晶閘管文章進(jìn)入晶閘管技術(shù)社區(qū)

變頻器應(yīng)用中的干擾問題及其對策

在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中，隨著變頻器等電力電子裝置的廣泛使用，系統(tǒng)的電磁干擾（EMI）日益嚴(yán)重，相應(yīng)的抗干擾設(shè)計...
關(guān)鍵字：變頻器干擾晶閘管環(huán)流

高壓晶閘管串聯(lián)閥觸發(fā)電路的設(shè)計

隨著柔性交流輸電和高壓直流輸電設(shè)備在電力系統(tǒng)中越來越多的應(yīng)用，使晶閘管在高電壓大電流場合下的設(shè)計使...
關(guān)鍵字：晶閘管串聯(lián)閥觸發(fā)電路

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展綜述

從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳...
關(guān)鍵字：高能效功率電子晶閘管智能電源

用EDA設(shè)計全數(shù)字三相昌閘管觸發(fā)器IP軟核

IP(IntellectualPropcrty)就是常說的知識產(chǎn)權(quán)。美國Dataquest咨詢公司將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的IP定義為用于ASIC...
關(guān)鍵字： IP核晶閘管 EDA VHDL

低壓無功補(bǔ)償中晶閘管電子開關(guān)模塊的特點與應(yīng)用

分析了低壓無功補(bǔ)償裝置的開關(guān)特點，介紹了交流接觸器以及新型晶閘管電子開關(guān)模塊在無功補(bǔ)償裝置中的優(yōu)缺點，同時對晶閘管電子開關(guān)模塊在用于投切時的情況進(jìn)行了模擬試驗，并給出了相關(guān)的波形。
關(guān)鍵字：低壓無功補(bǔ)償晶閘管電子開關(guān) 模塊

晶閘管SCR觸發(fā)驅(qū)動器及電路

晶閘管SCR觸發(fā)驅(qū)動器及電路為觸發(fā)SCR開通，門極脈沖電流必須有足夠大的幅度和持續(xù)時間，以及盡可能短的電流上升時間。采用脈沖變壓器（PTR）和晶體管放大器（TRA）的驅(qū)動器如右圖所示。
左圖為SCR的一個簡單光電隔離
關(guān)鍵字： SCR 晶閘管觸發(fā)驅(qū)動器電路

晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

關(guān)鍵字：靜止變頻技術(shù) 功率器件晶閘管 IGBT

中國南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

　　新聞事件：　　中國南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地　　事件影響：　　國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn) 　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。　　為滿足國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶閘管 IGBT封裝

中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

　　中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷，該基地的投產(chǎn)運行將加速推動國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。　　大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來，國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口，價格昂貴，嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶閘管 IGBT

ST推出高溫柵靈敏型雙向晶閘管

　　晶閘管和雙向晶閘管市場領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體推出首款柵靈敏度10mA、額定工作溫度高達(dá)150℃的雙向晶閘管。通過節(jié)省散熱器、柵驅(qū)動電源和緩沖電路，新產(chǎn)品可以讓設(shè)計人員為加熱器、電機(jī)、小家電開發(fā)低成本的電源驅(qū)動解決方案。　　全新產(chǎn)品T410H、T610H、T810H和T1010H的最大額定電流分別為4A、6A、8A和10A。10mA的低柵電流讓雙向晶閘管可直接進(jìn)行邏輯級開關(guān)操作，這個優(yōu)點可減少元器件的數(shù)量，降低電源的尺寸和成本。此外，柵電流低還可以讓晶閘管保持高動態(tài)性能，在150℃時，可以保持最小額
關(guān)鍵字： ST 晶閘管電源驅(qū)動緩沖電路

單片機(jī)芯片的三相半控整流電路設(shè)計

整流電路廣泛應(yīng)用在直流電機(jī)調(diào)速，直流穩(wěn)壓電壓等場合。而三相半控整流橋電路結(jié)構(gòu)是一種常見的整流電路，其容易控制，成本較低。本文中介紹了一種基于 PIC690單片機(jī)與專用集成觸發(fā)芯片TC787的三相半控整流電路，它結(jié)
關(guān)鍵字：電路設(shè)計整流三相芯片單片機(jī) 單片機(jī) 三相半控整流 PIC690 晶閘管 PWM 驅(qū)動電路

一種基于TCF792的晶閘管整流電路的設(shè)計

1 引言　　TCF92A、CF792B是單相、三相通用數(shù)字相位控制觸發(fā)電路。該系列器件具有單相同步輸入信號和數(shù)字 ...
關(guān)鍵字：整流電路晶閘管相位控制/軟啟動 TCF792

晶閘管(SCR)原理

　　晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡稱，俗稱可控硅（SCR），其正式名稱應(yīng)是反向阻斷三端晶閘管。除此之外，在普通晶閘管的基礎(chǔ)上還派生出許多新型器件，它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor，F(xiàn)ST)、反向?qū)ǖ哪鎸?dǎo)晶閘管(reverse conducting thyristor，RCT)、兩個方向都具有開關(guān)特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門極可以自行關(guān)斷的門極可關(guān)斷晶閘管（gate turn off thyristor，GTO）、門極輔助關(guān)斷晶閘管(g
關(guān)鍵字：晶閘管半導(dǎo)體材料

晶閘管的保護(hù)措施

1、過電壓保護(hù) 　　晶閘管對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。　　過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾
關(guān)鍵字：晶閘管半導(dǎo)體材料

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晶閘管介紹

全稱晶體閘流管。俗稱可控硅。一種包含3個或3個以上PN結(jié)，能從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，或由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)的雙穩(wěn)態(tài)電力電子器件。它泛指所有PNPN類型的開關(guān)管，也可表示這類開關(guān)管中的任一器件。自1957年美國貝爾電話實驗室將第一只晶閘管用于工業(yè)領(lǐng)域以來，由于它的優(yōu)異性能，很快受到各國重視。隨著新材料的出現(xiàn)，新工藝的采用，單只晶閘管的電流容量從幾安發(fā)展到幾千安，耐壓等級從幾百伏提高到幾千伏，工作頻率大大提高，器件 [ 查看詳細(xì) ]