晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號(hào)擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時(shí)低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)）的發(fā)熱量。先進(jìn)的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車領(lǐng)域。　　華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項(xiàng)重要性能，也是我們獲得世界首個(gè)筆記本電腦T
關(guān)鍵字： VCEsat 單片機(jī) 恩智浦晶體管嵌入式系統(tǒng)

英特爾發(fā)布晶體管技術(shù)重大突破

英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計(jì)方面取得了一個(gè)最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強(qiáng)®系列多核處理器中，將置入數(shù)以億計(jì)的這種微觀晶體管或開關(guān)。英特爾公司同期宣布已有五種早期版本的產(chǎn)品正在運(yùn)行，這是公司計(jì)劃中的15款45納米處理器產(chǎn)品的第一批。在臺(tái)式機(jī)、筆記本和服務(wù)器領(lǐng)域，晶體管技術(shù)的提升使得公司能夠繼續(xù)創(chuàng)造出處理器計(jì)算速度的全新紀(jì)錄
關(guān)鍵字：晶體管英特爾

瑞薩硅鍺功率晶體管可降低無線LAN功耗

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能，可用于諸如無線LAN終端、數(shù)字無繩電話和RF(射頻)標(biāo)簽讀/寫機(jī)等產(chǎn)品。作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對(duì)傳輸無線LAN終端設(shè)備等RF前端功率進(jìn)行放大。　　RQG2003的功能總結(jié)如下：　　業(yè)界最高的性能水
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瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點(diǎn)及以上工藝芯片晶體管技術(shù)

瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點(diǎn)及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術(shù) --可以經(jīng)濟(jì)地生產(chǎn)帶有采用金屬（P型）和多晶硅（N型）柵極混合結(jié)構(gòu)的CMIS晶體管而不必對(duì)現(xiàn)有的制造工藝進(jìn)行重要改變— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，開發(fā)出一種可用于45nm（納米）節(jié)點(diǎn)及以上工藝微處理器和SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）產(chǎn)品的高性能和低成本晶體管技術(shù)。新開發(fā)的技術(shù)包括采用P型晶體管金屬柵極，以及N型晶體管傳統(tǒng)多晶硅柵極的混合結(jié)構(gòu)的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
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ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機(jī)會(huì)。商用照明應(yīng)用市場對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
關(guān)鍵字： MOSFET ST 電源技術(shù) 晶體管模擬技術(shù) 消費(fèi)電子意法半導(dǎo)體照明消費(fèi)電子

低頻功率放大器

功率放大是一種能量轉(zhuǎn)換的電路，在輸入信號(hào)的作用下，晶體管把直流電源的能量，轉(zhuǎn)換的電路。 ...
關(guān)鍵字：放大器晶體管功率

一種改善DDS性能的倍頻方法

介紹了一種利用倍頻的方法來改善DDS的上限頻率和雜散電平。首先對(duì)DDS的原理和雜散進(jìn)行分析，在此基礎(chǔ)上提出了 ...
關(guān)鍵字：直接數(shù)字合成（DDS）技術(shù) 晶體管倍頻

安森美音頻晶體管可快速精確調(diào)整偏置

　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出ThermalTrak輸出晶體管新系列，具有內(nèi)部偏置控制的獨(dú)特功能，該器件為用于高端和具成本優(yōu)勢的消費(fèi)電子音頻應(yīng)用及大功率專業(yè)聲音系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，提高整體音質(zhì)，簡化設(shè)計(jì)。　　安森美半導(dǎo)體的音頻輸出晶體管采用ThermalTrak專利技術(shù)，消除累積預(yù)熱時(shí)間，能快速精確地調(diào)整偏置。實(shí)時(shí)溫度檢測讓設(shè)計(jì)人員更精確地監(jiān)控工作溫度，提高音質(zhì)和偏置穩(wěn)定性。該器件系列無需輸出驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路和昂貴的人手偏置調(diào)整，大大簡化了放大器設(shè)計(jì)。　　其中，
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實(shí)現(xiàn)過載延遲的晶體管

盡管SMPS（開關(guān)電源）本身能防止永久性短路，但在遇到瞬時(shí)過載時(shí)有時(shí)會(huì)出問題。瞬時(shí)過載并非短路，但卻會(huì)使電源超出其標(biāo)稱負(fù)載值。這種情況會(huì)在開關(guān)電源連接典型負(fù)載，如打印機(jī)頭和小型電機(jī)時(shí)發(fā)生。
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1947年12月16日，晶體管誕生

　　1947年12月16日，貝爾實(shí)驗(yàn)室的兩位研究員約翰·巴登和沃爾特·布拉頓發(fā)明了世界首個(gè)晶體管。　　他們的設(shè)備叫做“點(diǎn)接觸晶體管”(point contract transistor)，當(dāng)時(shí)它主要用來導(dǎo)電以及放大信號(hào)，現(xiàn)在，這些工作主要交由真空管等部件來完成了。　　他們的同事威廉·肖克利隨后很快發(fā)明了“結(jié)型晶體管”(junction transistor)。盡管巴登與布拉頓是晶體管的第一批發(fā)明人，但肖克利的
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]