国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片

海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片

作者: 時間:2009-10-13 來源:驅(qū)動之家 收藏

  據(jù)報道,今天宣布了基于工藝的第二代1Gb ,新一代1Gb 芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種,并將會在本月開始投入量產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/98821.htm

  此次宣布的1Gb 芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓,但功耗降低了30%,號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計,1Gb DDR3的市場份額已經(jīng)達到了87%,更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場上的主流。

  根據(jù)的介紹,數(shù)據(jù)中心、服務器、超級計算機或其它對電池續(xù)航要求較高的移動產(chǎn)品都可采用這種低功耗芯片。

  此次1Gb DDR3內(nèi)存芯片的設(shè)計理念還將應用于未來的40nm 2Gb DDR3芯片設(shè)計。



關(guān)鍵詞: 海力士 內(nèi)存芯片 54nm DDR3

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