2 月 23 日消息，據韓聯社報道，韓國科技評估與規(guī)劃研究院（KISTEP）23 日發(fā)布的一份調查報告指出，韓國絕大多數的半導體技術已經被中國趕超。研究院針對 39 名國內專家實施問卷調查的結果顯示，截至去年，韓國所有半導體領域的基礎力量均落后于中國。若將技術最先進國家的水平設為 100%，韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片技術領域就為 90.9%，低于中國（94.1%）位居第二；在高性能、低功耗的人工智能芯片領域，韓國（84.1%）仍不及中國（88.3%）。在功率半導體方面，韓國為 67.5%，中國高達 7
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韓研究院 半導體技術 KISTEP 高集成度 低阻抗存儲芯片 傳感 制造工藝
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN異質結，目前市面上還未出現G
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氮化鎵 GaN 結構 制造工藝
半導體元件制造涉及到一系列復雜的制作過程，將原材料轉化為成品元件，以應用于提供各種關鍵控制和傳感功能應用的需求?！狝ndreas Bier | Sr Principal Product Marketing Specialist半導體制造涉及一系列復雜的工藝過程，從而將原材料轉化為最終的成品元件。該工藝通常包括四個主要階段：晶片制造、晶片測試組裝或封裝以及最終測試。每個階段都有其獨特的攻堅點和機遇。而其制造工藝也面臨著包括成本、復雜多樣性和產量在內的諸多挑戰(zhàn)，但也為創(chuàng)新和發(fā)展帶來了巨大的機遇。通過應對其中
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元件制造 半導體 制造工藝
5 月 30 日消息，黃仁勛昨天出席臺北電腦展主題演講后，今天再度現身與全球記者及分析師進行問答，共有約 150 名來自國內外記者及分析師出席。他表示：公司供應鏈將力求實現多元化，而這一點目前已經做到了。H100 是由臺積電代工生產，部分產品也由三星代工生產，并表示對未來與英特爾合作搭載人工智能芯片持開放態(tài)度。黃仁勛透露，該公司最近已經收到了基于英特爾下一代工藝節(jié)點的制造的測試芯片，測試結果良好?！澳阒?，我們也在和三星合作生產，我們也愿意和英特爾合作。帕特?格爾辛格之前表示正在評估該工藝，我們最近收到了
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黃仁勛 英特爾 制造工藝 英偉達 AI
代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會謊報自己的年齡或體重，但若公司出現了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構成了品牌稀釋。最近的半導體市場就出現了這種情況，當時，兩家領先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而實際使用的卻仍是5納米技術。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背后，也意味著晶體管發(fā)展的緩慢。這個問題最初始于三星。在與臺積電下一個節(jié)點的長期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節(jié)點之間用兩年時間，在2
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TechInsights 代工廠 制造工藝 謊言 5納米 4納米 3納米
據外媒報道，在今年的IEEE國際電子設備會議（IEDM）上，芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴展路線圖，包括2029年推出1.4納米制造工藝。
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1、極板的制造包括：鉛粉制造、板柵鑄造、極板制造、極板化成等。⑴鉛粉制造設備鑄粒機或切段機、鉛粉機及...
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鉛酸蓄電池 制造工藝
●通過前玻璃基板/彩色濾光基板工藝過程形成精確排列的彩色濾光層?！癖∧せ骞に囆纬杀∧ぞw管液晶（TFT...
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TFT-LCD 制造工藝 濾光層
1．電源逆變器的持續(xù)輸出功率與峰值輸出功率有什么不同？持續(xù)功率和峰值功率因其表達的意義而不同。...
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電源 逆變器 制造工藝
球形led顯示屏，在制作上分類兩種：1、整球形led顯示屏。一般這樣的球比較小，直徑2米左右，能夠在近處觀看整體；2、半球形led顯示屏。一般這樣的球比較大，需要在遠處才能觀看。LED球形屏制作，基本分為以下幾種方式
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LED 制造工藝 實際用途
LDMOS的性能概述 與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6d ...
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1.LED芯片檢驗鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑（lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極...
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LED 制造工藝 流程 擴片
據外媒報道，英特爾于昨日發(fā)布聲明表示，公司將在美國工廠新一代制造工藝上投資60億-80億美元。
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英特爾 制造工藝
在向著4G手機發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設計工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現有的多種移動通信標準，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，與此同時，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數據率以及支持OFDMA調制、支持MIMO天線技術，乃至支持VoWLAN的組網，因此，在射頻信號鏈設計的過程中，如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導體行業(yè)的競爭焦點之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現三條技術路線，本文就這三條技術路線進行簡要的比較。
利用超CMOS工藝，從提高集成度來間接提升P
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射頻 功率放大器 無線通信 芯片 制造工藝
半導體芯片結構尺寸的縮小使得RC延遲成為制約集成電路性能進一步提高的關鍵性因素。轉向低k銅工藝技術是業(yè)界給出的解決方案。雙大馬士革工藝取代了傳統(tǒng)的鋁“減”工藝，成為低k銅互連材料的標準制造工藝。
為了能與芯片制造工藝完美結合，不產生可靠性問題，低k絕緣材料必須具備一系列期望的材料特性，對低k材料研發(fā)本身的挑戰(zhàn)在于：在獲得所需要的低介電常數的同時，低k材料還必須滿足良好的熱和機械特性。但目前并沒有完全符合這些期望特性的低k材料被制造出來，因而給半導體制造工藝帶來了挑戰(zhàn)。
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半導體 集成電路 低k銅 制造工藝
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