòng)電流是額定電流的多少倍說(shuō)法不一，很多都是根據(jù)具體情況來(lái)說(shuō)的。如說(shuō)十幾倍的、6~8倍的、5~8倍的、5~7倍的等。一種是說(shuō)法說(shuō)在啟動(dòng)瞬間(即啟動(dòng)過(guò)程的初始時(shí)刻)電機(jī)的轉(zhuǎn)速為零時(shí),這時(shí)的電流值應(yīng)該是它的堵轉(zhuǎn)電流值。對(duì)最經(jīng)常使用的Y系列三相異步電動(dòng)機(jī)，在JB/T 10391 《Y系列三相異步電動(dòng)機(jī)》標(biāo)準(zhǔn)中就有明確的規(guī)定。其中5.5kW電機(jī)的堵轉(zhuǎn)電流與額定電流之比的規(guī)定值如下：· 同步轉(zhuǎn)速3000時(shí)，堵轉(zhuǎn)電流與額定電流之比為7.0；· 同步轉(zhuǎn)速1500時(shí)，堵轉(zhuǎn)電流與額定電流之比為
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結(jié)溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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如何為 ADAS 處理器提供超過(guò) 100A 的電流

高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS），包括自動(dòng)駕駛視覺(jué)分析、泊車(chē)輔助和自適應(yīng)控制功能中的汽車(chē)系統(tǒng)電氣化日益普及。智能連接、安全關(guān)鍵型軟件應(yīng)用以及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理都需要增強(qiáng)的實(shí)時(shí)計(jì)算能力。要滿(mǎn)足這些高級(jí)要求，需要能夠支持超過(guò)100A的電子控制單元 (ECUs) 的多核處理器，例如 TDA4VH-Q1。不過(guò)，高功率也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，包括實(shí)現(xiàn)更高電流軌的高效率、在滿(mǎn)載條件下控制熱性能和負(fù)載瞬態(tài)以及滿(mǎn)足功能安全需求。提供 ADAS 處理能力TPS62876-Q1 降壓轉(zhuǎn)換器通過(guò)全新的堆
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基于onsemi NCV48920 的車(chē)規(guī)傳感器供電方案

本方案采用charge pump拓?fù)浼軜?gòu)的核心技術(shù)有效節(jié)省空間，提供車(chē)規(guī)級(jí)集成極低靜態(tài)電流轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)Low Iq，Low EMI并達(dá)到效率要求。采用NCV48920實(shí)現(xiàn)汽車(chē)傳感器系統(tǒng)5v供電。參數(shù)：Vin =6v~36v Vout=5v Iout <400mA 性能：全輸入范圍效率接近80%，超低Iq<1.5uA。優(yōu)勢(shì)：NCV48920需要非常低的負(fù)載電阻即可穩(wěn)定恒壓超低文波電流輸出。極少外部
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基于NXP S32K144的自適應(yīng)汽車(chē)大燈方案

IoT的發(fā)展帶動(dòng)各式各樣產(chǎn)品的互聯(lián)互通，智慧城市，智慧家庭，智慧交通等等貼近生活的方方面面也都是這樣。萬(wàn)物相連，萬(wàn)物互通，就是物聯(lián)網(wǎng)的初衷。時(shí)下智慧汽車(chē)行業(yè)也將傳統(tǒng)汽車(chē)行業(yè)拉進(jìn)了智能化，讓自動(dòng)駕駛，讓ADAS，讓360環(huán)視等等高科技技術(shù)都應(yīng)用在了汽車(chē)身上。汽車(chē)上有最復(fù)雜的傳感感知系統(tǒng)，有最先進(jìn)的控制單元，有最安全的數(shù)據(jù)通訊和存儲(chǔ)。這一切的一切，都體驗(yàn)出科技的發(fā)展。品佳集團(tuán)一直致力于汽車(chē)行業(yè)產(chǎn)品方案的設(shè)計(jì)與推廣，同時(shí)也會(huì)配合在汽車(chē)市場(chǎng)占有主導(dǎo)地位的NXP公司開(kāi)發(fā)一些汽車(chē)產(chǎn)品方案。此前NXP分別在第一代日間行
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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問(wèn)題探究

