晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

LSI 慶祝晶體管發(fā)明 60 周年

　　LSI 公司日前宣布向位于加利福尼亞州山景市 (Mountain View) 的計(jì)算機(jī)歷史博物館捐贈(zèng)了其首枚晶體管的復(fù)制品，以慶祝晶體管發(fā)明 60 周年。　　晶體管是1947 年 12 月 16 日由貝爾實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同發(fā)明的，它是當(dāng)今集成電路的構(gòu)建塊，而集成電路則是從電腦到手機(jī)乃至導(dǎo)彈和心臟起搏器等各種產(chǎn)品的中樞。晶體管于1951 年最早由位于賓夕法尼亞州阿倫敦聯(lián)合大道 (Union Boul
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回顧歷史——晶體管誕生60周年

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的今天，讓我們一起來閱讀這段60年前的歷史…... LSI 熱烈慶祝晶體管誕生 60 周年 60年前的1947年12月，3 名貝爾試驗(yàn)室的科學(xué)家共同發(fā)明了晶體管，從而開辟了現(xiàn)代電子時(shí)代，包括當(dāng)今的LSI在內(nèi)的全球性產(chǎn)業(yè)也由此誕生。 &nbs
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摩爾定律十年后失效業(yè)界爭(zhēng)議甚囂塵上

　　今年12月16日是晶體管誕生60周年紀(jì)念日，但是摩爾定律的發(fā)現(xiàn)者，英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登▪摩爾卻在接受美聯(lián)社采訪時(shí)說，摩爾定律還只能延續(xù)十年，此后在技術(shù)上將會(huì)變得十分困難，在他看來，晶體管體積繼續(xù)縮小的物理極限即將達(dá)到。美聯(lián)社評(píng)論稱，由此，曾經(jīng)驅(qū)動(dòng)了數(shù)字技術(shù)革命--甚至是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)--的半導(dǎo)體技術(shù)引擎將"剎車"停車。　　"摩爾定律"可以簡(jiǎn)述為：每18個(gè)月，同一面積芯片上可以集成的晶體管數(shù)量將翻一番，而價(jià)格下降一半。問世40多年來，摩爾定律對(duì)推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，驅(qū)動(dòng)數(shù)字革命和加速信息
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2015年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)216億美元

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司NanoMarkets最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，包裝、顯示屏、智能卡、傳感器等行業(yè)對(duì)柔性大面積電子電路的需求將推動(dòng)有機(jī)晶體管和存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在2015年達(dá)到216億美元。雖然有機(jī)存儲(chǔ)芯片的增長(zhǎng)低于有機(jī)薄膜晶體管的增長(zhǎng)，但是，它將迅速趕上來。到2015年，將有價(jià)值161億美元的電子產(chǎn)品中將包含有機(jī)存儲(chǔ)芯片。這篇報(bào)告的要點(diǎn)包括：　　
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晶體管型號(hào)一概表2

晶體管型號(hào) 反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率管子類型 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP 2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP
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晶體管型號(hào)一概表1

晶體管型號(hào) 反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率管子類型 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V
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FPGA加速滲透非傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

　　自從1985年首款FPGA器件誕生以來，F(xiàn)PGA產(chǎn)業(yè)一方面修煉內(nèi)功——從技術(shù)上來說，工藝從2μm發(fā)展到65nm，晶體管數(shù)量從8.5萬個(gè)增長(zhǎng)到10億個(gè)以上;另一方面向外擴(kuò)張——應(yīng)用領(lǐng)域從最初的通信業(yè)不斷向消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)控制等滲透，同時(shí)在不斷“蠶食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式處理器的市場(chǎng)。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商也不再是20多年前的孤軍奮戰(zhàn)，在其周圍，F(xiàn)PGA開發(fā)和應(yīng)用的生態(tài)系統(tǒng)已然初步形成，大大促進(jìn)了FPGA產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。　　“非傳統(tǒng)”應(yīng)用領(lǐng)域
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CEO如是說：對(duì)于可持續(xù)發(fā)展，電子行業(yè)做得太少

　　Applied CEO Mike Splinter指出，在生態(tài)可持續(xù)發(fā)展方面，電子行業(yè)做的還太少，在半導(dǎo)體制造業(yè)必須開始朝一個(gè)目標(biāo)努力。Splinter指出，半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)地關(guān)注電子產(chǎn)品的速度和性能，而不夠重視能源使用效率。他說，未來的芯片架構(gòu)必須關(guān)注功率優(yōu)化。Splinter補(bǔ)充說，隨著消費(fèi)電子中半導(dǎo)體產(chǎn)品的使用，芯片在可持續(xù)發(fā)展上扮演著重要的角色。　　在和印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(India Semiconductor Association)的一位成員交談時(shí)，Splinter說尤其在少數(shù)半導(dǎo)體制造
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提供過電流和過電壓保護(hù)的斷路器

斷路器在汽車系統(tǒng)中很有用，既需要過電流檢測(cè)防止有故障的負(fù)載、也需要過電壓保護(hù)避免敏感電路不受高能負(fù)載突 ...
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使用雙極晶體管進(jìn)行鋰離子電池充電

序言隨著便攜式手持設(shè)備(如手機(jī)、PDA等)的功能不斷增加，加上對(duì)較小體積與更長(zhǎng)電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設(shè)備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點(diǎn)討論主要離散參數(shù)與選擇標(biāo)準(zhǔn)。鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個(gè)鋰離子電池的典型充電周期。預(yù)充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類及不同的生產(chǎn)商。而
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Zetex晶體管提升電源功率密度

模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設(shè)備中MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 Zetex亞太區(qū)銷售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至1
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應(yīng)用材料公司推出Centura Carina Etch系統(tǒng)克服高K介電常數(shù)

近日，應(yīng)用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統(tǒng)用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運(yùn)用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)上采用高K介電常數(shù)/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲(chǔ)器件工藝擴(kuò)展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應(yīng)用材料公司的Carina技術(shù)具有獨(dú)一無二的表現(xiàn)，它能達(dá)到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時(shí)沒有任何副產(chǎn)品殘留物。應(yīng)用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體日前在IEEE MTT-S國(guó)際微波大會(huì)上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設(shè)備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設(shè)備最高的排放效率和功率增益。這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場(chǎng)提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設(shè)備相比，它具有明顯的優(yōu)勢(shì)。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等
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安森美擴(kuò)展低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品

電源管理半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出采用先進(jìn)硅技術(shù)的PNP與NPN器件，豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的BJT或平面MOSFET相比，不僅實(shí)現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長(zhǎng)了電池的使用壽命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應(yīng)用。
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恩智浦推出UHF波段高壓LDMOS晶體管BLF878

恩智浦半導(dǎo)體(NXPSemiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)上唯一能夠在整個(gè)UHF波段以杰出線性性能和穩(wěn)定性能提供300W功率的解決方案，主要面向電視發(fā)射及廣播市場(chǎng)。電視廣播發(fā)射行業(yè)不斷提高輸出功率以滿足高清電視的需求，廣播商憑借恩智浦的這一最新高效率解決方案能夠顯著提高輸出功率，同時(shí)降低成本。如今的高性能電視發(fā)射機(jī)投資巨大，所以廣播商正
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]