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海力士美光指責(zé)Rambus將技術(shù)失敗歸咎對(duì)手

  • 　　海力士半導(dǎo)體和美光律師在法院上表示，Rambus在內(nèi)存芯片上伎倆骯臟，自己在技術(shù)上失敗卻怪罪于競爭對(duì)手。本周二，海力士公開一份聲明，代表律師肯尼斯·尼斯利(Kenneth Nissly)說Rambus RDRAM內(nèi)存技術(shù)在設(shè)計(jì)和技術(shù)上存在問題，盡管在早期得到了英特爾的支持，卻未能廣泛被采納。
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海力士轉(zhuǎn)換NAND Flash制程　主打26納米產(chǎn)品

  • 　　韓國半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 　　NAND Flash為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

  • 　　南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 　　NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
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海力士半導(dǎo)體工廠蒸鍍?cè)O(shè)備氣體外泄

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點(diǎn)50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍?cè)O(shè)備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當(dāng)，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。 　　
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海力士一季度凈利潤2.54億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，全球第二大電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，今年第一季度海力士實(shí)現(xiàn)凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個(gè)人電腦需求低迷導(dǎo)致芯片價(jià)格下滑影響。 　　
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2010韓國電子制造設(shè)備業(yè)發(fā)展迅速

  • 　　2010年韓國半導(dǎo)體、顯示器設(shè)備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國僅2間企業(yè)年度銷售逾2,000億韓元，過去韓國半導(dǎo)體及顯示器設(shè)備國產(chǎn)業(yè)者積極推動(dòng)事業(yè)多元化及擴(kuò)大出口，形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)以建構(gòu)可永續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，目前正快速成長中。根據(jù)韓國電子公示系統(tǒng)(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關(guān)業(yè)者表示，2010年銷售突破2,000億韓元的設(shè)備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

  • 　　2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時(shí)隔10年，海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時(shí)，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?！?/li>
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海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開定期股東大會(huì)，社長權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。 　
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海力士宣布下一代DDR4內(nèi)存開發(fā)完畢

  • 　　三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范?！?/li>
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海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開定期股東大會(huì)，社長權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。 　　
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海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

  • 　　全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。 　　海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢(shì)。 　　
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海力士加入美國芯片三維互連研究計(jì)劃

  • 　　韓國海力士半導(dǎo)體日前正式加入美國SEMATECH的一項(xiàng)有關(guān)芯片三維互連研究計(jì)劃，這一研究主要由美國Albany大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)，SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導(dǎo)體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實(shí)現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個(gè)方向、而且還有可能降低制造成本?！?/li>
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海力士擬將于3月前注資5.67億美元擴(kuò)廠

  • 　　據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，全球第2大存儲(chǔ)器芯片廠海力士(Hynix)發(fā)布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進(jìn)行資本投資。 　　據(jù)海力士計(jì)劃，該筆資金將用于擴(kuò)張既有廠房、設(shè)備升級(jí)與研究開發(fā)工作。該公司公開說明指出，本次投資規(guī)畫旨在因應(yīng)市場需求與成本競爭壓力加劇。
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海力士將投資5.68億美元擴(kuò)建工廠和支持研發(fā)

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，韓國半導(dǎo)體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴(kuò)大和升級(jí)現(xiàn)有工廠，以及開展研發(fā)工作。 　　
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全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競賽3缺1

  • 　　存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!　　
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海力士介紹

海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價(jià)格操控與處份 200 [ 查看詳細(xì) ]

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