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長江存儲拆臺三星與海力士的存儲帝國

  • 　　因宣布入股臺灣多家半導體公司，而鬧得滿城風雨的中國清華紫光集團董事長趙偉國，銷聲匿跡一段時間，現(xiàn)在又重現(xiàn)江湖。 　　這回，他將掌管整合后的中國記憶體最新國家隊──資本額一八九億人民幣(約八七七億臺幣)、于七月二十六日宣布成立的長江存儲。 　　經(jīng)營房地產(chǎn)致富的趙偉國，過去接受記者專訪時，一再強調他一系列遍布美國、臺灣的半導體業(yè)投資，純粹出于商業(yè)考量，并非中國政府授意。 　　然而，“長江存儲董事長”這個新身分，代表他已是中國國家半導體政策的主導者之一。 　　根據(jù)報導，湖北省
  • 關鍵字： 三星  海力士  

三星海力士DRAM市場占有率繼續(xù)增長 營收不增反降

  • 　　市調機構TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。 　　盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。 　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總三星與海力士市占率，從去年第四
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  

大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當其沖

  • 　　工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。 　　聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發(fā)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關制程技術，引起各界關注。 　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。 　　楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
  • 關鍵字： DRAM   海力士  

三星海力士入圍半導體制造商前三甲

  • 　　北京時間13日 韓聯(lián)社報道，據(jù)美國知名半導體市場調研機構IC Insights13日消息，三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲，而全球十大芯片設計公司(Fabless)中沒有一家韓國企業(yè)?！　≡?015年整合元件制造商銷售排名中，三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三，而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩(wěn)居榜首。在芯片設計企業(yè)方面，高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一，安華高-博通(57.34, -0
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紫光入股韓國海力士半導體遭拒

  • 　　北京時間11月27日下午消息，韓國芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團的合作要約，但并未提供詳細信息。 最近有媒體報道稱，紫光集團計劃收購海力士最多20%的股權。但該發(fā)言人拒絕對此置評。 紫光集團發(fā)言人稱，該公司尚未留意相關事項。 　　   　　SK海力士股價周三和周四累計大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。 　　紫光集團今年早些時候斥資230億美元洽購美光集團，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項交易。
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DRAM現(xiàn)貨價跌破2美元 歷史新低

  • 　　動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價已跌破2美元大關，達1.96美元，創(chuàng)歷史新低價。 　　DRAM市場庫存問題依然嚴重，DRAM現(xiàn)貨價如預期持續(xù)滑落，據(jù)市調機構集邦科技調查，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價。 　　第4季來DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 　　南亞科預期，DRAM價格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價格將較第3季微幅下滑。 　　只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守，表示目前市場已
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲器雙雄掀軍備競賽

  • 　　昨日南韓半導體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴產(chǎn)計畫，隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場正式進入新一輪的軍備競賽。 　　三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過去幾個月已進行過試產(chǎn)，年底將全面啟用。 　　另外，三星目前在平澤市還有一半導體廠正在興建，三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對單一半導體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內將投
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海力士擴產(chǎn) DRAM不妙

  • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規(guī)模的支出可能導致供給過剩，或引爆價格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 　　受市場憂心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  

三星大敵當前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達成和解，與此同時，雙方還將擴大專利合作，正式成為伙伴關系。 　　SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給海力士，但在雙方達成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進一步就專利授權取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權利金，并供應DRAM予SanDisk，時間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
  • 關鍵字： 海力士  SanDisk  

海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產(chǎn)階段，預計9月開始對客戶出貨。 　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
  • 關鍵字： 海力士  NAND  

海力士高頻寬存儲器封裝圖文揭密

  • 　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。 　　   　　圖1：HBM模組橫截面示意圖 　　(來
  • 關鍵字： 海力士  存儲器  

海力士高頻寬存儲器封裝揭密

  • 　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。 　　圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
  • 關鍵字： 海力士  存儲器  

拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設備

  • 　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉進新制程，拉高戰(zhàn)力。 　　韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉進3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
  • 關鍵字： SK 海力士  DRAM  

三星移動DRAM市占破5成，臺廠邊緣化、海力士也挨打

  • 三星移動終端受挫，但是呢人家在DRAM領域悶聲發(fā)大財。
  • 關鍵字： 三星  SK 海力士  

突破細微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術

  • 　　全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術「納米壓印技術(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關鍵技術，目標為在2017年實用化。 　　東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權案一事達成和解，海力士(
  • 關鍵字： 東芝  海力士  
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海力士介紹

海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價格操控與處份 200 [ 查看詳細 ]

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