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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

—— 成為業(yè)界性能最佳的片上存儲方案
作者: 時間:2009-09-22 來源:semi 收藏

  宣布已制成 SOI嵌入式測試芯片,并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/98335.htm

  表示,使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。還表示,基于SOI技術(shù)的嵌入式每個存儲單元只有一個單管,和、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。

  IBM的這款 SOI嵌入式周期時間可以小于2納秒,與同類SRAM相比待機(jī)功耗降低4倍,軟錯誤率降低1000多倍,功耗也大大減少。

  IBM希望將32nm SOI技術(shù)推向更廣闊的領(lǐng)域。IBM已經(jīng)向其代工客戶提供32nm SOI技術(shù),ARM正在為該技術(shù)開發(fā)庫,雙方的合作將持續(xù)到22nm SOI技術(shù)。

  IBM的工程師將于12月的IEDM上詳細(xì)描述32nm和22nm嵌入式DRAM技術(shù)。



關(guān)鍵詞: IBM 32nm DRAM 動態(tài)存儲器

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