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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂

3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進(jìn)場，預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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英飛凌參加2024年美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司于2月25日至29日參加2024年美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC），并重點(diǎn)展示其在業(yè)界非常全面的功率電子器件。英飛凌的寬禁帶解決方案具有高能效和高功率密度等特性，是應(yīng)對(duì)氣候變化和加速低碳化的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。英飛凌一流的產(chǎn)品組合囊括了各種面向領(lǐng)先應(yīng)用的功率半導(dǎo)體器件，全面覆蓋硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）三種半導(dǎo)體材料。英飛凌在1013號(hào)和1319號(hào)（英飛凌+GaN?系統(tǒng)）展臺(tái)展示豐富的產(chǎn)品及其廣泛的應(yīng)用。1013號(hào)展臺(tái)根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不
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Ekkono邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)簡化了在英飛凌AURIX? TC3x和TC4x上為汽車應(yīng)用部署AI的過程

不同汽車的獨(dú)特性給汽車零部件供應(yīng)商和OEM廠商等帶來了挑戰(zhàn)，因?yàn)槊枯v車的駕駛方式、駕駛地點(diǎn)、駕駛者、設(shè)計(jì)、用途以及道路和交通狀況都是獨(dú)一無二的。為保證每輛汽車都能正常運(yùn)行并達(dá)到出色運(yùn)行狀態(tài)，需要掌握并管理汽車及其狀況。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）?AURIX?微控制器（MCU）系列所提供的先進(jìn)實(shí)時(shí)計(jì)算硬件適用于安全關(guān)鍵型汽車應(yīng)用中的嵌入式AI等用例。為了充分利用這些強(qiáng)大的功能，英飛凌生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴Ekkono Solutions推出了一款簡單易用且快
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貿(mào)澤開售英飛凌CYW20822 AIROC低功耗藍(lán)牙模塊

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入(NPI)代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開售英飛凌CYW20822?AIROC?低功耗藍(lán)牙模塊。CYW20822模塊結(jié)構(gòu)緊湊，支持低功耗藍(lán)牙長距離?(LE-LR)?功能，可實(shí)現(xiàn)無縫集成并提高性能。CYW20822模塊出色地結(jié)合了低功耗和高性能，提供可實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化的無線連接解決方案，可支持各種低功耗藍(lán)牙長距離用例，包括工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)應(yīng)用、智能家居、資產(chǎn)跟蹤、信標(biāo)和傳感器，以及醫(yī)療設(shè)備。貿(mào)澤供應(yīng)
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英飛凌推出低成本低功耗長距離藍(lán)牙模塊CYW20822-P4TAI040

英飛凌科技股份公司近日宣布推出最新款藍(lán)牙模塊CYW20822-P4TAI040，在低功耗與覆蓋范圍等方面實(shí)現(xiàn)了新的突破，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的無線連接技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。該模塊相比同類產(chǎn)品有更高的性價(jià)比，通過支持藍(lán)牙低功耗長距離傳輸（LE-LR）增強(qiáng)了性能，具有出色的可靠性，能夠無縫集成且支持各種應(yīng)用。英飛凌的CYW20822-P4TAI040藍(lán)牙模塊集低功耗和高性能于一身，可支持包括工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用、智能家居、資產(chǎn)追蹤、信標(biāo)和傳感器、以及醫(yī)療設(shè)備在內(nèi)的所有藍(lán)牙LE-LR應(yīng)用場景。ABI Research最
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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英飛凌車輛制動(dòng)穩(wěn)定性控制產(chǎn)品應(yīng)用

英飛凌的車輛制動(dòng)穩(wěn)定性系統(tǒng)，無疑是現(xiàn)代車輛安全技術(shù)的一大里程碑。該系統(tǒng)不僅具備縮短制動(dòng)距離的能力，更能在緊急情況下確保車輛始終保持在受控狀態(tài)，從而極大地提升了各類車輛在行駛過程中的安全性。然而，當(dāng)前市場上眾多車輛穩(wěn)定性控制系統(tǒng)往往因?yàn)檫^于依賴特定客戶的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致性價(jià)比不盡如人意。在此背景下，英飛凌致力于打破這一困境，研發(fā)出符合高安全性要求的標(biāo)準(zhǔn)器件，以滿足廣大客戶對(duì)高性價(jià)比解決方案的迫切需求。在汽車行業(yè)中，英飛凌的控制器和輪速傳感器早已成為市場上的佼佼者。其豐富的產(chǎn)品組合中，不僅涵蓋了各種針對(duì)安全應(yīng)用的汽
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如何測量功率回路中的雜散電感

影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內(nèi)部寄生電感，直流母線電容寄生電感，分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）
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英飛凌將Qt圖形用戶界面集成到其微控制器中

Source:?Getty Images/metamorworks根據(jù)1月16日發(fā)布的一篇新聞稿，英飛凌科技日前與Qt集團(tuán)合作，將Qt的圖形用戶界面（GUI）框架集成到其微控制器（MCU）中。此次合作旨在將Qt的輕量級(jí)高性能圖形框架無縫集成到英飛凌支持圖形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集團(tuán)微控制器產(chǎn)品總監(jiān)主管Toni Paila表示：“當(dāng)今的全球半導(dǎo)體市場競爭非常激烈，全球制造商正在不斷尋找辦法，以期盡可能快地將他們的產(chǎn)品推向市場。全球微控制器的開發(fā)周期不斷縮短就是最好的證明。但即使
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
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英飛凌科技：MCU市場變革中的策略與應(yīng)對(duì)

隨著科技的飛速發(fā)展，微控制器（MCU）在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在汽車電子領(lǐng)域，MCU的重要性不言而喻。英飛凌作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍者，當(dāng)然更加重視MCU 在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用。英飛凌科技大中華區(qū)高級(jí)總監(jiān)、動(dòng)力與新能源系統(tǒng)業(yè)務(wù)單元負(fù)責(zé)人仲小龍1 32位MCU不斷擠占市場近年來，隨著32 位MCU 的普及，8 位/16 位MCU的市場地位受到了一定程度的擠壓。隨著汽車電子系統(tǒng)功能的提升和集成度的不斷提高，EE 架構(gòu)不斷更新，總體上對(duì)MCU性能的需求也在不斷提升。功能相對(duì)簡單的系統(tǒng)，如泵、閥和小電
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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