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功率模塊
功率模塊 文章 進(jìn)入功率模塊技術(shù)社區(qū)
ROHM:率先量產(chǎn)溝槽型SiC-MOSFET,看好太陽(yáng)能、工業(yè)等領(lǐng)域前景

- ROHM近日于世界率先開(kāi)發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。 另外,此次開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品,目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京
- 關(guān)鍵字: ROHM 功率模塊 分立封裝 201508
ROHM產(chǎn)品陣容新增高效MOS智能功率模塊

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出滿足家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備等的小容量電機(jī)低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”,產(chǎn)品陣容更加豐富。 此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品搭載了ROHM生產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻MOSFET“PrestoMOSTM”,而且還利用了ROHM獨(dú)有的LSI控制技術(shù),使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過(guò)實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低功耗化
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安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于白家電的二合一智能功率模塊(IPM)

- 當(dāng)前消費(fèi)電子產(chǎn)品技術(shù)日新月異,同時(shí)綠色、環(huán)保、節(jié)能的思想也逐漸深入人心,能效問(wèn)題日益成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)中關(guān)注的焦點(diǎn),高效節(jié)能已是大勢(shì)所趨。作為電子設(shè)計(jì)的關(guān)鍵元器件,半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。工程師通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體器件的材料、結(jié)構(gòu)、工藝等方面的不同設(shè)計(jì),為各種應(yīng)用需求提供相應(yīng)的解決方案。 與我們?nèi)粘I蠲芮邢嚓P(guān)的空調(diào)、電冰箱、洗衣機(jī)等白家電產(chǎn)品,在設(shè)計(jì)中需要考慮到尺寸、能效、成本及外觀設(shè)計(jì)等因素。推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出緊湊的變頻器智能功率模塊(IPM),以及集成功率因數(shù)校正(PFC)轉(zhuǎn)換器
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英飛凌推出高性價(jià)比應(yīng)用優(yōu)化型雙極功率焊接模塊

- 英飛凌科技股份有限公司近日推出采用焊接技術(shù)的雙極功率模塊,解決高性價(jià)比應(yīng)用的具體需求。這種新型PowerBlock模塊進(jìn)一步擴(kuò)大了英飛凌此前僅采用壓力接觸技術(shù)的全面功率模塊產(chǎn)品組合。英飛凌為受成本和/或性能限制的工業(yè)驅(qū)動(dòng)、可再生能源、軟啟動(dòng)器、UPS系統(tǒng)、焊接和靜態(tài)開(kāi)關(guān)等不同應(yīng)用提供優(yōu)化的解決方案。 焊接模塊不僅封裝尺寸較小(不超過(guò)50mm),而且市場(chǎng)價(jià)格比相關(guān)壓力接觸類(lèi)型低 25%左右(取決于模塊/應(yīng)用),具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)或UPS等不要求壓力接觸的高魯棒性應(yīng)用,小型的Power
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晶閘管功率模塊
- 近年來(lái),隨著對(duì)供電質(zhì)量要求的不斷提高和節(jié)能降耗的需要,無(wú)功補(bǔ)償裝置的使用量快速增長(zhǎng)。隨后各種不同無(wú)功補(bǔ)償裝置不斷研發(fā)推出應(yīng)用,低壓電容器投切開(kāi)關(guān)由簡(jiǎn)單粗獷到理性精細(xì)經(jīng)歷了三個(gè)階段的成長(zhǎng)。1、機(jī)械式接觸器投切電容裝置;2、復(fù)合開(kāi)關(guān)投切電容裝置;3、電子式無(wú)觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置(晶閘管功率模塊)。晶閘管功率模塊由于其適應(yīng)性廣泛,性能優(yōu)越,而快速占領(lǐng)市場(chǎng),成為了無(wú)功補(bǔ)償裝置投切開(kāi)關(guān)的主流品種之一。 一、各無(wú)功補(bǔ)償投切開(kāi)關(guān)比較: 1、機(jī)械式接觸器投切電容裝置 接觸器投入過(guò)程中
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美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: SiCMOSFET 功率模塊 美高森美 APT40SM120B 高壓工業(yè)
使用功率模塊改進(jìn)汽車(chē)電氣化
- 很少有其它應(yīng)用場(chǎng)所和車(chē)輛行駛環(huán)境一樣,對(duì)各種電子元器件的要求異常嚴(yán)苛,它往往意味著如何讓用于汽車(chē)或卡車(chē)的...
- 關(guān)鍵字: 功率模塊 汽車(chē)電氣化 逆變器
三菱電機(jī)伺服系統(tǒng)過(guò)載報(bào)警消除方法
- 一.過(guò)載的原因伺服放大器內(nèi)部的智能功率模塊IPM(IntelligentPowerModule)內(nèi)藏有過(guò)電壓,過(guò)電流和過(guò)熱...
- 關(guān)鍵字: 電機(jī)伺服系統(tǒng) 過(guò)載報(bào)警 功率模塊
面向汽車(chē)應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
- 中心論題:由于汽車(chē)環(huán)境的復(fù)雜多變,EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受?chē)?yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
- 關(guān)鍵字: IGBT 汽車(chē)應(yīng)用 功率模塊
減少60%占位面積:IR針對(duì)家電和輕工業(yè)應(yīng)用推出功率模塊
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列正在申請(qǐng)專(zhuān)利的高集成、超小型μIPM功率模塊,適用于高效率家電和輕工業(yè)應(yīng)用,包括制冷壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器、加熱和水循環(huán)泵、空調(diào)扇、洗碗機(jī)及自動(dòng)化系統(tǒng)。μIPM系列通過(guò)采用創(chuàng)新的封裝解決方案,開(kāi)創(chuàng)了器件尺寸新基準(zhǔn),比現(xiàn)有的三相位電機(jī)控制功率IC減少了高達(dá)60%的占位面積。 全新μIPM系列采用超小型12x12x0.9mm PQFN封裝,配備多種充分整合的三相位表面貼裝電機(jī)控制電路解決方案。IR為相關(guān)市
- 關(guān)鍵字: IR 功率模塊
混合動(dòng)力汽車(chē)功率模塊的功率損耗計(jì)算和熱仿真
- 在本文中,比較了8套不同的參數(shù),包括不同的冷卻條件和/或電池電壓。結(jié)果是:汽車(chē)制造商、逆變器供應(yīng)商和功率半導(dǎo)體模塊供應(yīng)商應(yīng)聯(lián)合進(jìn)行開(kāi)發(fā),有助于通過(guò)調(diào)整行駛策略、冷卻系統(tǒng)、電池電壓和模塊的散熱能力,找到經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。
- 關(guān)鍵字: 混合動(dòng)力汽車(chē) 功率模塊 功率損耗 計(jì)算
功率模塊介紹
功率模塊是功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊.
擴(kuò)展: 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和優(yōu)化的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路,以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的,而且驅(qū)動(dòng)電路緊靠IGBT,驅(qū)動(dòng)延時(shí)小,所以IPM開(kāi)關(guān)速度快,損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測(cè)IGB [ 查看詳細(xì) ]
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