海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片
加入技術(shù)交流群
據(jù)報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產(chǎn)。
本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/98821.htm此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場份額已經(jīng)達到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場上的主流。
根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務器、超級計算機或其它對電池續(xù)航要求較高的移動產(chǎn)品都可采用這種低功耗芯片。
此次1Gb DDR3內(nèi)存芯片的設(shè)計理念還將應用于未來的40nm 2Gb DDR3芯片設(shè)計。
評論