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英特爾與恒憶公布突破性相變存儲(chǔ)器技術(shù)研究成果

作者: 時(shí)間:2009-10-30 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項(xiàng)突破性的相變存儲(chǔ)器()研究成果,這種新的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)結(jié)合了目前各種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。研究人員首次展示了能夠在單個(gè)硅片上堆疊或放置多個(gè)陣列層的64Mb測(cè)試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲(chǔ)器設(shè)備鋪平了道路,能夠?yàn)殡S機(jī)存取非易失性存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)應(yīng)用降低所占用的空間。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/99415.htm

  這項(xiàng)成果由恒憶和聯(lián)合開(kāi)發(fā),雙方一直在合作探索多層或堆疊式單元陣列方面的研究。和恒憶的研究人員現(xiàn)在能夠展示垂直集成的存儲(chǔ)器單元(相變存儲(chǔ)器與開(kāi)關(guān))。由一個(gè)PCM元件和新型雙向閾值開(kāi)關(guān)(OTS)以真正的交叉點(diǎn)陣列方式組成。堆疊多層陣列的能力提供了更高存儲(chǔ)器密度的可擴(kuò)展性,同時(shí)保持PCM的性能特征,而基于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)則越來(lái)越難以實(shí)現(xiàn)。

  英特爾院士、存儲(chǔ)器技術(shù)開(kāi)發(fā)總監(jiān)Al Fazio表示:“我們繼續(xù)開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)器的相關(guān)技術(shù),以推動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的進(jìn)步。這項(xiàng)里程碑式的研究成果令人振奮,我們認(rèn)為對(duì)于擴(kuò)展存儲(chǔ)器在計(jì)算解決方案中的作用以及提高性能和存儲(chǔ)器擴(kuò)展能力,PCMS等未來(lái)存儲(chǔ)器技術(shù)至關(guān)重要。”

  恒憶公司高級(jí)技術(shù)院士Greg Atwood表示:“這項(xiàng)研究成果前景廣闊,使得未來(lái)為PCM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)密度更高、可擴(kuò)展的陣列和類NAND使用模式成為可能。傳統(tǒng)閃存技術(shù)面臨物理限制和可靠性問(wèn)題,而從手機(jī)到數(shù)據(jù)中心等設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)器的廣泛需求卻越來(lái)越高,因此這項(xiàng)成果意義重大。”

  存儲(chǔ)器單元通過(guò)堆疊存儲(chǔ)元件和選擇器而制造,由幾個(gè)單元構(gòu)成存儲(chǔ)器陣列。英特爾和恒憶的研究人員能夠?qū)⒈∧ぁ㈦p終端OTS部署為為選擇器,其物理和電氣特性非常適合PCM擴(kuò)展?,F(xiàn)在,薄膜PCMS的兼容性讓多層交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列成為可能。分層陣列一旦集成起來(lái)并按照真正的交叉點(diǎn)陣列進(jìn)行嵌入,可與CMOS電路相結(jié)合,用于解碼、傳感和邏輯功能。

  在12月9日即將在美國(guó)巴爾的摩市召開(kāi)的2009年國(guó)際電子設(shè)備大會(huì)(International Electron Devices Meeting,IEDM)上,兩家公司將聯(lián)合發(fā)表標(biāo)題為《可堆疊交叉點(diǎn)相變存儲(chǔ)器》的論文,披露有關(guān)存儲(chǔ)器單元、交叉點(diǎn)陣列、實(shí)驗(yàn)以及結(jié)果的更多信息。這篇論文由英特爾和恒憶的技術(shù)人員共同撰寫(xiě),英特爾高級(jí)首席工程師DerChange Kau將做相關(guān)演講。



關(guān)鍵詞: 英特爾 PCM PCMS

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