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中科信:搶占IC裝備業(yè)制高點

作者: 時間:2009-09-09 來源:中國電子報 收藏

  夏日的早晨,微風(fēng)拂面,鳥兒輕鳴。北京中科信電子裝備有限公司(簡稱中科信)里一派繁忙景象,來來往往的員工或趕往廠房或直奔辦公大樓,為“十一五”國家科技重大專項———-大角度離子注入機樣機系統(tǒng)集成緊張而有序地忙碌著。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/97933.htm

  沖破封鎖

  “工欲善其事,必先利其器”,2000多年前孔子話語中蘊含的深意同樣適用于當今中國的半導(dǎo)體業(yè):沒有先進的電子制造設(shè)備,就不可能有自主先進的芯片產(chǎn)品;沒有先進的設(shè)備做支撐,中國的半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展再快,也只是建立在沙漠上的高樓。

  作為前道工藝設(shè)備,離子注入機技術(shù)復(fù)雜、涉及面廣,融光、機、電、計算機、材料、熱學(xué)、力學(xué)等各種專業(yè)技術(shù)為一體。國際上,離子注入技術(shù)主要集中在美國,著名的離子注入裝備生產(chǎn)商有美國Axcelis公司、Varian公司等。他們擁有最先進的離子注入機技術(shù),研制的各種類型的離子注入機占據(jù)了大部分國際市場。

  以美國為首的西方發(fā)達國家始終把IC設(shè)備列為對我國實行嚴格限制的技術(shù)領(lǐng)域之一,實行嚴密封鎖且禁止向我國出口先進的離子注入設(shè)備,不讓先進的設(shè)備和技術(shù)為中國人所掌握,以永遠維持自己的經(jīng)濟和軍事霸權(quán)地位。

  中科信作為國內(nèi)唯一從事離子注入機與快速退火成套裝備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技企業(yè),責(zé)任重大。企業(yè)必須從戰(zhàn)略發(fā)展的高度出發(fā),立足于自主創(chuàng)新,整體提升以離子注入機為代表的電子專用裝備制造業(yè)核心競爭力,建立起擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的研發(fā)技術(shù)平臺,充分掌握有關(guān)離子摻雜處理工藝和整機裝備系統(tǒng)集成的先進技術(shù),實現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機設(shè)備的跨越式發(fā)展。

  “十五”期間,中科信承擔(dān)了國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)集成電路制造裝備重大專項———“100nm大角度離子注入機”項目,在不到3年的時間里,他們成功建立了國內(nèi)一流的離子注入機技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化平臺和技術(shù)服務(wù)體系,完全突破大角度離子注入機的5大系統(tǒng)、6大關(guān)鍵技術(shù),有效建立了以專利為核心的知識產(chǎn)權(quán)體系,研制出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、能夠滿足100nm集成電路工藝要求的8英寸大角度離子注入機商品機,并實現(xiàn)出口。

  初步具備了8英寸國產(chǎn)大角度離子注入機批量供貨的能力,實現(xiàn)了我國集成電路專用裝備制造水平由原來的6英寸500nm到8英寸100nm的技術(shù)水平的五級連跳,為我國離子注入機裝備進一步發(fā)展和實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化打下了堅實的基礎(chǔ)。

  項目在圓滿實施后,先后榮獲“第一屆中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品”、“信息產(chǎn)業(yè)部2006年度信息產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)發(fā)明”、“2007年度北京市科技進步一等獎”、“2007年度中國電子科技集團科技進步特等獎”、“2007年度中國電子學(xué)會科技一等獎”等多項殊榮,并成功入選“北京市首批自主創(chuàng)新產(chǎn)品”、“國家首批自主創(chuàng)新產(chǎn)品”目錄。

  再攀高峰

  科技之路,永無止境。

  我國電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律是一代裝備、一代工藝、一代器件,裝備水平?jīng)Q定了產(chǎn)品技術(shù)水準。中科信人深知肩負的重擔(dān)和責(zé)任,、乃至45nm的科技難題如一座座的技術(shù)高峰,矗立在中科信人面前。他們從國家戰(zhàn)略需要出發(fā),再次請纓承擔(dān)“十一五”國家科技重大專項任務(wù)。

  通過國家專項組的權(quán)威專家的多次論證和評審,這支團隊整合了全球離子注入技術(shù)的優(yōu)勢資源,出色完成了項目實施方案的立項論證。在國家有關(guān)部委的大力支持下,率先開展了12英寸-大角度離子注入機的研發(fā)工作。2007年,經(jīng)過項目技術(shù)組專家的多次方案討論,他們最終確定了90nm-65nm大角度離子注入機整機攻關(guān)的總體技術(shù)路線和實施方案,確定了α機、β機以及商品機等3代機型研發(fā)的技術(shù)路線,確定了整機功能劃分和模塊構(gòu)成,完成了5大系統(tǒng)、82個子系統(tǒng)的設(shè)計方案。


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關(guān)鍵詞: IC制造 90nm 65nm

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