1 引言
MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會(huì)產(chǎn)生電流分配不均的問(wèn)題，關(guān)于此問(wèn)題，
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電流不連續(xù)狀念下LLC諧振型DC/DC變換器的分析與最佳設(shè)計(jì)

分析了LLC諧振變換器工作在DCM狀態(tài)的特性和參數(shù)最佳確定方法，給出了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，實(shí)驗(yàn)證明理論分析與實(shí)驗(yàn)結(jié)果完全一致，為L(zhǎng)LC諧振變換器的準(zhǔn)確設(shè)計(jì)
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把1NA~100UA的電流轉(zhuǎn)換成0.1HZ~10KHZ的電流-頻率轉(zhuǎn)換電路

IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負(fù)6次方/800*10的負(fù)12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時(shí)間林約是9MS，頻率為111HZ。實(shí)際上必須加上上升時(shí)間，
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基于ICE2PCS01的有源功率因素校正的電路設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)開(kāi)關(guān)電源中的整流電路和其本身的非線(xiàn)性負(fù)載特性產(chǎn)生大量諧波污染公共電網(wǎng)問(wèn)題，提出了一種高功率因素校正電路。采用英飛凌(Infineon)公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驅(qū)動(dòng)MOSFET開(kāi)關(guān)管，并
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關(guān)于pcb線(xiàn)寬和電流的經(jīng)驗(yàn)公式

　　關(guān)于pcb線(xiàn)寬和電流的經(jīng)驗(yàn)公式，關(guān)系表和軟件網(wǎng)上有很多，在實(shí)際的PCB板設(shè)計(jì)中，需要綜合考慮PCB板的大小，通過(guò)電流，選擇一個(gè)合適的線(xiàn)寬?！　CB線(xiàn)寬與電流關(guān)系　　計(jì)算方法如下：　　先計(jì)算Track的截面積，大部分PCB的銅箔厚度為35um(不確定的話(huà)可以問(wèn)PCB廠家)它乘上線(xiàn)寬就是截面積，注意換算成平方毫米?！　∮幸粋€(gè)電流密度經(jīng)驗(yàn)值，為15~25安培/平方毫米。把它稱(chēng)上截面積就得到通流容量?！　=KT0.44A0.75　　K為修正系數(shù)，一般覆銅線(xiàn)在內(nèi)層時(shí)取0.024，在外層時(shí)取0.048　　T為
關(guān)鍵字： pcb 線(xiàn)寬電流

發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？

發(fā)光二極管就是俗稱(chēng)的LED，由于較容易入門(mén)且普及率高，很多新手在進(jìn)行入門(mén)學(xué)習(xí)時(shí)經(jīng)常會(huì)選擇發(fā)光二極管來(lái)入手。本文將對(duì)發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系
關(guān)鍵字：發(fā)光二極管 MOS 電流

解析溫度對(duì)輸入偏置電流的影響

之前我們看了CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來(lái)源，發(fā)現(xiàn)其主要由一個(gè)或幾個(gè)反向偏置的PN節(jié)的漏電流組成。文章結(jié)尾引出了一個(gè)警示，這些漏電流隨著溫度
關(guān)鍵字：溫度電流 CMOS 二極管

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電流介紹

是指電荷的定向移動(dòng)。電壓是使電路中電荷定向移動(dòng)形成電流的原因。電流的大小稱(chēng)為電流強(qiáng)度（簡(jiǎn)稱(chēng)電流，符號(hào)為I），是指單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)某一截面的電荷量，每秒通過(guò)一庫(kù)侖的電量稱(chēng)為一安培（A）。安培是國(guó)際單位制中所有電性的基本單位。除了A，常用的單位有毫安（mA）及微安（μA）。目錄 1 簡(jiǎn)介 2 單位 3 安培簡(jiǎn)介 4 產(chǎn)生的條件 5 計(jì)算 6 測(cè)量工具——電流表 7 [ 查看詳細(xì) ]